Рамбиди Н.Г., Берёзкин А.В. Физические и химические основы нанотехнологий

Подождите немного. Документ загружается.

периалы

ые

Матричное

iilii

по Гляйтеру

'алл-органические и

кристаллизующиеся

;ры. Подобные веще-

|)ными прослойками

окристаллическими.

ристальными грани-

островковые пленки

но-кристаллические,

материалов включа-

юмпозитов (от лат.

1СТ0ЯТ

из сплошной

юй, керамической и

I, размеры и форма

1фицируются по фа-

ер, металл—окисел

шотолщинные плен-

штериалы

am металлов и спла-

( межатомные связи

однородных как по

юсти которых можно

жорость охлаждения

«ости от конкретного

т 10^ градусов в се-

орфные порошки, из

бежный метод полу-

ыляется при помощи

:н. В зависимости от

вления и распыления

, позволяющая полу-

шнингование. В этом

ивается на вращаю-

)уктура отвердевшего

щости, частотой вра-

чующиеся аморфные

которых составляет

адают повышенными

лежит в основе ме-

1ИЙ из обогреваемого

Скребок

Наночастицы

Инер

газ

Воронка V,

Рис. 5.4. Схема полу

плавом материала

лазерным излучер

вихревыми токам:

плавления может

делают проволок

Вихревые токи ис

высоким электрич

шой высокочастот

считается одним v

нагретой вольфра

участок поверхнос

Испаряющийс5

на охлаждаемой i

кинетическую эне

процесс проводит!

невысоком давлен

Вакуумное осс

лических пленок

тегральные микрс

ноструктуры самс

Ge02, СагОз, Zrr

и нанотрубки SnC

1ые материалы

акции либо В результате

ция вещества превысила

эре возникают зародыши

1ум механизмам: осажде-

нный рост), а также за

мелкими неустойчивыми

0 степени пересыщения

ется. Из-за этого самые

ян, теряют устойчивость

1 более крупных частиц

тепени пересыщения об-

мически маловероятным

ся частицы продолжают

шовесную.

частицами и раствором

[ельными частицами, ко-

ойчивыми. В ходе диф-

за счет чего растут бо-

)естроек — образование

взаимодействия которо-

'зионные процессы идут

Тем не менее, агрегация

!частую препятствуя их

шу широко применяются

прежде всего, введение

гную оболочку, которая

синтезируют в твердых

[6 «заморожены» диффу-

:персных частиц или, по

азмерам. Использование

э1 и свойств наноматери-

»ной полнотой использо-

i условие формирования

ивного множественного

"ролируемым ростом ча-

методов, широко при-

я тонких высокочистых

position, PVD). Процесс

1ещества, его транспорт

40частиц этим методом

i помещен тигель с рас-

мериалы

(ческого вакуумного

(исходный реагент)

. На ее поверхности

1еагента. Нелетучий

структуры, а побоч-

пизировать частицы

чки InGaAs, на под-

:Нз)зОа и (СНз)з1п,

ы 500-700 °С. Этим

SiQNy, углеродные

/З-SiC, SiN, Si.

1атериал испаряется

тем конденсируется

[у лазерная абляция

е как разновидность

1спарение материала

1Й нет. Однако в по-

ъ лазерная абляция

(^чае закономерности

первую очередь это

вор, вследствие чего

)гнуться облучению,

зго материала суще-

ньше длины свобод-

п коллективные ко-

ой частотой. В спек-

I плазменная полоса

[асти УФ излучения,

частицы интенсивно

I локально испаряют

те давления паров

лава на еще более

створа приводит как

:ния по размерам,

(лучения сильно за-

абляции происходит

та или серебра «вы-

лщина которых на-

лазерной абляции в

чизирующими и ле-

равления не только

цы благородных ме-

оксидов ТЮх, TiC,

яериалы

зктро впрыскивают

I этом температура

откая интенсивная

[астиц CdSe. После

я, и порошок нано-

крсные наночасти-

зе двухэлементных

)в И группы высту-

соли. Реагентами,

органических фос-

>когениды (TMS2E,

;тоде используются

[честве высококипя-

РО, алкилфосфиты,

;ики

Cd — это

CdO,

е, CdS, CdTe, ZnSe,

А"В^' (InP, InAs)

iCls

TMS3P

или

1Воляет

также полу-

FePt,

РегОз, TIO2,

)ые частицы струк-

;e/ZnSe, CdSe/CdS,

получают в резуль-

)рмируются наноча-

, и на поверхности

фазы. Гетерогенная

ий. Во-первых, уже

тавость в условиях

шостные свободные

1ная нуклеация ока-

И, наконец, частицы

аимодиффузии.

анических реакциях

иконденсацию, суш-

la или неметалличе-

следует поликонден-

юрганический поли-

золируется составом

lecKHM разложением

получения наноча-

2, CuO, SnOs, ZnO,