• формат pdf
  • размер 840.16 КБ
  • добавлен 15 марта 2011 г.
Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Радиационная стойкость биполярных транзисторов
М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2000. - 102 с.
Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов. Рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы); рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов; дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах.
Смотрите также

Барсуков С.Н., Кравчук А.С. Элементная база радиоэлектроники. Часть 2. Биполярные транзисторы. Тиристоры. Учеб. пособие

  • формат pdf
  • размер 897.45 КБ
  • добавлен 27 мая 2010 г.
Рассмотрены физические основы работы биполярных транзисторов и тиристоров. Приведены основные параметры, характеристики и описаны особенности применения электронных приборов. Для студентов факультета радиотехнических систем летательных аппаратов.

Бергельсон И.Г., Минц В.И. Транзисторы биполярные

  • формат djvu, txt
  • размер 1.28 МБ
  • добавлен 30 сентября 2011 г.
М., «Сов. радио», 1976г - 56 с. с ил. Кратко описаны конструктивные принципы биполярных транзисторов, их электрические и эксплуатационные характеристики и параметры. Приводятся способы включения транзисторов, проверки их годности при эксплуатации и хранении, а также способы предотвращения воздействия разрядов статического электричества. Брошюра рассчитана на широкий круг читатслей, связанных с применением и эксплуатацией транзисторов в радиоэл...

Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Пер. с англ

  • формат djvu
  • размер 11.57 МБ
  • добавлен 04 октября 2009 г.
2-е перераб. и доп. изд. - М. Мир, 1984. Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. Книга 1 (456 с. ) посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки). Книга 2 (456 с. ) посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекто...

Матвиенко В.А. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

  • формат pdf
  • размер 457.28 КБ
  • добавлен 08 сентября 2009 г.
Методические указания к четырём лабораторным работам "Характеристики и параметры полупроводниковых диодов", "Характеристики и параметры биполярных транзисторов", "Характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющин p-n-переходом", "Операционный усилитель" для специальностей 230101 , 230102.

Овсянников Н.И. Кремниевые биполярные транзисторы: Справочное пособие

  • формат djvu
  • размер 4.81 МБ
  • добавлен 17 июля 2010 г.
Минск: "Вышейшая школа", 1989 г. , 302 с. Помещены сведения об электрических параметрах, предельно допустимых режимах и корпусном исполнении кремниевых биполярных транзисторов, выпускаемых в СССР и ведущими зарубежными фирмами. Описывается более 8000 транзисторов.

Пауль Р. (Paul R.) Транзисторы. Физические основы и свойства

  • формат djvu
  • размер 8.28 МБ
  • добавлен 05 декабря 2009 г.
Перевод с немецкого В. С. Заседа. Под редакцией И. А. Палекова. Издательство "Совесткое Радио" - 1973 МОСКВА. 505 страниц. Более подробно, чем уже в изданных книгах, рассматриваются принципы действия и параметры биполярных транзисторов, а также физика происходящих в них процессов. БОльшое влияние уделяется методам изготовления транзисторов. Подробно излагается планарная технология. Рассматриваются комбинированные мощные высокочастотные транзисто...

Реферат - Биполярные транзисторы

Реферат
  • формат rtf, doc, docx
  • размер 416.79 КБ
  • добавлен 30 марта 2009 г.
Содержание. Введение. Электронно-дырочный p- n- переход. Классификация биполярных транзисторов. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения биполярных транзисторов. Полевые транзисторы. Принцип действия и устройство полевого транзистора. Схемы включения полевых транзисторов. Усиление тока. Частотные свойства транзисторов. Шумовые характеристики транзисторов. Система обозначений биполярных и полевых транзисторов. Заключе...

Справочник - Полупроводниковые приборы: транзисторы

Словарь
  • формат djv
  • размер 9.79 МБ
  • добавлен 24 января 2010 г.
Наиболее полное издание о широкой номенклатуре отечественных биполярных и полевых транзисторах. Приведены электрические и эксплуатационные характеристики транзисторов, классификация и система обозначений. 906 с. , 1982 год.

Усов В.С., Мартынов Б.А., Новиков Ю.Н.-Транзисторные усилители, ключи, импульсные устройства.Учебное пособие и методические указания

Практикум
  • формат pdf
  • размер 949.71 КБ
  • добавлен 13 марта 2011 г.
Усилительные свойства биполярных и полевых транзисторов, транзисторные усилители Лабораторный практикум СПбГПУ, физико-технический и радио-физический факультеты 39стр

Sze, Ng. Physics of Semiconductor Devices

  • формат pdf
  • размер 34.86 МБ
  • добавлен 19 марта 2010 г.
3-е перераб. и доп. изд. на английском языке - Wiley, 2007. (3-ed) (2007) Монография написана известными американскими специалистами в области полупроводниковой электроники. В книге изложена физика биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки), физика приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов...