Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. —
М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ
физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных,
колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и
полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический,
чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая
теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов.
Отдельно рассмотрены технологические вопросы получения
полупроводников и полупроводниковых наносистем и их приборные
применения, отдельное рассмотрение уделено полупроводниковым
гетеропереходам.
Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и
подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение
дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава
содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие
из этих задач "за руку" приведут студентов к научным
результатам.
Книга предназначена как для студентов, так и для научных
работников.
Ю Питер, Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников
Смотрите также
Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов
Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с. Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников. Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлени...
Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках
Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также для студентов физических факультетов.rn
Игумнов В.Н. Физические основы микроэлектроники
Йошкар-Ола: Марийский государственный технический универ-ситет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической фи-зики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контакт-ные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, не-обходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направле-ний микроэлектроники. Для студентов с...
Лабораторная работа №1
Физические основы полупроводников и диэлектриков.
Лабораторная работа №2
Физические основы полупроводников и диэлектриков.
Лекции Основы физики полупроводников
На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Виды полупроводников. Носители заряда в полупроводнике. Концентрация зарядов в полупроводнике. Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике. Неравновесная концентрация зарядов в полупроводнике. Токи в полупроводнике. Дрейфовый ток. Диффузионный ток. Уравнение непрерывности. Электронно-дырочный переход. Электронно-дырочный пере...
Свойства полупроводников, расчёт характеристик p-n перехода
Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. Курсовая работа. по физическим основам электроники: Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода. Вариант №12. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.rn
Стильбанс Л.С. Физика полупроводников
Данная книга представляет собой систематической рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектрических свойств и контактных явлений. Книга рассчитана на широкий круг читателей - инженеров, научных работников и студентов старших курсов технических ВУЗов.
Тырышкин И.С. Основы полупроводниковой электроники
Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники» Включены следующие разделы: Электрофизические свойства полупроводников оптические свойства полупроводников контактные явления типовые технологические процессы.
Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников
3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов...