54
транзистора в значительной степени определяет область, которая находится
под слоем эмиттера. Внешний по отношению к этой области беспримесный
слой только добавляет паразитные емкости и сопротивления. Сложность
достижения минимальных геометрических размеров определяется главным
образом трудностью совмещения масок на пластине. Основное отличие
изопланарной технологии от обычной планарной заключается в том, что
изолирующий диффузионный слой n-типа заменен изолирующим слоем
двуокиси кремния для боковых (вертикальных) стенок структуры
транзистора. Изопланарный транзистор показан на рис. 3.2.18,6. Поскольку в
отличие от изолирующей диффузии р-типа окисная изоляция является
непроводящей, область базы не требуется окружать коллекторным слоем.
При этом отсутствует прямой контакт области базы с пластиной р-типа.
(Следует заметить, что пластина р-типа не является изолятором.) Тем самым
устраняется проблема неточности размещения масок, обеспечивающих
электрическую изоляцию слоя базы и изолирующего перехода р-типа. Даже
если маска базы превышает размер области коллектора, базовый слой
образуется при совмещении маски базы с областью коллектора в пределах
области, окруженной окисной изоляцией. Так как в этом случае область
коллектора может быть значительно уменьшена, то паразитные емкости С
бк
и
С
кп
также существенно уменьшаются.
В транзисторе (рис. 3.2.18, е), изготовленном с использованием
технологии «Изопланар II», для уменьшения паразитной емкости С
бэ
эмиттерная область вытянута до стенок изолирующего слоя. Так как
длинный узкий прямоугольник наносить на маски и пластины легче, чем
более короткий прямоугольник той же ширины, эмиттерную область при
использовании технологии «Изопланар II* можно уменьшить по сравнению с
этой областью, выполненной по обычной изопланарной технологии. Ис-
пользование технологии «Изопланар II» приводит к уменьшению области
коллектора более чем на 70% по сравнению с обычным пленарным
транзистором и более чем на 40% по сравнению с обычным изопланарным
транзистором. Даже паразитная емкость С
бк
, которая влияет на
быстродействие транзистора, в транзисторе «Изопланар II» уменьшается на
60% по сравнению с планарным и изопланарным транзисторами.
Уменьшение указанных областей в сочетании с использованием
поверхностных соединений и прецизионной обработкой позволяет получать
транзисторы Шоттки с очень большим быстродействием.
Несмотря на увеличение количества типов интегральных логических
схем, ТТЛ-схемы будут по-прежнему использоваться в I тех случаях, когда
требуется большая мощность на выходе и I достаточно высокое
быстродействие. В настоящее время происходит дальнейшее повышение
быстродействия МОП-схем, которое в некоторых случаях даже превосходит
быстродействие ТТЛ-схем. Однако сверхбыстродействующие МОП-вентили
не могут обеспечить большую мощность на выходе. Следует заметить, что
ТТЛ-вентили дешевле ЭСЛ-вентилей.