• формат djvu
  • размер 6.56 МБ
  • добавлен 19 января 2010 г.
Пожела Ю., Юцене В. Физика сверхбыстродействующих транзисторов
Издательство Вильнюс МОКСЛАС, 1985.
112 страниц.

Проблема повышения быстродействия и производительности технических средств обработки цифровой информации - одна из наиболее актуальных в современной электронике. Решение этой проблемы в основном зависит от повышения быстродействия и степени интеграции элементной базы цифровой электроники, и в частности - повышения быстродействия транзисторов. Книга посвящена рассмотрению физических принципов работы биполярных и полевых транзисторов, а также транзисторов на горячих электронах. Обсуждаются основные физические идеи изыскания новых перспективных путей для создания транзисторов, обсуждается освоение для этих целей полупроводников типа арсенида галлия, других соединений и гетероструктур на их основе. Дана сводка предельно достигнутых и достижимых параметров быстродействия транзисторов.
Книга предназначена для специалистов, работающих в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники, для разработчиков полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также аспирантов и студентов.
Смотрите также

Бергельсон И.Г., Минц В.И. Транзисторы биполярные

  • формат djvu, txt
  • размер 1.28 МБ
  • добавлен 30 сентября 2011 г.
М., «Сов. радио», 1976г - 56 с. с ил. Кратко описаны конструктивные принципы биполярных транзисторов, их электрические и эксплуатационные характеристики и параметры. Приводятся способы включения транзисторов, проверки их годности при эксплуатации и хранении, а также способы предотвращения воздействия разрядов статического электричества. Брошюра рассчитана на широкий круг читатслей, связанных с применением и эксплуатацией транзисторов в радиоэл...

Завражнов Ю.В., Каганова И.И., Мазель Е.З., Миркин А.И. Мощные высокочастотные транзисторы

  • формат djvu, txt
  • размер 2.53 МБ
  • добавлен 25 августа 2011 г.
Под ред. Е.З.Мазеля. - М.: Радио и связь, 1985. - 176 с., ил. Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных транзисторов.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Пер. с англ

  • формат djvu
  • размер 11.57 МБ
  • добавлен 04 октября 2009 г.
2-е перераб. и доп. изд. - М. Мир, 1984. Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. Книга 1 (456 с. ) посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки). Книга 2 (456 с. ) посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекто...

Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам

Справочник
  • формат djvu
  • размер 3.35 МБ
  • добавлен 30 ноября 2011 г.
Киев, 1966, 308 с. Справочник содержит данные об основных типах термисторов, фотосопротивлений, селеновых и купроксных выпрямителей, германиевых и кремниевых диодов, плоскостных транзисторов с указанием области их применения. В справочнике дана новая классификация диодов и транзисторов и сведения по новым типам полупроводниковых приборов. Предназначен для инженеров, техников и радиолюбителей, работающих в области использования полупроводниковых п...

Матвиенко В.А. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

  • формат pdf
  • размер 457.28 КБ
  • добавлен 08 сентября 2009 г.
Методические указания к четырём лабораторным работам "Характеристики и параметры полупроводниковых диодов", "Характеристики и параметры биполярных транзисторов", "Характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющин p-n-переходом", "Операционный усилитель" для специальностей 230101 , 230102.

Овсянников Н.И. Кремниевые биполярные транзисторы: Справочное пособие

  • формат djvu
  • размер 4.81 МБ
  • добавлен 17 июля 2010 г.
Минск: "Вышейшая школа", 1989 г. , 302 с. Помещены сведения об электрических параметрах, предельно допустимых режимах и корпусном исполнении кремниевых биполярных транзисторов, выпускаемых в СССР и ведущими зарубежными фирмами. Описывается более 8000 транзисторов.

Пауль Р. (Paul R.) Транзисторы. Физические основы и свойства

  • формат djvu
  • размер 8.28 МБ
  • добавлен 05 декабря 2009 г.
Перевод с немецкого В. С. Заседа. Под редакцией И. А. Палекова. Издательство "Совесткое Радио" - 1973 МОСКВА. 505 страниц. Более подробно, чем уже в изданных книгах, рассматриваются принципы действия и параметры биполярных транзисторов, а также физика происходящих в них процессов. БОльшое влияние уделяется методам изготовления транзисторов. Подробно излагается планарная технология. Рассматриваются комбинированные мощные высокочастотные транзисто...

Реферат - Биполярные транзисторы

Реферат
  • формат rtf, doc, docx
  • размер 416.79 КБ
  • добавлен 30 марта 2009 г.
Содержание. Введение. Электронно-дырочный p- n- переход. Классификация биполярных транзисторов. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения биполярных транзисторов. Полевые транзисторы. Принцип действия и устройство полевого транзистора. Схемы включения полевых транзисторов. Усиление тока. Частотные свойства транзисторов. Шумовые характеристики транзисторов. Система обозначений биполярных и полевых транзисторов. Заключе...

Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов

  • формат pdf
  • размер 4.92 МБ
  • добавлен 17 мая 2010 г.
М.: Энергия, 1971. - Изд. 2-е, перераб. и доп. Оглавление. Глава первая. Основные физические параметры полупроводников и соотношения полупроводниковой электроники. Глава вторая. Расчет р-п переходов. Глава третья. Эквивалентные схемы и характеристические параметры транзисторов. Глава четвертая. Расчет бездрейфовых транзисторов. Глава пятая. Расчет дрейфовых транзисторов. Глава шестая. Конструкции корпусов транзисторов. Глава седьмая. Примеры расч...

Sze, Ng. Physics of Semiconductor Devices

  • формат pdf
  • размер 34.86 МБ
  • добавлен 19 марта 2010 г.
3-е перераб. и доп. изд. на английском языке - Wiley, 2007. (3-ed) (2007) Монография написана известными американскими специалистами в области полупроводниковой электроники. В книге изложена физика биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки), физика приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов...