Лабораторная работа - Исследование фотоэлектрических свойств полупроводников

Лабораторная работа - Исследование фотоэлектрических свойств полупроводников
  • лабараторные
  • doc
  • 174.5 КБ
  • добавлен 26.01.2011
Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.

Смотрите также


Стильбанс Л.С. Физика полупроводников

Стильбанс Л.С. Физика полупроводников

  • разное
  • djv
  • 3.71 МБ
  • добавлен 19.01.2010
Данная книга представляет собой систематической рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектрических свойств и контактных явлений.
Гусев С.А.(ред) Электрорадиоматериалы

Гусев С.А.(ред) Электрорадиоматериалы

  • разное
  • doc
  • 1.95 МБ
  • добавлен 07.05.2011
Методические указания к лабораторным работам. Изд. второе пер. и доп.; Балт. гос. техн. ун -т, СПб. , 2000, 25с. Ил. 26, табл. 18.

Содержание.
Исследование электрических свойств проводниковых материалов.
Исследование свойств терморезисторов.
Исследование свойств варисторов.
Исследование свойств фоторезис...
Лабораторная работа - Исследование температурных свойств электронно-дырочных переходов

Лабораторная работа - Исследование температурных свойств электронно-дырочных переходов

  • лабараторные
  • doc
  • 255 КБ
  • добавлен 26.01.2011
1) изучение свойств плоскостных р-n переходов путем практического снятия и исследования их вольтамперных характеристик;
2) исследование влияния на свойства р-n перехода температуры.
Лабораторная работа №1

Лабораторная работа №1

  • лабараторные
  • doc
  • 138.5 КБ
  • добавлен 27.12.2007
Физические основы полупроводников и диэлектриков.
Лабораторная работа №2

Лабораторная работа №2

  • лабараторные
  • doc
  • 98 КБ
  • добавлен 28.12.2007
Физические основы полупроводников и диэлектриков.
Ю Питер, Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников

Ю Питер, Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников

  • разное
  • djvu
  • 11.48 МБ
  • добавлен 06.07.2010
Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физическ...
Перевезенцев С.В., Сухова В.Ф. Физические основы электроники. Часть 1

Перевезенцев С.В., Сухова В.Ф. Физические основы электроники. Часть 1

  • разное
  • doc
  • 1.24 МБ
  • добавлен 06.03.2009
Методическое пособие к вып. лаб. работ по курсу "Физические основы электроники ". ВГАВТ, Н.Новгород, 2002.

В методическом пособии изложены общие вопросы из курса "Физические основы электроники" и приведена методика выполнения лабораторных работ.

Содержание:
Краткие теоретические сведения
Лабораторная ...
Лабораторная работа №1 (ФОЭ, СибГУТИ)

Лабораторная работа №1 (ФОЭ, СибГУТИ)

  • лабараторные
  • doc
  • 238 КБ
  • добавлен 28.01.2011
СибГУТИ, "Физические основы электроники" 2010г.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
доц. Савиных В. Л.
Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников

Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников

  • разное
  • pdf
  • 40.33 МБ
  • добавлен 19.09.2011
3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с.

Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический...
Лабораторная работа - Определение эффективного времени жизни полупроводников

Лабораторная работа - Определение эффективного времени жизни полупроводников

  • лабараторные
  • doc
  • 688 КБ
  • добавлен 26.11.2010
Определение эффективного времени жизни неосновных носителей тока в базе полупроводникового прибора по закону изменения «остаточной» ЭДС при включении прямого тока через диод;
Исследование температурной зависимости времени жизни.