61
в то время как эмиттер транзистора является его другим выводом (рис.
1.2.10,а).
12. Пересечение соединений выполняется согласно рис. 3.3.9. При этом, так
как диффузия n+ - слоя может производиться одновременно с эмиттерной
диффузией, дополнительных технологических этапов при его изготовлении
не требуется. Пересечение точно таким же образом может выполняться и в
случае диффузионного базового резистора, показанного на рис. 3.3.6. Для это
го второе соединение должно размещаться между двумя выводами первого
перпендикулярно к соединяющей их линии и peaлизовываться в скрытом п
+
-
слое. Можно обойтись без использования скрытого слоя, если паразитный
транзисторный эффект является незначительным. В случае когда необходимо
наличие резистора в каком-нибудь соединении, удобно использовать
резистор, изображенный на рис. 3.3.6.
Как правило, пересечение вносит дополнительное сопротивление. Поэтому в
цепях питания и заземления пересечений следует избегать. Поскольку
пересечения нежелательны также и других случаях, следует уменьшить их
количество, насколько это возможно, путем перекомпоновки электрических
схем.
13. Большой скрытый слой в транзисторе или диоде образует значительную
паразитную емкость. Для быстродействующих вентилей, например ЭСЛ-
вентилей, уменьшение паразитной емкости очень важно для повышения
быстродействия.
Проектирование электрических схем
Так как основной целью проектирования электрических схем является
создание схемы с определенными характеристиками, такими, как
быстродействие и мощность рассеяния, то проектирование схемы по
существу выполняется одновременно с разработкой топологии и
определением геометрических размеров элементов схемы. Говоря более
точно, подходящие электрические схемы следует выбирать после детальной
оценки быстродействия, мощности рассеяния и формы сигналов. Затем
конфигурация и геометрические размеры всех элементов (т. е. транзисторов,
диодов, резисторов и др.) определяются путем точных расчетов паразитных
емкостей и сопротивлений, формы сигналов, мощности рассеяния и других
характеристик с помощью программ автоматизированного проектирования
(или программ моделирования электронных схем), таких, как SPICE2.
Например, если транзистор проектируется с целью получения на выходе
большой мощности, то размеры скрытого слоя, а также областей базы и
эмиттера должны быть больше, чем размеры этих слоев в
вышеприведенном примере структуры транзистора. В том случае, если
используются длинные соединения, необходимо с помощью программы
SPICE2 проверить, не уменьшится ли из-за этого быстродействие схемы.
Однако, так как настоящая книга не ориентирована на подробный анализ
процедур проектирования электрических схем, к этому вопросу мы