Грибов Э.Б. Нелинейные явления в приемо-передающем тракте на транзисторах (1971)

формат djvu
размер 8.7 МБ
добавлен 09 августа 2011 г.

Москва.
Связь.
1971.
243 с.

Рассматриваются вопросы теории нелинейных явлений, возникающих в основных транзисторных схемах приемно-передающего тракта аппаратуры связи. Исследовано влияние свойств транзистора, конфигурации схемы, параметров генераторов частот в выходном спектре каскадов, для различных случаев. Приведены методики расчета основных каскадов, направленная на создание оптимальных по нелинейным свойствам и стабильности схем и практические схемы каскадов для аппаратуры связи.

Смотрите также

Васильев В. Радиолюбителю о транзисторах

формат djvu
размер 4.29 МБ
добавлен 25 ноября 2010 г.

М.: ДОСААФ. 1967. - 240с. В любительской практике обычно не требуется тех точных и громоздких расчетов, которые имеют место в лабораторных и промышленных условиях. В большинстве случаев можно вполне обойтись простыми приближенными формулами и соотношениями, запомнить и научиться обращаться с которыми под силу даже начинающему радиолюбителю. В данной книге наряду с такими формулами приводится значительное количество конечных результатов расчетов...

Корольков В.И., Рахимов Н. Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур

формат djv
размер 1.2 МБ
добавлен 17 января 2010 г.

Ташкент: Фан, 1968. - 152 с.: ил. В книге рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных...

Лабораторная работа - Технологический процесс изготовления КМДП транзисторов

Лабораторная

формат doc
размер 225.99 КБ
добавлен 14 мая 2011 г.

ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, 4 курс Цели: Изучить последовательность операций изготовления интегральных микросхем на МДП транзисторах. Изучить технологические операции изготовления МДП ИМС. Ознакомиться с технологией КМДП ИМС на различных стадиях технологического процесса. Ознакомиться с материалами, применяемыми при изготовлении МДП ИМС. Произвести оптические измерения конструктивных параметров МДП структур.

Методичні вказівки до виконання лабораторних робіт - Основи мікроелектроніки

формат djvu
размер 6.62 МБ
добавлен 24 мая 2010 г.

Лабораторна робота 1 - "Дослідження напівпровідникової аналогової інтегрованої мікросхеми серії 140"; лабораторна робота 2 - "Дослідження гібридноі інтегрованої мікросхеми серії 237"; лабораторна робота 3 - "Дослідження аналогового перемикача на мдн транзисторах серії 168"; лабораторна робота 4 - "Дослідження цифрових інтегрованих мікросхем серії 155" для студентів НТУУ "КПІ" напряму підготовки "Елетронні апарати"

Москатов Е.А. Электронная техника. Начало

формат pdf
размер 1.87 МБ
добавлен 24 октября 2011 г.

Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. – 3-е изд., перераб. и доп. – Таганрог, 204 с., ил. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы элек-тронной техники, его отличает компактное изложен...

Москатов Е.А. Электронная техника. Начало. 3-е изд

формат djvu
размер 2.88 МБ
добавлен 29 июня 2010 г.

Таганрог, 2010 г. - 204 с. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы электронной техники, его отличает компактное изложение - в каждой теме дана минимально необходимая информация. Простым язы...

Ржевкин. Пособие для студентов по полупроводниковым приборам

формат doc
размер 1.92 МБ
добавлен 03 января 2009 г.

Описан полный курс по ПП. Все описано подробно и понятно. Включает главы: Механизмы проводимости твердых тел; Контактные явления; биполярные и полевые транзисторы. Приведено много диаграмм и описаний.

Справочник - Полупроводниковые приборы: транзисторы

Словарь

формат djv
размер 9.79 МБ
добавлен 24 января 2010 г.

Наиболее полное издание о широкой номенклатуре отечественных биполярных и полевых транзисторах. Приведены электрические и эксплуатационные характеристики транзисторов, классификация и система обозначений. 906 с. , 1982 год.

Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов

формат pdf
размер 4.92 МБ
добавлен 17 мая 2010 г.

М.: Энергия, 1971. - Изд. 2-е, перераб. и доп. Оглавление. Глава первая. Основные физические параметры полупроводников и соотношения полупроводниковой электроники. Глава вторая. Расчет р-п переходов. Глава третья. Эквивалентные схемы и характеристические параметры транзисторов. Глава четвертая. Расчет бездрейфовых транзисторов. Глава пятая. Расчет дрейфовых транзисторов. Глава шестая. Конструкции корпусов транзисторов. Глава седьмая. Примеры расч...

Kasper Paul. Silicon Quantum Integrated Circuits. Silicon-Germanium Heterostructure Devices. 2005

формат pdf
размер 6.16 МБ
добавлен 21 декабря 2009 г.

Книга немецких специалистов на английском языке, посвящённая созданию и использованию Si/Ge гетероструктур в современной полупроводниковой электронике. Рассмотрены вопросы связанные с технологией получения Si/Ge структур (МЛЭ, ХОГФ), квантовая теория полупроводников, применения Si/Ge в гетеробиполярных транзисторах (HBT), гетерополевых транзисторах (HFET), оптоэлектронных приборах и в интегральных логических схемах (КМОП, БКМОП).