Рамбиди Н.Г., Берёзкин А.В. Физические и химические основы нанотехнологий

Подождите немного. Документ загружается.

1ием полупроводнико-

к которого металличе-

юмощью напряжения,

:ли на металлическую

вытеснять электроны

возникнет недостаток

•ной полярности носи-

величится. Механизм

рис.

2.10.

полевого транзистора,

(того материалы. Ими

я (изолятор), которую

Это заложило основы

:хнологии, или, как ее

0-технологии.

зй технологии был пе-

зистора формируются

I другого полупровод-

трой необходимостью

адессов изготовления

ремя была преимуще-

тому же очень плохо

ь число переключаю-

компьютерах. Так же

гказ. Например, ком-

ркой фирмой «Controi

[. транзисторов и мог

аны и изготовлены в

сотрудником фирмы

3 компании «Fairchild

игральных схем, в ко-

ичные элементы элек-

ых материалов умели

!Зисторы изготовляли,

для создания конден-

[бнии р-п-переходы.

3 триггера на одном

был применен метод

ments». Эта «твердая

1Иканского Института

ш позднее Робертом

1зработаны технологи-

роводниковую планар-

зработчики элементов

2.1.

Цикл о

Цикл 1

Цикл 2

понять на

ной основе

ся, фрезер

резьбы и

готовка пр

используе!

Изолирую!

МОГО OKHCJ

нок могут

и т. д. Ос

схемы HBJ

процесса

микросхел

фоточувст

ТОВОГО H3J

прочную 1

фотошабл

на поверх

В зав?

ную и пр

»жке одновременно

;м. Он был в сущ-

'тыми в то время,

эенных в производ-

зазмеры доступных

пластин диаметром

мм и более в 90-х

гом, если в 1960 г.

даяся на одну схе-

была ~ 1 мм^, то

тавляла ^ 100 мм^

)м элементов в схе-

нарная технология

1ль в производстве

которые использу-

тройств — вычис-

связи. Она вклю-

13ЛИЧНЫХ

по

своей

и используемой ап-

la специфическими

иковой технологии

:я, прежде всего, к

отельные материа-

гской практике, как

ество считается чи-

: превышает 0,001%.

легировании вводят

.е.0,0001-0,1%. Это

|^оторые могут по-

^,чем 0,00001%.

кш важных осо-

1ГИ — рассказать

ики и нанотех-

я проблемой —

м предельными

• всеобщее

ельном созда-

, из которого

йботкой этого

да по прин-

|а11ример, для

Ива, легко

2.1.

Рис. 2.14

легирующей

НИИ на пове

микросхемы

рис. 2.15 ПС

микросхемы

транзистора

Извести

стью к све'

тивного фо

в качестве

(рис. 2.16).

Фотоли''

водниковые

возможное!

Рис.

|афия

оцесса

й литографии, при

:нно на подложку,

контактной печати

ля промышленного

едостатка лишены

SKH зазором. Хотя

[8 метода ниже по

!М дифракции при

^мой в настояш,ее

^ожку с помощью

реждения шаблона

рабатывается рас-

|Действием света

эется в прочный

овать на находя-

рроводнике зон

' ис.2.14). На

, наносится нега-

|для его засветки,

"Ш. В результате

'цза исключением

|ст вымывается

i окна в поли-

лись кремния

|ким образом,

)емния. Они

«или сурьмой,

ювием ионов

2.1.

Пределы

ционными Э|

зи препятст

и нeкoтopы^

литографии

ны резистиБ

В после^

кальным ме

масок с ОПТ!

ции. Напри!

имеет округ

верхности с

специально!

Совмест

ультрафиол(

менты разм

разрешения

менее, сего;

193 нм при

Дальнейшее

вания еш,е

новским ил

EUV-ли-

фия. Литог

трафиолетоБ!

32 нм, Ha4aj

этой области

считается на

логии, перех

Хотя соз

ствования п

излучения в

к внесению

ностей вызв,

отражается :

Сверхже

лития, полу

Затем из спе

Так как

включая сте

использоват!

(рис. 2.18). (

числу межф;

зультате отр

система рабе

В 0ТЛИЧ1

щающие учг

также преде

В целом

как разнови,

в этой обла

маски, кото

:0+ -СНз

(рис. 2.17). При

"авимо с длиной

1на волны види-

гра) до 0,76 мкм

' линии в полу-

)дом оптической

ционными

на границе

Электр!

с высокой

тростатиче-

сканируют

луч здесь г

Сканир

сканирую!!

чивает на г

руется вся

СТОИНСТВ01«

дорогостоя

и использу

Основн

производит

рисунка с

метод испо

геновской

создания е,

Таким

фиолетовс

кремниев1

Переход (

уменьшен

мерами ВС

[еского процесса

!т увеличить их толщину.

;е высокая контрастность

графиолетовой оптической

дифракционные эффекты,

ым сдвигом. В результате

гь, что после коммерциа-

:уществующей ультрафио-

ку в последние годы со-

южнением все в большей

|ансовыми ограничениями,

чей длиной волны 193 нм

шии низкоэнергетического

),4-5 нм. Его источником

!стве мишени использует-

ием. Пространство между

оглощения рентгеновского

рафии, для рентгеновской

«кие мембраны из мате-

органические полимерные

1нические мембраны фор-

ми металлоидов либо из

представляет собой слой

(1 адгезию. Рисунок маски

1льваническим покрытием

-ографии - расходимость

источник излучения дол-

•им недостатком является

юглощающих масок,

я изображения на рези-

длина волны электрона

го разрешения (~ 10 нм),

граничивается не дифрак-