• формат pdf
  • размер 949.27 КБ
  • добавлен 15 марта 2011 г.
Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов
М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2001. - 70 с.
В настоящем учебном пособии рассмотрены радиационные эффекты, происходящие в полевых транзисторах, выпрямительных диодах, солнечных батареях. Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния радиации на основные параметры выпрямительных диодов; вопросов влияния радиации на основные параметры полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом, с барьером Шоттки и МДП-транзисторов; вопросов влияния радиации на основные параметры солнечных батарей. В пособии определены изменения основных параметров и характеристик рассмотренных приборов под действием проникающих излучений, указаны пути повышения их радиационной стойкости.
Смотрите также

Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов

  • формат djvu
  • размер 3.81 МБ
  • добавлен 01 июля 2011 г.
Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...

Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

  • формат djvu
  • размер 1.48 МБ
  • добавлен 29 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .3. - М.: Высшая школа, 1989. - 143 с.: ил. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения...

Кузьмин В.А., Сенаторов К.Я. Четырехслойные полупроводниковые приборы

  • формат djvu
  • размер 2.48 МБ
  • добавлен 07 июля 2010 г.
-М., Энергия, 1967. Описываются устройство, принцип действия, характеристики, параметры и некоторые применения четырехслойных полупроводниковых приборов. Дана теория статических характеристик и электрических переходных процессов при переключении приборов. Описаны экспериментальные исследования свойств приборов и методы измерения электрических характеристик и параметров. Книга предназначена для инженеров, научных работников, аспирантов и студенто...

Курносов А.И. Материалы

  • формат djvu
  • размер 859.78 КБ
  • добавлен 29 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

Курносов А.И., Юдин В.В. Технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

  • формат djvu
  • размер 3.83 МБ
  • добавлен 01 июня 2009 г.
3-е издание, переработанное, дополненное. издательство "Высшая школа", 1986. - 368 с. В книге рассмотрены основы технологического процесса производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В з-е издание вошли главы радиоционной обработке материалов и приборов, новейшие на то время конструкции корпусов интегральных микросхем, а также полупроводниковым материалам.

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья
  • формат doc
  • размер 722.76 КБ
  • добавлен 01 апреля 2007 г.
Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Минайчев В.Е. Нанесение плёнок в вакууме

  • формат djvu
  • размер 1.06 МБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 6. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы нанесения тонких пленок в вакууме в производстве полупроводниковых приборов и ИМС: термическое испарение и ионное распыление (в том числе диодное и магнетронное распыление, высокочастотный и реактивный методы ионного распыления). Рассмотрены основы построения ва...

Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы

  • формат djvu
  • размер 23.41 МБ
  • добавлен 05 марта 2010 г.
М.: Высшая школа, 1979, 279 с. В книге рассматриваются физические основы работы полупроводниковых приборов различных типов и классов. Приводятся основные параметры и характеристики приборов, а также принципы управления ими. Кратко рассмотрены конструктивное оформление полупроводниковых приборов, технология их изготовления и области применения. Даны также краткие сведения по микроэлектронике. Предназначается для учащихся радиотехнических техникумо...

Семёнов Ю.Г. Контроль качества

  • формат djvu
  • размер 989.06 КБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 10. - М.: Высшая школа, 1990. - 111 с.: ил. В книге описаны методы и технические средства контроля и измерений параметров полупроводниковых приборов и ИМС, а также различные виды их испытаний. Приведены основы статистической обработки результатов измерений и испытаний. Рассмотрены типовые измерительные схемы и компоновка высокопроизводительных...

Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы

  • формат djvu
  • размер 14.32 МБ
  • добавлен 05 января 2010 г.
Издательство М: Энергоатомиздат, 1990 576 страниц Приведены физические свойства, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов, применяемых в устройствах промышленной электроники. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей предельных режимов эксплуатации, методов управления и защиты полупроводниковых приборов. Для студентов вузов, обучающихся по специальности «Промышленная электроника...