Монография / Под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова. - М.:
Энергоатомиздат, 2011.- 175 с. ил.
Скан 600 dpi + OCR В книге рассмотрено современное состояние и перспективы развития нового поколения устройств приема, обработки и хранения информации на основе интеграции сегнетоэлектрических материалов с технологиями современной микроэлектроники.
Книга содержит анализ перспективных разработок в области создания энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств, запоминающих устройств с произвольной выборкой, транзисторных структур с подзатворным диэлектриком на основе перовскитов. Рассмотрены вопросы применения активных диэлектриков в микроэлектромеханических системах, датчиках, фазовращателях и других устройствах сверхвысокочастотного диапазона, оптических модуляторах, а также принципы создания сегнетоэлектрических наноструктур в виде нанотрубок и наностолбиков.
Книга рассчитана на специалистов исследовательских центров и лабораторий, разработчиков электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры, а также аспирантов и студентов, специализирующихся в области твердотельной электроники, микро- и наноэлектроники.
Скан 600 dpi + OCR В книге рассмотрено современное состояние и перспективы развития нового поколения устройств приема, обработки и хранения информации на основе интеграции сегнетоэлектрических материалов с технологиями современной микроэлектроники.
Книга содержит анализ перспективных разработок в области создания энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств, запоминающих устройств с произвольной выборкой, транзисторных структур с подзатворным диэлектриком на основе перовскитов. Рассмотрены вопросы применения активных диэлектриков в микроэлектромеханических системах, датчиках, фазовращателях и других устройствах сверхвысокочастотного диапазона, оптических модуляторах, а также принципы создания сегнетоэлектрических наноструктур в виде нанотрубок и наностолбиков.
Книга рассчитана на специалистов исследовательских центров и лабораторий, разработчиков электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры, а также аспирантов и студентов, специализирующихся в области твердотельной электроники, микро- и наноэлектроники.