Радиоэлектроника
Статья
  • формат pdf
  • размер 1.01 МБ
  • добавлен 22 мая 2011 г.
Бондаренко Г.Г. и др. Оксидные пленки на поверхности металла: современное состояние исследований и проблемы практического использованияы
Статья. Опубликована в Материалы VI Международной научно-технической конференции,
21 – 23 октября 2008 г. М. МИРЭА с.170-176
Одно из важнейших требований, предъявляемых к катодам газоразрядных
лазеров – способность сохранять рабочие параметры при контакте эмитируюших по-
верхностей с заряженными и ускоренными частицами, а также с газовой средой. Это
обеспечивают защитные свойства тонкой оксидной или нитридной пленки. Особенно
широко используются в этом плане тонкие пленки некоторых оксидов металлов, для ко-
торых характерно сочетание высоких температуры плавления, теплопроводности и диэлектрических параметров. В то же время необходимо отметить, что подобные пленки
не только выполняют конструктивную «защитную» функцию, но и являются активными
элементами электронных структур. На их основе были созданы высокоэффективные
холодные катоды, однако природа механизмов, обеспечивающих эмиссию электронов,
и возможности управления ими оставались недостаточно выясненными. В большинстве исследований не учитывалась роль способов получения структур металл-оксид металла в формировании эмиссионных свойств. Отсутствуют также сведения о физических свойствах тонкопленочных структур, обеспечивающих практическое использование в новых приборах.
Смотрите также

Бондаренко Б.В. Эмиссия электронов и ионов из твердого тела в вакуум

  • формат djvu
  • размер 3.1 МБ
  • добавлен 08 ноября 2011 г.
Учебное пособие.- М.: Издательство МФТИ, 1982.- 83 с. Данное учебное пособие по курсу "Основы вакуумной электроники предназначено для студентов третьего курса факультета физической и квантовой электроники МФТИ в соответствии с учебным планом их подготовки по специальности 0631 - автоматика и электроника. Все виды электронной и ионной эмиссии изложены в едином методическом стиле на современном научно-техническом уровне с привлечением необходимого...

Вавилов В.С., Киселев В.Н., Мукашев Б.Ф. Дефекты в кремнии и на его поверхности

  • формат djvu
  • размер 3.01 МБ
  • добавлен 10 декабря 2009 г.
М. , 1990 г. Не очень старая редкая монография, посвящённая механизмам образования дефектов в объёме и на поверхности кремния. Крайне полезна физикам-технологам и специалистам в полупроводниковой микроэлектронике.

Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы

  • формат djvu
  • размер 3.12 МБ
  • добавлен 27 марта 2010 г.
Минск: Наука и техника, 1986 г. , 254 с. В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как радиационные изменения свойств полупроводниковых материалов, так и процессы в отдельных...

Кулаков В.М. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники

  • формат djvu
  • размер 3.71 МБ
  • добавлен 29 мая 2010 г.
Под ред. Е. А. Ладыгина. - М.: Сов. Радио, 1980. - 224 с. В книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники. Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники.

Лабораторная работа - Исследование температурных свойств электронно-дырочных переходов

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 106.07 КБ
  • добавлен 26 января 2011 г.
1) изучение свойств плоскостных р-n переходов путем практического снятия и исследования их вольтамперных характеристик; 2) исследование влияния на свойства р-n перехода температуры.

Ладыгин Е.А. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники

  • формат djvu
  • размер 3.81 МБ
  • добавлен 06 октября 2011 г.
1980 г. В книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники. Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники. Даются основные расчетные соотношения, большое число экспериментально полученных зависимостей изменения параметров основных классов изделий электронно...

Лыньков Л.М. и др. Легированные оксиды титана и циркония в технологии формирования защитных покрытий

Статья
  • формат pdf
  • размер 617.05 КБ
  • добавлен 06 ноября 2011 г.
Статья. Опубликована в Доклады БГУИР, №3, 2004, с.73-84 Тонкие диэлектрические пленки из различных материалов нашли широкое применение в полупроводниковой электронике, в том числе и микроэлектронике. Благодаря ряду уникальных физико-химических свойств, они используются в качестве буферных покрытий, стойких к воздействиям высокой температуры плазмы, коррозионных сред, медленных нейтронов, в качестве материала твердотельных электролитов и др. Наибо...

Миллер Ю.Г. Физические основы надежности интегральных схем

  • формат djvu
  • размер 4.73 МБ
  • добавлен 30 июня 2011 г.
Рассмотрены вопросы теории и практики надежности интегральных схем (ИС). Обобщаются опубликованные в периодической литературе результаты физических исследований внезапных и постепенных отказов элементов гибридных тонкопленочных (ТП) ИС и полупроводниковых ИС, созданных на основе кремния. Приведены способы обеспечения и повышения надежности. Книга может быть полезной инженерам и научным работникам, занимающимся разработкой и производством ИС, а та...

Савиных В.Л. Физические основы электроники

  • формат doc
  • размер 685.88 КБ
  • добавлен 26 августа 2009 г.
Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...

Филатов Б.Г., Шелест Д.К., Воротынцев В.Ю. Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств: Лабораторный практикум

Практикум
  • формат pdf
  • размер 593.7 КБ
  • добавлен 26 января 2012 г.
СПбГУАП. СПб., 2005. 52 с.: ил. Приведены краткие теоретические сведения и методические указания к выполнению четырех лабораторных работ по курсу Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств. Предназначен для студентов инженерных специальностей 200800 и 220500 всех форм обучения. - Исследование распределения удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки. - Исследование процесса термовакуумного напыления резист...