Вавилов В.С., Киселев В.Н., Мукашев Б.Ф. Дефекты в кремнии и на его поверхности

2009. Идеальные кристаллы. Кристаллическая решетка Бравэ. Обозначение плоскостей и направлений кристалла. Индексы Миллера Реальные кристаллы. Структура реальных кристаллов. Дефекты кристаллической решеткиrn

Учебное пособие.- М.: Издательство МФТИ, 1982.- 83 с. Данное учебное пособие по курсу "Основы вакуумной электроники предназначено для студентов третьего курса факультета физической и квантовой электроники МФТИ в соответствии с учебным планом их подготовки по специальности 0631 - автоматика и электроника. Все виды электронной и ионной эмиссии изложены в едином методическом стиле на современном научно-техническом уровне с привлечением необходимого...

Статья. Опубликована в Материалы VI Международной научно-технической конференции, 21 – 23 октября 2008 г. М. МИРЭА с.170-176 Одно из важнейших требований, предъявляемых к катодам газоразрядных лазеров – способность сохранять рабочие параметры при контакте эмитируюших по- верхностей с заряженными и ускоренными частицами, а также с газовой средой. Это обеспечивают защитные свойства тонкой оксидной или нитридной пленки. Особенно широко используются...

Минск: Наука и техника, 1986 г. , 254 с. В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как радиационные изменения свойств полупроводниковых материалов, так и процессы в отдельных...

Статья. Опубликована в Доклады БГУИР, №3, 2004, с.73-84 Тонкие диэлектрические пленки из различных материалов нашли широкое применение в полупроводниковой электронике, в том числе и микроэлектронике. Благодаря ряду уникальных физико-химических свойств, они используются в качестве буферных покрытий, стойких к воздействиям высокой температуры плазмы, коррозионных сред, медленных нейтронов, в качестве материала твердотельных электролитов и др. Наибо...

Учебное пособие. М.: Физический факультет МГУ, 2000 г. 164 стр., ISBN 5-211-04058-9 В учебном пособии рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся механизмов передачи информации в молекулярных системах. Детально описаны принципы построения элементной базы устройств молекулярной электроники и технологические приемы синтеза наноструктур, используемых в таких устройствах. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников физических спец...

Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...

Ульяновск: УлГТУ, 2005.- 112 с. ISBN 5-89146-600-0 Рассмотрены основные технологические операции производства электронных средств с точки зрения физических явлений, сопутствующих или лежащих в основе той или иной операции. Основное внимание уделено технологии полупроводниковых микросхем, которые реализуются в приповерхностном слое полупроводниковой пластины. Рассмотрены также основные операции изготовления гибридных интегральных микросхем. Пособи...

Рассмотрены процессы взаимодействия ионизирующего излучения с ионно-электронной системой металлических твердых тел, связь радиационного дефектообразования с локальными искажениями электронных состояний, процессы радиационно-стимулированной диффузии в гетерогенных системах, электронные свойства радиационных дефектов и изменение физических свойств на поверхности металлов в результате облучения. Книга рассчитана на специалистов в области физики' рад...

Атом. Корпускулярно-волновые свойства материи. Постулат Бора. Соотношение неопределённостей. Квантовые числа. Рентгеновские лучи. Закон Мозли. Рентгеноспектральный анализ. Рентгеноструктурный анализ. Понятие о квантовой механике. Классическая квантовая статистика. Распределение Больцмана. Опыт М. Борна по определению длины свободного пробега. Формула Сёзерленда. Длина свободного пробега электрона. Рассеивание электронного пучка. Квантовая статис...