• формат djvu
  • размер 2.24 МБ
  • добавлен 18 мая 2010 г.
Покорный Е.Г., Щербина А.Г. Расчет полупроводниковых охлаждающих устройств
Л.: Наука, 1969, 206 с.

В книге рассматриваются вопросы расчета и проектирования термоохлаждающих устройств. Значительное внимание уделяется изучению влияния конструктивных и технологических факторов на эффективность и надежность термобатарей. Теоретические исследования дополняются примерами конкретных расчетов и данными практических испытаний термоохлаждающих устройств.
Издание рассчитано на широкий круг специалистов, занимающихся разработкой и применением термоохлаждающих устройств.
Смотрите также

Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов

  • формат djvu
  • размер 3.81 МБ
  • добавлен 01 июля 2011 г.
Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...

Козырь И.Я. и др. Общая технология

  • формат djvu
  • размер 2.4 МБ
  • добавлен 29 августа 2011 г.
Козырь И.Я., Горбунов Ю.И., Чернозубов Ю.С. Пономарев А.С. Общая технология. Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .1. - М.: Высшая школа, 1989. -223 с.: ил. Рассмотрены основные направления развития микроэлектроники, описаны основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и ИМС, особенности изготовления индикаторных устройств. Особое внимание уделено авто...

Курносов А.И. Материалы

  • формат djvu
  • размер 859.78 КБ
  • добавлен 29 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

Курсовая работа - Полупроводниковые диоды

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 625 КБ
  • добавлен 28 сентября 2011 г.
Содержание. Введение. Назначение и область применения. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия. Конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации. Эффекты...

Курсовая работа - Расчет полупроводниковых диодов

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 425.63 КБ
  • добавлен 27 июня 2010 г.
Расчет полупроводниковых диодов. Введение. Полупроводниковые диоды. Анализ конструкций и технологии Изготовления. Полупроводниковые диодыи. Анализ конструкций. Технология изготовления. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Расчет электрофизических параметров полупроводникового диода. Исходные данные. Расчет. Заключение. Список литературы.

Лабораторная работа - Описание конструкции элементов полупроводниковых ИМС с эскизами поперечных сечений

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 65.19 КБ
  • добавлен 14 мая 2011 г.
ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, дисциплина: конструкторско технологическое обеспечение производства ЭВМ цели: 1. Изучить свойства и конструкцию исходных пластин (заготовок) для изготовления полупроводниковых ИМС. 2. Изучить конструкцию семи типов полупроводниковых ИМС по заданному варианту. 3. Изучить конструкцию и зарисовать эскизы топологии трех активных и одного пассивного элементов полупроводниковых ИМС по заданному варианту...

Никифорова-Денисова С.Н., Любушкин Е.Н. Термические процессы

  • формат djvu
  • размер 907.3 КБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 5. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы формирования диэлектрических и поликристаллических кремниевых пленок на поверхности полупроводниковых пластин, а также эпитаксиального наращивания. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности выполнения...

Николаевский И.Ф. Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 22

  • формат djvu, txt
  • размер 4.54 МБ
  • добавлен 18 марта 2011 г.
Полупроводниковая электроника в технике связи. Сборник статей под ред. И. Ф. Николаевского. Выпуск 22, 1982 год. Рассматриваются вопросы проектирования и исследования цифровых и оптоэлектронных линий связи и устройств, КБ и УКВ передатчиков и генераторов, аттенюаторов, импульсных устройств, источников питания. Приводятся справочные данные о новых полупроводниковых приборах. Для инженерно-технических работников, занимающихся исследованием, рас...

Покорный Е.Г. Номографический метод расчета полупроводниковых термоохлаждающих устройств

  • формат djvu
  • размер 642.02 КБ
  • добавлен 27 декабря 2009 г.
Работа содержит новую систематизированную методику расчета полупроводниковых термоохлаждающих устройств, основанную на использовании специальных номограмм и графиков, облегчающих и значительно ускоряющих процесс расчета по сравнению с обычным аналитическим методом. Представленные номограммы и графики могут применяться также для теоретического анализа функциональных связей между термоэлектрическими параметрами, для анализа выбранного режима, поиск...

Федоров М.А. Полупроводниковые диоды и триоды

  • формат djvu
  • размер 210.35 КБ
  • добавлен 06 февраля 2010 г.
Небольшая статья, в которой рассказывается о работе полупроводниковых диодов и триодов (транзисторов), замечательных электронных устройств, изобретение которых стало возможным только после кропотливого изучения свойств определенного типа веществ — полупроводников. Сконструированные несколько десятков лет назад, эти устройства в настоящее время стали незаменимыми элементами огромного количества физических и радиотехнических приборов. Если Вы б...