Завражнов Ю.В., Каганова И.И., Мазель Е.З., Миркин А.И. Мощные высокочастотные транзисторы

формат djvu, txt
размер 2.53 МБ
добавлен 25 августа 2011 г.

Под ред. Е.З.Мазеля. - М.: Радио и связь, 1985. - 176 с., ил.
Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов.
Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных транзисторов.

Смотрите также

Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник

формат djvu
размер 14.38 МБ
добавлен 24 октября 2011 г.

Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник. Воронеж: ИПФ "Воронеж", 1994г. ISBN5-89981-030-0 В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых диодов, тиристоров, транзисторов и микросхем, применяемых в бытовой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике. Приведены...

Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам

формат djvu
размер 9.61 МБ
добавлен 03 декабря 2010 г.

Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Лекции по гетеропереходам

Статья

формат pdf
размер 9.26 МБ
добавлен 23 мая 2007 г.

Жуков. Инжекционный лазер. Феноменология усиления. Плотность состояний. Оптическое усиление. ДГС и РОДГС лазеры. Гетеропереходы. Уравнение Шредингера. Уровни в GaAs. Напряжнные квантовые ямы. Критическая толщина. КЯ лазеры. Модовый характер излучения. Мощные лазеры. Температурная зависимость. Идеальные КТ. Кристаллическая структура. Методы формирования КТ. Режим островкового роста. Упорядоченные массивы КТ. Электронный спектр КТ. Энергия локализа...

Пауль Р. (Paul R.) Транзисторы. Физические основы и свойства

формат djvu
размер 8.28 МБ
добавлен 05 декабря 2009 г.

Перевод с немецкого В. С. Заседа. Под редакцией И. А. Палекова. Издательство "Совесткое Радио" - 1973 МОСКВА. 505 страниц. Более подробно, чем уже в изданных книгах, рассматриваются принципы действия и параметры биполярных транзисторов, а также физика происходящих в них процессов. БОльшое влияние уделяется методам изготовления транзисторов. Подробно излагается планарная технология. Рассматриваются комбинированные мощные высокочастотные транзисто...

Реферат - Биполярные транзисторы

Реферат

формат rtf, doc, docx
размер 416.79 КБ
добавлен 30 марта 2009 г.

Содержание. Введение. Электронно-дырочный p- n- переход. Классификация биполярных транзисторов. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения биполярных транзисторов. Полевые транзисторы. Принцип действия и устройство полевого транзистора. Схемы включения полевых транзисторов. Усиление тока. Частотные свойства транзисторов. Шумовые характеристики транзисторов. Система обозначений биполярных и полевых транзисторов. Заключе...

Реферат - Структуры интегральных схем

Реферат

формат doc
размер 287.85 КБ
добавлен 15 ноября 2010 г.

Введение. Классификация интегральных микросхем. Структуры интегральных схем. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. Транзисторы типа n–p–n. Транзисторы типа p–n–p. Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ). Составные транзисторы. Интегральные диоды и стабилитроны. Диод Шотки и транзистор с диодом Шотки. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. МНОП–транзисторы. МОАП–транзисторы....

Ржевкин. Пособие для студентов по полупроводниковым приборам

формат doc
размер 1.92 МБ
добавлен 03 января 2009 г.

Описан полный курс по ПП. Все описано подробно и понятно. Включает главы: Механизмы проводимости твердых тел; Контактные явления; биполярные и полевые транзисторы. Приведено много диаграмм и описаний.

Светцов В.И., Холодков И.В. Физическая Электроника и Электронные Приборы

формат pdf
размер 11.07 МБ
добавлен 07 июля 2010 г.

М., ИГХТУ им. Менделеева, 2008 г. , 500 стр. В монографии рассмотрены практически все разделы современной электроники: физические основы электроники, микроэлектроники и наноэлектроники, вакуумная и эмиссионная электроника (автоэмиссионные катоды, фотокатоды, ФЭУ, ЭОП, ЭЛТ и т. д. ), газоразрядная электроника (клистроны, ЛОВ, индикаторы, разрядники, газовые лазеры и т. д. ), твердотельная электроника (диоды, биполярные транзисторы, полевые транзис...

Тихомиров В.А. Курс лекции по Основам информационной электроники

формат doc
размер 63.69 КБ
добавлен 16 января 2010 г.

Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.

Электроника и микроэлектроника

формат pdf
размер 87.71 МБ
добавлен 26 февраля 2011 г.

Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы. Огл...