Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник

формат djvu
размер 3.83 МБ
добавлен 03 июля 2010 г.

К.: Наукова думка, 1978. - 316 с.
Оглавление
Биполярные генерационные процессы в структурах МДП
Результаты экспериментального исследования биполярных генерационных процессов в кремниевых структурах МДП
Взаимосвязь генерационных и рекомбинационных параметров структур МДП
Перенос заряда и полевая генерация в диэлектриках
Полевая генерация в полупроводниковой подложке
Туннельная спектроскопия
Туннельные генерационные явления в структурах МДП с толстыми диэлектрическими слоями (туннелирование в динамическом режиме)
Влияние освещения на характеристики системы МДП. Фотоемкостный эффект
Теория фотоемкостного эффекта в системах МДП
Основные закономерности ФЕ в кремниевых структурах МДП
Исследование процессов рекомбинации и прилипания в
структурах МДП методом ФЕ
Фотоэлектрические явления в структурах МДП с нестационарным слоем истощения
Гетерогенность электрофизических характеристик системы МДП и методы ее определения
Статистическая модель неоднородности поверхностного заряда
Модель МДП конденсатора с неоднородно распределенным поверхностным зарядом
Методы определения характеристических параметров микронеоднородности поверхностного заряда
Экспериментальные данные о влиянии неоднородности поверхностного заряда на характеристики системы МДП
Приборы с зарядовой связью
Физические принципы работы приборов с зарядовой связью
Режим работы ПЗС
Механизмы зарядовых потерь
Особенности функционирования ПЗС
Различные типы ИС на основе ПЗС
Приборные и интегральные системы, использующие структуры
МДП и ДП
Поверхностные варикапы
Фоточувствительные приборы МДП и ДП
Полевые МДП триоды с изолированным затвором

Смотрите также

Валиев К.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение Контакта Металл-Полупроводник в Электронике

формат djvu
размер 3.17 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

М., Сов. радио, 305 стр., 1981 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода. Рассматривается физическая модель р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник и р—п перехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления. Особое внимание уделяется омиче...

Вениаминов В.Н., Лебедев О.Н., Мирошниченко А.И. Микросхемы и их применение

формат pdf
размер 1.97 МБ
добавлен 28 июля 2009 г.

Справочное пособие. Изд 3-е перераб. и доп. М.: Радио и связь, 1989г. -240с., ил. (Массовая радиобиблиотека вып. - 1143) Приведены справочные данные об микросхемах, рекомендации по их выбору для применения в практических разработках. Даны примеры построения микроэлектронных устройствдля решения различных задач радиолюбительской практики. Для подготовленных радиолюбителей.

Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов

формат djvu
размер 3.81 МБ
добавлен 01 июля 2011 г.

Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...

Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов

формат djvu
размер 2.31 МБ
добавлен 28 мая 2009 г.

Томск, 1989. - 336 с. Один из лучших известных учебников по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности; биполярные и полевые транзисторы; приборы с ВАХ S-типа.

Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник

формат djvu
размер 9.34 МБ
добавлен 20 октября 2009 г.

М.: Радио и связь, 1991, 528 с. Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких пленок, литографии, сборке и герметизации. Значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надежности при изготовлении микроэлектонных устройств. Для ин...

Зарядовые явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в составе IGBT

degree

формат doc
размер 2.46 МБ
добавлен 20 сентября 2010 г.

Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная Si-SiO2 – МОП-структура. Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии. Собственн...

Лекции по Цифровой электронике

Статья

формат doc
размер 4.95 МБ
добавлен 03 февраля 2010 г.

Соппа И. В. Лекции по Цифровой электронике Дальневосточный государственный университет. Институт физики и информационных технологий. Факультет информационных технологий. Сборник лекций содержит следующие разделы: Основы теории построения логических схем: Булевы функции; карты Карно. Основы построения логических схем: Импульсные сигналы; РТЛ, ДТЛ, ТТЛ, КМОП-логика. Основные узлы цифровых устройств: RS, T, D и JK-триггеры; дешифраторы; сумматоры;...

Мамедов Р.К. Контакты Металл-Полупроводник с Электрическим Полем Пятен

формат pdf
размер 2.48 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

Баку, БГУ, 2003, 231 стр. Рассмотрены электрофизические процессы в реальных контактах металл – полупроводник, в приконтакной полупроводниковой области которых возникает дополнительное электрическое поле контактной разности потенциалов (поле пятен) как между микроучастками с различными высотами потенциальных барьеров на контактной поверхности, так и между контактной поверхностью и примыкающими к ней свободными поверхностями металла и полупроводник...

Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем

формат djvu
размер 25.21 МБ
добавлен 30 ноября 2010 г.

М.: Энергоатомиздат, 1988, 256 с. Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик-полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл-диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем. Рассмотрены физические модели, которые можно использовать при проектировании и создании интегральных микросхем, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излу...

Родерик Э.Х. Контакты Металл-Полупроводник

формат djvu
размер 2.42 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

М.: Радио и связь, 210 стр., 1982 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник. Рассматривается физическая модель контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник. Рассматриваются эквивалентная схема и параметры контактов. Особое внимание уделяется омическим контактам металл— полупроводник, диодам Шоттки и транзисторам с затвором Шоттки. Для студентов ра...