Радиоэлектроника
rgr
  • формат doc
  • размер 162.69 КБ
  • добавлен 23 мая 2007 г.
Расчетно-графическая работа (5 вариант)
Расчетная часть.
Дан металлический шар. Он окружен оболочкой из диэлектрика, верхняя поверхность - сфера, всё остальное пространство – вакуум. Построить зависимости и проанализировать их особенности в областях и в пограничной точке.
Построить картины вектора E и D в трех областях.
Построить зависимость плотности распределения энергии в зависимости от Х для трех областей.
Изменить радиус R так, чтобы количество энергии, заключенной во всем слое диэлектрика и количество энергии в окружающем пространстве были одинаковы.
Смотрите также

Контрольная работа - Физические основы микроэлектроники

Контрольная работа
  • формат pdf
  • размер 320.31 КБ
  • добавлен 08 января 2011 г.
РГАТА, Рыбинск, 3-й курс, Вариант 30. Задачи 1а, 7б, 11б, 20а, 23в + Ответы на теоретические вопросы. Решение задач на темы: "Основы зонной теории и статистика носителей заряда", "Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках", "Электропроводимость полупроводников", "Контактные явления", "Биполярный транзистор"

Контрольная работа по ФОЭ (СибГУТИ)

Контрольная работа
  • формат doc, xls
  • размер 967.21 КБ
  • добавлен 28 января 2011 г.
Контрольная работа по ФОЭ (СибГУТИ) доц. Савиных В. Л. 4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант Приложены файлы для построения графиков. кому надо, тот разберётся.

Расчетно графическая работа - Транзистроы

rgr
  • формат doc
  • размер 1.74 МБ
  • добавлен 15 мая 2010 г.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, и построить их зависимости от напряжения на затворе. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h – параметры и построить зависимости этих параметров от тока базы. СибГути, АЭС, 2 Курс, 2 семестр, 5 стр.

Расчетно-графическая работа - p-n переход

rgr
  • формат doc
  • размер 1.85 МБ
  • добавлен 28 июня 2008 г.
Материал из Википедии — свободной энциклопедии Материал из учебного пособия «Физика твердого тела» Епифанов Г.И. Задача: 6й вариант

Расчетно-графическая работа - Исследование биполярных транзисторов

rgr
  • формат doc
  • размер 158 КБ
  • добавлен 19 декабря 2006 г.
Исследование биполярных транзисторов в схеме c общим эмиттером. Изучение статических вольтамперных характеристик и определение параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.

Расчетно-графическая работа - Исследование стабилитронов

rgr
  • формат doc
  • размер 104 КБ
  • добавлен 19 декабря 2006 г.
Определение параметров стабилитронов КС147А и Д814Б по рабочим ветвям вольтамперных характеристик (ВАХ).

Расчетно-графическая работа - Лазеры, Сверхпроводимость

rgr
  • формат doc
  • размер 3.17 МБ
  • добавлен 17 января 2007 г.
Две самостоятельные работы студента (СРС) по дисциплине "Физические основы электроники". В виде рефератов. Сданы на "отлично"

Расчетно-графическая работа - свойства биполярных и полевых транзисторов

Контрольная работа
  • формат doc
  • размер 116.08 КБ
  • добавлен 15 декабря 2010 г.
Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: построить линию нагрузки; построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; рассчитать для линейного (мало ис...

Расчетно-графические работы (3 варианта)

rgr
  • формат doc
  • размер 496.67 КБ
  • добавлен 16 января 2007 г.
Расчетно-графические работы по ФОЭ. Дана заряженная сфера. 3 варианта, с разными исходными данными. Сдаются обычно вместе с СРС.

Свойства полупроводников, расчёт характеристик p-n перехода

Курсовая работа
  • формат docx
  • размер 423.15 КБ
  • добавлен 04 мая 2011 г.
Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. Курсовая работа. по физическим основам электроники: Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода. Вариант №12. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.rn