• формат djvu
  • размер 15.45 МБ
  • добавлен 30 июля 2010 г.
Аксенов А.И., Нефедов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы
Изд.: Солон-Пресс; Год: 2008; Стр. : 591; ISBN: 978-5-91359-043-5 Шестое издание, дополненное и исправленное.
В cпpавочном поcобии cиcтематизиpованы в табличной фоpме в алфавитно-цифpовой поcледовательноcти данные по оcновным электpичеcким паpаметpам и конcтpуктивному иcполнению на отечеcтвенные биполяpные и полевые тpанзиcтоpы, выпpямительные диоды, cтолбы и блоки, ваpикапы, cтабилитpоны и cтабиcтоpы, тиpиcтоpы, cветоизлучающие и инфpакpаcные диоды, линейные шкалы и цифpо-буквенные индикатоpы, диодные и тpанзиcтоpные оптопаpы.
По пpиведенным в книге пpибоpам даны cоответcтвующие аналоги.
6-е издание дополнено рядом биполярных и полевых транзисторов.
Удобная фоpма поиcка и воcпpиятия инфоpмации об интеpеcующиx пpибоpаx дает возможноcть пользователю по доcтоинcтву оценить пpиобpетенную им книгу.
Она будет полезна шиpокому кpугу cпециалиcтов и pадиолюбителей, занимающиxcя pазpаботкой, экcплуатацией и pемонтом pадиоэлектpонной аппаpатуpы.
Смотрите также

Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам

  • формат djvu
  • размер 9.61 МБ
  • добавлен 03 декабря 2010 г.
Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. Основы физики полупроводников

  • формат djvu
  • размер 4.41 МБ
  • добавлен 14 февраля 2011 г.
Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса "Полупроводники и полупроводниковые приборы" для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах. Приведены физические процессы, происхо...

Зарядовые явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в составе IGBT

degree
  • формат doc
  • размер 2.46 МБ
  • добавлен 20 сентября 2010 г.
Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная Si-SiO2 – МОП-структура. Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии. Собственн...

Колосницын В.С., Стешенко П.П., Шульгов В.В. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

  • формат pdf
  • размер 8.57 МБ
  • добавлен 05 марта 2010 г.
Минск, Амалфея, 2002, 272 с. Учебное пособие написано в соответствии с учебной программой курса «Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы». Рассматриваются основы физики полупроводников, принципы действия и особенности полупроводниковых приборов, общие вопросы терминологии ИМС. Дано описание материалов, из которых изготовлены элементы микросхем и конструкций транзисторов. Для учащихся ПТУ приборостроения, электротехники и электроники.

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья
  • формат doc
  • размер 722.76 КБ
  • добавлен 01 апреля 2007 г.
Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Москатов Е.А. Справочник по полупроводниковым приборам

  • формат pdf
  • размер 1.91 МБ
  • добавлен 17 апреля 2009 г.
Таганрог, – 219 с., ил. Перед Вами справочник, в который сведены наиболее широко распространённые и наиболее часто используемые на территории России и СНГ полупроводниковые приборы. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию. Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам, радиолюбителям, техникам, студентам технических колледже...

Николаевский И.Ф. Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 15

  • формат djvu, txt
  • размер 5.6 МБ
  • добавлен 18 марта 2011 г.
Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Сб. статей под ред. И. Ф. Николаевского, вып. 15. М., «Связь», 1975. 216 с. с ил. В сборник включены статьи, посвященные практическому использованию транзисторов в широкополосных и дифференциальных линейных усилителях, эмиттерных повторителях, генераторах и усилителях радиопередатчиков и в стабилизированных источниках питания. Ряд статей содержит материалы по применению тиристоров и однопереходн...

Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов

  • формат djvu
  • размер 3.46 МБ
  • добавлен 24 октября 2010 г.
Учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы". - 2-е издание, переработанное и дополненное - Москва: - Высшая школа, 1987. - 239 с. В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей

Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

  • формат djvu
  • размер 6.23 МБ
  • добавлен 03 апреля 2010 г.
М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники (SOI MIS, HEMT, HBT). Для кажд...

Черепанов В.П. Аналоги отечественных и зарубежных диодов и тиристоров. Справочник

Справочник
  • формат djvu
  • размер 1.59 МБ
  • добавлен 02 марта 2011 г.
Издательство: КУбК-а (Москва). Год издания: 1997. ISBN: 5-85554-156-8. Страниц: 224. Справочник построен в виде таблицы, в которой приведены типо-номиналы отечественных диодов и тиристоров в соответствии с действующим рубрикатором на полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги с указанием различных фирм изготовителей США, Японии и Западной Европы. Для удобства работы книга разделена на две части. В первой части приведены зарубежные аналоги...