Под ред. Дж. Р. Брюэра: Пер. с англ. — М.: Радио и связь, 1984. 336
с, ил.
Рассмотрены процессы высокоразрешающей электронно-лучевой
литографии, взаимодействие электронного луча с резистом, способы
изготовления фотошаблонов и переноса изображения на
полупроводниковую пластину. Даны примеры электронно-лучевых
установок, тенденции их усовершенствования. Определены области
наиболее целесообразного применения электронно-лучевой
литографии.
Для широкого круга инженерно-технических работников, занимающихся
проектированием и изготовлением полупроводниковых приборов и
интегральных схем.
Брюэр Дж. Р., Гринич Д.С., Херриот Д.Р. и др. Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов
Похожие разделы
Смотрите также
Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам
Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...
Брюэр Дж. Р. (ред.) Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов
Перевод с английского под редакцией Ф. П. Пресса. - М.: Радио и связь, 1984. - 336 с., ил. Рассмотрены процессы высокоразрешающей электронно-лучевой литографии, взаимодействие электронного луча с резистом, способы изготовления фотошаблонов и переноса изображения на полупроводниковую пластину. Даны примеры электронно-лучевых установок. Определены области наиболее целесообразного применения электронно-лучевой литографии. Для широкого круга инженер...
Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов
Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...
Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов
Томск, 1989. - 336 с. Один из лучших известных учебников по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности; биполярные и полевые транзисторы; приборы с ВАХ S-типа.
Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник
М.: Радио и связь, 1991, 528 с. Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких пленок, литографии, сборке и герметизации. Значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надежности при изготовлении микроэлектонных устройств. Для ин...
Козырь И.Я. и др. Общая технология
Козырь И.Я., Горбунов Ю.И., Чернозубов Ю.С. Пономарев А.С. Общая технология. Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .1. - М.: Высшая школа, 1989. -223 с.: ил. Рассмотрены основные направления развития микроэлектроники, описаны основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и ИМС, особенности изготовления индикаторных устройств. Особое внимание уделено авто...
Курносов А.И. Материалы
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...
Миллер Д. Моделирование Полупроводниковых Приборов и Технологических Процессов
М., Мир, 1989 г. , 280 стр. В книге рассматриваются вопросы моделирования электрофизических характеристик приборов и технологических процессов, применяемых при их изготовлении. Большое внимание уделено используемым численным методам и описанию пакетов прикладных программ. Широко представлены результаты двумерного моделирования различных полупроводниковых приборов, а также процессов диффузии и окисления. Наряду с традиционной диффузионно-дрейфовой...
Общие сведения о полупроводниковых приборах
Определение полупроводниковых приборов и принцип действия (типы проводимостей). Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод, принцип действия. Транзистор, принцип действия, схемы включения транзисторов.
Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы
М.: Высшая школа, 1979, 279 с. В книге рассматриваются физические основы работы полупроводниковых приборов различных типов и классов. Приводятся основные параметры и характеристики приборов, а также принципы управления ими. Кратко рассмотрены конструктивное оформление полупроводниковых приборов, технология их изготовления и области применения. Даны также краткие сведения по микроэлектронике. Предназначается для учащихся радиотехнических техникумо...