и-тип
)яние
«деление заряда в области
фа будут равными по
этому суммарный ток
но электрическое поле
жен к полупроводнику
Этот потенциал будет
горые будут проникать
ителями. Исчезнувшие
пополняться диффузи-
Аналогичным образом
енного поля (обратное
с. 2.8). Таким образом,
лов, и р-п- и п-р-т-
го полупроводникового
'ельных устройств. Это
щиковых переключаю-
W. Brattelu\, R
Д^ЖОН.
мпании «Ве11» в Нью
ад полупроводниковым
а^оо^емонстрировали