• формат pdf
  • размер 7.62 МБ
  • добавлен 06 февраля 2012 г.
Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников
Издание 2-ое. Учебник. Москва, 1978, 616 стр. с иллюстрациями

Из предисловия к первому изданию
Книга предназначена для лиц, занимающихся экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (происхождения тока).
Для чтения книги требуется знакомство с математикой, квантовой механикой и статической физикой в объеме программ физического факультета университета или физико-математического факультета политехнического института. При этом не обязательно детальное знакомство с этими курсами, но предполагается, что читатель способен разобраться в соответствующих параграфах учебных книг, если на них дается ссылка.
Особенностью книги является то, что в ней на основе простейших сведений все формулы выводятся достаточно подробно для того, чтобы сделать ее доступной указанному выше кругу лиц.
Некоторые математические выводы, более сложные и менее связанные с основным текстом, приведены в конце книги и приложениях.

Предисловие ко второму изданию
В новом издании книга выходит в значительно дополненном и переработанном виде.
Однако общие цели и предназначение книги остались прежними. Как и 1-е издание, 2-е адресовано в основном тому же кругу читателей - студентам физических специальностей и физикам-экспериментаторам. Это и определяет уровень знаний необходимый для чтения книги.
Смотрите также

Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников

  • формат djvu
  • размер 6.32 МБ
  • добавлен 14 июня 2010 г.
Книга предназначена для лиц, занимающихся экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (происхождения тока). Для чтения книги требуется знакомство с математикой, квантовой механикой и статической физикой в объеме программ физическо...

Использование МОП-транзисторов

  • формат doc
  • размер 656.5 КБ
  • добавлен 20 января 2010 г.
Курсовая работа - Использование МОП-транзисторов. СумДУ, Опанасюк О. О. , 27 страниц. Содержание: Введение. теория полупроводников. моп – Транзисторы. использование моп – Транзисторов. выводы. литература.

Лабораторная работа - Исследование фотоэлектрических свойств полупроводников

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 71.67 КБ
  • добавлен 26 января 2011 г.
Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.

Лабораторная работа №1

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 39.07 КБ
  • добавлен 27 декабря 2007 г.
Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Лабораторная работа №2

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 98 КБ
  • добавлен 28 декабря 2007 г.
Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Лекции Основы физики полупроводников

Статья
  • формат doc
  • размер 423 КБ
  • добавлен 31 января 2011 г.
На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Виды полупроводников. Носители заряда в полупроводнике. Концентрация зарядов в полупроводнике. Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике. Неравновесная концентрация зарядов в полупроводнике. Токи в полупроводнике. Дрейфовый ток. Диффузионный ток. Уравнение непрерывности. Электронно-дырочный переход. Электронно-дырочный пере...

Тырышкин И.С. Основы полупроводниковой электроники

  • формат pdf
  • размер 397.15 КБ
  • добавлен 03 января 2009 г.
Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники» Включены следующие разделы: Электрофизические свойства полупроводников оптические свойства полупроводников контактные явления типовые технологические процессы.

Шалимова К.В. Физика полупроводников

  • формат djv
  • размер 5.32 МБ
  • добавлен 19 января 2010 г.
Москва, Издательство "Энергоатомиздат", 1985 год - 392 стр. В книге рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеивания носителей зарядов, генерация и рекомбинация носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства....

Ю Питер, Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников

  • формат djvu
  • размер 11.48 МБ
  • добавлен 06 июля 2010 г.
Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных р...

Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников

  • формат pdf
  • размер 1.43 МБ
  • добавлен 19 сентября 2011 г.
3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов...