Радиоэлектроника
Курсовая работа
  • формат docx
  • размер 423.15 КБ
  • добавлен 04 мая 2011 г.
Свойства полупроводников, расчёт характеристик p-n перехода
Читинский Государственный Университет.
Институт Технологических и Транспортных Систем.
Кафедра физики и техники связи.
Курсовая работа.
по физическим основам электроники:
Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода.
Вариант №12.
В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.
Смотрите также

Курсовая работа - Расчет характеристик P-n перехода

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 119.46 КБ
  • добавлен 17 января 2011 г.
Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.

Лабораторная работа - Исследование температурных свойств электронно-дырочных переходов

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 106.07 КБ
  • добавлен 26 января 2011 г.
1) изучение свойств плоскостных р-n переходов путем практического снятия и исследования их вольтамперных характеристик; 2) исследование влияния на свойства р-n перехода температуры.

Лабораторная работа - Исследование фотоэлектрических свойств полупроводников

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 71.67 КБ
  • добавлен 26 января 2011 г.
Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.

Лекции Основы физики полупроводников

Статья
  • формат doc
  • размер 423 КБ
  • добавлен 31 января 2011 г.
На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Виды полупроводников. Носители заряда в полупроводнике. Концентрация зарядов в полупроводнике. Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике. Неравновесная концентрация зарядов в полупроводнике. Токи в полупроводнике. Дрейфовый ток. Диффузионный ток. Уравнение непрерывности. Электронно-дырочный переход. Электронно-дырочный пере...

Лекции по ФОЭ

Статья
  • формат doc
  • размер 997.82 КБ
  • добавлен 17 сентября 2006 г.
Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника. Метод расчета концентраций. Условие электрической нейтральности. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках. Положение уровня Ферми в полупроводниках. Распределение н...

Савиных В.Л. Физические основы электроники

  • формат doc
  • размер 685.88 КБ
  • добавлен 26 августа 2009 г.
Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...

Стриха В.И. Контактные явления в полупроводниках

  • формат pdf
  • размер 10.85 МБ
  • добавлен 31 мая 2010 г.
Kиев: Выща школа. Головное издательство, 1982. — 224 с. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, p—n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—n перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—n перехода и гетероперехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих...

Тырышкин И.С. Основы полупроводниковой электроники

  • формат pdf
  • размер 397.15 КБ
  • добавлен 03 января 2009 г.
Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники» Включены следующие разделы: Электрофизические свойства полупроводников оптические свойства полупроводников контактные явления типовые технологические процессы.

Шпоры по ФОЭ

pottee
  • формат jpg
  • размер 35.16 МБ
  • добавлен 28 сентября 2008 г.
Вопросы по ФОПП (ФОЭ) Электропроводность полупроводников. Полупроводниковые резисторы. Электропроводность полупроводников. Терморезисторы и фоторезисторы. Электропроводность полупроводников. Магниторезисторы и Датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Пробой р-п-перехода. Типы полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды, их характеристики и параметры. Типы...

Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников

  • формат pdf
  • размер 1.43 МБ
  • добавлен 19 сентября 2011 г.
3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов...