Сердюк В.В. Физика солнечных элементов

Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 61 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21040665 "Сети связи и системы коммутации", 21040465 "Многоканальные телекоммуникационные системы". В пособие включены такие разделы, как переходы в полупроводниках и полупроводниковых структурах, физика полупроводниковых оптоэлектронных приборов, основы физики сверхпроводимости и криоэлектроники. Пособие представляет расширенный курс лекций,...

Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с. ISBN5-88151-173-5 Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и микросхем. Дано представление об уровне развития современной микроэлект...

Учеб. пособие. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2005. 113стр. Пособие соответствует государственому образовательному стандарту по дисциплине "Физико-химические основы технологии полупроводников" для студентов, обучающихся по программе бакалавров по направлению 550100 - "Техническая физика" Предназначено для студентов физико-технического факультета.

Л.: Энергия, 1973 г. , 160 с. В книге рассматривается влияние повышенной влажности окружающей среды на долговечность элементов радиоэлектронной аппаратуры. Описаны характерные причины снижения долговечности и конструктивные методы, позволяющие уменьшить интенсивность отказов, приведен анализ типичных повреждений функциональных узлов и материалов элемента Значительное внимание уделено физическим процессам взаимодействия материалов с повышен...

Киев, Наукова Думка, 256 стр., 1981 г. Изложена физика инжекционно-контактные явлений в полупроводниках, а также физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода с уче...

Курсовая работа. Содержание. Введение. Теоретическая часть: Принцип действия усилителя. Схема включения. Практическая часть: Схема. Расчет элементов схем. Выбор элементов схем. Заключение. Литература.

М: Наука. Главная редакция физико-математической литературы. 1985 184 страницы Предлаглемая вниманию читателей книга представляет coбой часть III монографии известного Физика О. Маделунга «Физика твердого тела». В отличие от первых двух частей (изданных Главной редакцией физ. -мат. литературы в одной книге в 1980 г. ). Содержание которых не выходит за рамки традиционного круга вопросов (явления в идеальной бесконечной решетке), предметом части I...

Программа для расчета элементов ГИС. Руководство по использованию программы: Установка и запуск программы. Расчет тонкопленочных резисторов. Расчет переходных контактов. Расчет пленочных конденсаторов. Расчет теплового режима работы ИС. Литература. Программа, разработанная в данном дипломном проекте, соответствует требованиям современных операционных систем об использовании стандартных элементов пользовательского интерфейса, что значительно облег...

Материал из Википедии — свободной энциклопедии Материал из учебного пособия «Физика твердого тела» Епифанов Г.И. Задача: 6й вариант

Учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород: ННГУ, 2009. – 18 с. Данное учебно-методическое пособие является дополнением к курсу «Физика низкоразмерных систем», читаемом на физическом факультете ННГУ для студентов, обучающимся по направлению подготовки 210600 «Нанотехнология». В пособии рассматривается метод построения энергетической диаграммы идеального гетероперехода по правилу электронного сродства и приводится методика расчета параметров...