Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы

формат pdf
размер 13.04 МБ
добавлен 12 декабря 2009 г.

Перевод с англ. / Под ред. Ю. В. Гуляева - М.: Советское радио, 1979г. , 232 стр.
Дается классификация и обсуждаются теоретические модели гетеропереходов. Описаны современные методы получения гетероструктур и их электрические и оптоэлектронные свойства. Много внимания уделяется методам измерения электрических параметров, характеризующих гетероструктуру. Рассмотрены области применения гетеропереходов: преобразователи световой энергии в электрическую и инфракрасного излучения в видимое, транзисторы, инжекционные лазеры и др. Оцениваются возможности этих приборов по сравнению с аналогичными, выполненными на основе гомопереходов. Значительная часть материала книги представлена в виде таблиц, придающих ей справочный характер.
Рассчитана на научных работников и инженеров, связанных с исследованием и применением гетеропереходов и занимающихся разработкой новых радиоэлектронных устройств, может быть полезной аспирантам и студентам старших курсов вузов.

Смотрите также

Гаман В.И. Физика Полупроводниковых Приборов (2-е изд)

формат djvu
размер 5.74 МБ
добавлен 19 марта 2010 г.

2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. - 456 с. Очень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности;...

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники (конспект лекций)

формат pdf
размер 7.67 МБ
добавлен 30 ноября 2011 г.

Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с. Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы: Физические основы работы полупроводниковых приборов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.

Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе теллурида висмута (Bi2Te3)

формат djvu
размер 5.05 МБ
добавлен 09 февраля 2010 г.

Полупроводниковые термоэлектрические материалы на оенове Bi2Te3, Гольцман Б. М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Изд. -во «Наука», Главная редакция физико-математической литературы, 1972. В монографии подробно обсуждаются явления переноса, а также оптические и резонансные явления, которые в анизотропных материалах со сложной зонной структурой (каковыми являются Bi2Te3 и твердые растворы на его основе) имеют ряд существенных особенностей. Большое вн...

Лабораторные работы по ФОЭ

Лабораторная

формат doc
размер 338.91 КБ
добавлен 22 мая 2009 г.

Полупроводниковые диоды. стабилитроны. однополупериодные и двухполупериодные выпрямители. исследование биполярного транзистора.

Левитский С.М. Радиоэлектроника

формат doc, docx, tif
размер 6.81 МБ
добавлен 22 июня 2011 г.

Курс лекций С. М. Левитского(заслуженного профессора АН Украины и КНУ имени Тараса Шевченка ) по радиоэлектронике. Правда вот на украинском языке. Содержание: - полупроводниковые устройства. - генераторы электрических сигналов. - усилители. - принципы радиосвязи. - элементы и узлы радиоустройств.

Лекции - Полупроводники

Статья

формат pdf
размер 5.91 МБ
добавлен 02 ноября 2011 г.

Лекции. Полупроводники. Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.

Лекция - Сложные полупроводники (Материалы и элементы электротехники)

Статья

формат doc
размер 117.04 КБ
добавлен 21 октября 2009 г.

Полупроводниковые соединения AIVBIV, Методы выращивания монокристаллов SiC, Применение SiC, Полупроводниковые соединения AIIIBV, Получение соединений AIIIBV, Применение полупроводников AIIIBV, Полупроводниковые соединения AIIBV, Стеклообразные и аморфные полупроводники, Получение гидрогенизированного кремния и его применение.

Маругин А.П., Меженный Е.В. Физические основы электроники часть 2

Практикум

формат pdf
размер 919.74 КБ
добавлен 23 февраля 2011 г.

УГГУ Екатеринбург 2010 Методические указания по дисциплине «Физические основы электроники» составлены в соответствии с программой курса и включают справочные материалы к расчетным заданиям по разделам: «Полупроводниковые приборы», «Усилитель-ные устройства» и «Импульсная техника». Расчетные задания предназначены для развития у студентов специальности 140604 – «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологиче-ских комплексов» (ЭГП)...

Савиных В.Л. Физические основы электроники

формат doc
размер 685.88 КБ
добавлен 26 августа 2009 г.

Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...

Физические основы микроэлектроники (ФОМ)

формат pdf
размер 1.01 МБ
добавлен 19 января 2007 г.

Электроника и микроэлектроника, схемотехника. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые структуры. Электронные усилители и генераторы. Импульсная техника.