Статья
  • формат doc
  • размер 423 КБ
  • добавлен 31 января 2011 г.
Лекции Основы физики полупроводников
На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников.
Общие сведения о полупроводниках.
Виды полупроводников.
Носители заряда в полупроводнике.
Концентрация зарядов в полупроводнике.
Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике.
Неравновесная концентрация зарядов в полупроводнике.
Токи в полупроводнике.
Дрейфовый ток.
Диффузионный ток.
Уравнение непрерывности.
Электронно-дырочный переход.
Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего поля.
Прохождение тока через электронно-дырочный переход.
Инжекция носителей заряда.
Процессы у электродов.
Статическая вольт–амперная характеристика электронно–дырочного перехода.
Концентрация неосновных носителей заряда на границе перехода.
Градиент концентрации неосновных носителей заряда за переходом.
Уравнение вольт–амперной характеристики электронно-дырочного перехода.
Смотрите также

Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов

  • формат djvu
  • размер 4.58 МБ
  • добавлен 15 октября 2010 г.
Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с. Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников. Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлени...

Игумнов В.Н. Физические основы микроэлектроники

  • формат pdf
  • размер 7.54 МБ
  • добавлен 06 августа 2011 г.
Йошкар-Ола: Марийский государственный технический универ-ситет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической фи-зики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контакт-ные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, не-обходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направле-ний микроэлектроники. Для студентов с...

Лабораторная работа №1

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 39.07 КБ
  • добавлен 27 декабря 2007 г.
Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Лабораторная работа №2

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 98 КБ
  • добавлен 28 декабря 2007 г.
Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Лекции по ФОЭ

Статья
  • формат doc
  • размер 383.66 КБ
  • добавлен 28 сентября 2008 г.
Темы: Электропроводность полупроводников. Р-п переходы.Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Обратная связь. Операционные усилители. Применение операционных усилителей. и пр.// Лекции в формате .doc иллюстрированные.

Свойства полупроводников, расчёт характеристик p-n перехода

Курсовая работа
  • формат docx
  • размер 423.15 КБ
  • добавлен 04 мая 2011 г.
Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. Курсовая работа. по физическим основам электроники: Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода. Вариант №12. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.rn

Стильбанс Л.С. Физика полупроводников

  • формат djv
  • размер 3.71 МБ
  • добавлен 19 января 2010 г.
Данная книга представляет собой систематической рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектрических свойств и контактных явлений. Книга рассчитана на широкий круг читателей - инженеров, научных работников и студентов старших курсов технических ВУЗов.

Тырышкин И.С. Основы полупроводниковой электроники

  • формат pdf
  • размер 397.15 КБ
  • добавлен 03 января 2009 г.
Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники» Включены следующие разделы: Электрофизические свойства полупроводников оптические свойства полупроводников контактные явления типовые технологические процессы.

Ю Питер, Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников

  • формат djvu
  • размер 11.48 МБ
  • добавлен 06 июля 2010 г.
Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных р...

Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников

  • формат pdf
  • размер 1.43 МБ
  • добавлен 19 сентября 2011 г.
3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов...