Ю Питер, Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников

Ю Питер, Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников
  • разное
  • djvu
  • 11.48 МБ
  • добавлен 06.07.2010
Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов. Отдельно рассмотрены технологические вопросы получения полупроводников и полупроводниковых наносистем и их приборные применения, отдельное рассмотрение уделено полупроводниковым гетеропереходам.

Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач "за руку" приведут студентов к научным результатам.

Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников.

Смотрите также


Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников

Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников

  • разное
  • pdf
  • 40.33 МБ
  • добавлен 19.09.2011
3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с.

Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический...
Лекции Основы физики полупроводников

Лекции Основы физики полупроводников

  • лекции
  • doc
  • 423 КБ
  • добавлен 31.01.2011
На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников.
Общие сведения о полупроводниках.
Виды полупроводников.
Носители заряда в полупроводнике.
Концентрация зарядов в полупроводнике.
Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике.
Неравновесная концентрация зарядов в полупр...
Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов

Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов

  • разное
  • djvu
  • 4.58 МБ
  • добавлен 15.10.2010
Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с.

Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии...
Игумнов В.Н. Физические основы микроэлектроники

Игумнов В.Н. Физические основы микроэлектроники

  • разное
  • pdf
  • 7.54 МБ
  • добавлен 06.08.2011
Йошкар-Ола: Марийский государственный технический универ-ситет, 2010. – 272 с.
Представлены базовые понятия квантовой механики, статической фи-зики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контакт-ные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, не-обходимые при изучении курса «Физические основы ...
Лабораторная работа №2

Лабораторная работа №2

  • лабараторные
  • doc
  • 98 КБ
  • добавлен 28.12.2007
Физические основы полупроводников и диэлектриков.
Лабораторная работа №1

Лабораторная работа №1

  • лабараторные
  • doc
  • 138.5 КБ
  • добавлен 27.12.2007
Физические основы полупроводников и диэлектриков.
Стильбанс Л.С. Физика полупроводников

Стильбанс Л.С. Физика полупроводников

  • разное
  • djv
  • 3.71 МБ
  • добавлен 19.01.2010
Данная книга представляет собой систематической рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектрических свойств и контактных явлений.
Тырышкин И.С. Основы полупроводниковой электроники

Тырышкин И.С. Основы полупроводниковой электроники

  • разное
  • pdf
  • 397.15 КБ
  • добавлен 03.01.2009
Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники»
Включены следующие разделы:
Электрофизические свойства полупроводников
оптические свойства полупроводников
контактные явления
типовые технологические процессы.
Нет изображения

Свойства полупроводников, расчёт характеристик p-n перехода

  • разное
  • docx
  • 423.15 КБ
  • добавлен 04.05.2011
Читинский Государственный Университет.
Институт Технологических и Транспортных Систем.
Кафедра физики и техники связи.
Курсовая работа.
по физическим основам электроники:
Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода.
Вариант №12.
В работе производится расчет характеристик p-n перехода п...
Нет изображения

Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках

  • разное
  • tif
  • 32.83 МБ
  • добавлен 20.03.2011
Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также для студентов физических факультетов.rn