Минск, Наука и техника, 1975 г. 464 стр.
В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и
усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в
полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с
мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов
насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам
рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции:
изложена методика вычисления люминесценции как превышения над фоном
теплового испускания, сформулирован критерий появления
отрицательной люминесценции, проанализировано универсальное
отношение между спектрами люминесценции и поглощения при отсутствии
термодинамического равновесия, показана аналогия оптических свойств
сложных молекул и полупроводников.
Рассчитана на научных сотрудников, аспирантов, специалистов,
занимающихся разработкой, созданием и применением полупроводниковых
лазеров, фототропных фильтров и оптоэлектронных устройств. Может
быть также использована студентами физических факультетов ВУЗов.
Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках
Смотрите также
Абакумов Б.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках
Санкт - Петербург, Издательство "Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Контантинова РАН", 1997 год - 376 стр. ISBN 5-86763-111-7. В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрена феиоменологическая теория рекомбинации, теоретические модели мелких и глубоких центров, каскадная модель захвата на притяги...
Воробьев Л.Е. Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах
Санкт-Петербург, Издательство СПбГТУ, 1999г. Рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях, функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и др. Проведены расчеты этих характеристик. Приведено сопоставление с экспериментом. Пособие ориентировано на образова...
Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов
Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с. Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников. Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлени...
Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках
Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также для студентов физических факультетов.rn
Зюганов А.Н., Свечников С.В. Инжекционно-Контактные Явления в Полупроводниках
Киев, Наукова Думка, 256 стр., 1981 г. Изложена физика инжекционно-контактные явлений в полупроводниках, а также физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода с уче...
Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках
Данная книга посвящена изучению влияний различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокации, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных схем. В основу книги легли лекции, читавшиеся автором в ведущих технических университетов США; тек...
Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках
Издательство: М.: Мир. Год: 1974. Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокаций, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных микросхем. В основу книги легли л...
Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках
М., Мир, 1973 г., 458 стр. Монография известного американского специалиста Ж. Панкова посвящена физическим процессам взаимодействия света с полупроводниками, а также практическому использованию этих процессов в полупроводниковых лазерах, люминесцентных диодах, приемниках видимого и инфракрасного излучения. Книга снабжена большим количеством (около 400) иллюстраций — схем, графиков, чертежей, что делает ее полезной для инженерных расчетов, а та...
Толмачёв В.В. Квантовая физика полупроводников
Учебное пособие. Москва. 2000 г. – 51 стр. Модель Кронига-Пенни. Термодинамические равновесные концентрации электронов и дырок в чистом и примесных полупроводниках. Теория контактного PN-перехода.
Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н. Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках
Учебное пособие. - Владимир, Изд-во Владим. гос. ун-та, 2002. - 124 с. Рассматриваются нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках при воздействиях режимных (перепады токов и напряжений) и внешних (импульсные излучения оптического и гамма-рентгеновского диапазонов) факторов. На примерах решения краевых задач нестационарной электропроводности изучается методология получения расчетных оценок амплитудно-временных характеристик импульс...