• формат djvu
  • размер 4.29 МБ
  • добавлен 25 ноября 2010 г.
Васильев В. Радиолюбителю о транзисторах
М.: ДОСААФ. 1967. - 240с.

В любительской практике обычно не требуется тех точных и громоздких расчетов, которые имеют место в лабораторных и промышленных условиях. В большинстве случаев можно вполне обойтись простыми приближенными формулами и соотношениями, запомнить и научиться обращаться с которыми под силу даже начинающему радиолюбителю. В данной книге наряду с такими формулами приводится значительное количество конечных результатов расчетов основных характеристик транзисторов и схем, представляющих практический интерес для любителей.
Много места в книге уделено обсуждению вопросов, связанных с измерением параметров транзисторов, а также с налаживанием и настройкой аппаратуры в любительских условиях. В связи с тем, что радиолюбители в своей практической работе встречаются с большими трудностями из-за нехватки измерительной аппаратуры, в книге описывается ряд весьма необходимых и в то же время простых и недорогих приборов, изготовление которых доступно рядовому любителю.
Приводимые схемы составлены и подобраны таким образом, чтобы, во-первых, можно было выполнить их на практике, во-вторых, показать их положительные качества и недостатки в сравнении с другими аналогичными схемами.
Особое внимание обращается на вопросы стабилизации режимов работы транзисторов и обеспечения устойчивой работы усилительных схем.

Основы транзисторной техники.
Основные типы отечественных и зарубежных транзисторов.
Основные схемы усилительных каскадов на транзисторах и их возможности.
Усилительная, приемная и измерительная аппаратура на транзисторах.
Смотрите также

Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Радиационная стойкость биполярных транзисторов

  • формат pdf
  • размер 840.16 КБ
  • добавлен 15 марта 2011 г.
М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2000. - 102 с. Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов. Рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизац...

Грибов Э.Б. Нелинейные явления в приемо-передающем тракте на транзисторах (1971)

  • формат djvu
  • размер 8.7 МБ
  • добавлен 09 августа 2011 г.
Москва. Связь. 1971. 243 с. Рассматриваются вопросы теории нелинейных явлений, возникающих в основных транзисторных схемах приемно-передающего тракта аппаратуры связи. Исследовано влияние свойств транзистора, конфигурации схемы, параметров генераторов частот в выходном спектре каскадов, для различных случаев. Приведены методики расчета основных каскадов, направленная на создание оптимальных по нелинейным свойствам и стабильности схем и практичес...

Жалуд В., Кулешов В.Н. Шумы в полупроводниковых устройствах

  • формат djvu
  • размер 4.58 МБ
  • добавлен 25 февраля 2010 г.
Шумы в полупроводниковых устройствах. Под общей ред. А. К. Нарышкина. Совместное советско-чешское издание. М., «Сов радио», 1977, 416 с. Излагаются сведения об источниках шума в полупроводниковых приборах, на основе которых рассматриваются методы проектирования малошумящих каскадов усиления и преобразования сигналов в приемно-усилительных и передающих трактах. Подробно разбираются шумовые свойства усилитетей в интегральном исполнении. Книга пред...

Корольков В.И., Рахимов Н. Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур

  • формат djv
  • размер 1.2 МБ
  • добавлен 17 января 2010 г.
Ташкент: Фан, 1968. - 152 с.: ил. В книге рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных...

Лабораторная работа - Технологический процесс изготовления КМДП транзисторов

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 225.99 КБ
  • добавлен 14 мая 2011 г.
ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, 4 курс Цели: Изучить последовательность операций изготовления интегральных микросхем на МДП транзисторах. Изучить технологические операции изготовления МДП ИМС. Ознакомиться с технологией КМДП ИМС на различных стадиях технологического процесса. Ознакомиться с материалами, применяемыми при изготовлении МДП ИМС. Произвести оптические измерения конструктивных параметров МДП структур.

Методичні вказівки до виконання лабораторних робіт - Основи мікроелектроніки

  • формат djvu
  • размер 6.62 МБ
  • добавлен 24 мая 2010 г.
Лабораторна робота 1 - "Дослідження напівпровідникової аналогової інтегрованої мікросхеми серії 140"; лабораторна робота 2 - "Дослідження гібридноі інтегрованої мікросхеми серії 237"; лабораторна робота 3 - "Дослідження аналогового перемикача на мдн транзисторах серії 168"; лабораторна робота 4 - "Дослідження цифрових інтегрованих мікросхем серії 155" для студентів НТУУ "КПІ" напряму підготовки "Елетронні апарати"

Москатов Е.А. Электронная техника. Начало

  • формат pdf
  • размер 1.87 МБ
  • добавлен 24 октября 2011 г.
Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. – 3-е изд., перераб. и доп. – Таганрог, 204 с., ил. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы элек-тронной техники, его отличает компактное изложен...

Москатов Е.А. Электронная техника. Начало. 3-е изд

  • формат djvu
  • размер 2.88 МБ
  • добавлен 29 июня 2010 г.
Таганрог, 2010 г. - 204 с. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы электронной техники, его отличает компактное изложение - в каждой теме дана минимально необходимая информация. Простым язы...

Справочник - Полупроводниковые приборы: транзисторы

Словарь
  • формат djv
  • размер 9.79 МБ
  • добавлен 24 января 2010 г.
Наиболее полное издание о широкой номенклатуре отечественных биполярных и полевых транзисторах. Приведены электрические и эксплуатационные характеристики транзисторов, классификация и система обозначений. 906 с. , 1982 год.

Kasper Paul. Silicon Quantum Integrated Circuits. Silicon-Germanium Heterostructure Devices. 2005

  • формат pdf
  • размер 6.16 МБ
  • добавлен 21 декабря 2009 г.
Книга немецких специалистов на английском языке, посвящённая созданию и использованию Si/Ge гетероструктур в современной полупроводниковой электронике. Рассмотрены вопросы связанные с технологией получения Si/Ge структур (МЛЭ, ХОГФ), квантовая теория полупроводников, применения Si/Ge в гетеробиполярных транзисторах (HBT), гетерополевых транзисторах (HFET), оптоэлектронных приборах и в интегральных логических схемах (КМОП, БКМОП).