Элтон Р. Рентгеновские лазеры
Подождите немного. Документ загружается.
Принципы
коротковолновых лазеров
111
Таблица
7.
Некоторые свойства ВУФ-сцинтилляторов
(из
[122])
Длина
волны пика Время
Материал
флуоресценции,
увстви-^
распада,
А
тельность"
не
Тонкие пленки
Салицилат натрия 4800
1 7-12
Люмоген 5280
1,1 2,5
Коронен 5025
0,11
3,7-10
р-Терфенил
3910 0,76
3,7-5,5
Кристаллы
Антрацен 4480
1,45 12-20
Стильбен 3840
0,58 3-7
Пластики
Пилот
В
4070
1,45
1,5-2,1
NE 102 4200
0,94 2-2,2
NE 103 4850
0,36 4-11
NE 111 3750
1,02
1,5-2,2
* Относительно салицилата натрия.
тронным умножителем, представляет собой совокупность миниа-
тюрных фотоумножителей
[123],
каждый
из
которых представля-
ет собой канал
с
диаметром обычно 8-25 мкм
в
стеклянной воло-
конной шайбе. Расстояние между каналами составляет порядка
15 мкм,
а
отношение длины
к
диаметру лежит
в
диапазоне
от 40
до
100.
Схема такого устройства показана
на
рис.
36.
Наряду
с плоскими МКП изготовляются вогнутые МКП сферических
и
цилиндрических форм. Они применяются
в
спектрографах
с
изо-
гнутыми фокальными поверхностями.
Стенки каналов МКП имеют полупроводниковое покрытие для
увеличения вторичной эмиссии
и
для поддержания конфигурации
электрического поля
с
помощью приложенной разности потенци-
алов.
Это
покрытие действует
как
цепочка резисторов
в
фото-
умножителе,
и
полное сопротивление составляет
~ 10
9
Ом.
В то
же самое время поверхность каналов
с
полупроводниковым покры-
тием служит
в
качестве непрерывной динодной структуры. Про-
водящие покрытия
на
каждой поверхности шайбы служат элек-
тродами. Обычно прикладывается напряжение 1000
В с
плюсом
на выходной поверхности (анод). Иногда МКП имеет несколько
Рис. 36. Схема микроканальной пластины
[123].
1 — стекло; 2 —
каналы; 3 — электроды (на каждой поверхности).
электродов на входной поверхности, каждый из которых относит-
ся к небольшому участку (полоске). Напряжение на эти элек-
троды может подаваться в разные моменты времени, позволяя на
одной структуре иметь несколько каналов данных, относящихся к
разным моментам времени. В спектроскопических исследованиях
излучения рентгеновских лазеров [123] напряжение на электроды
МКП подавалось на субнаносекундные времена.
Такие устройства реагируют как на непосредственную бомбар-
дировку передней поверхности заряженными частицами, так и на
облучение жесткими фотонами (с длиной волны короче
2000А).
Они также используются для регистрации видимого света, когда
имеется фотокатод. Собственная квантовая эффективность по-
крытий МКП находится, как было измерено, в пределах 10-20%
для МР-излучения
[124].
Дополнительное покрытие из таких мате-
риалов, как фторид магния, как было найдено, еще больше увели-
чивает квантовый выход на передней поверхности [125, 126]. Не-
давно была определена относительная чувствительность МКП к
фотонам в диапазоне от 600 эВ до 20 кэВ
[127].
МКП с ворон-
кообразными каналами также имеют большую эффективность, в
особенности при скользящем падении.
В конфигурации «Шеврон», показанной на рис. 37, область не-
насыщенного усиления доходит до 10
7
. Как было найдено, наклон-
ные или даже изогнутые конструкции каналов подавляют регене-
ративную обратную связь ионного дрейфа из области анода к ка-
тоду. Эта проблема особенно серьезна, когда приходится работать
при высоком усилении и остаточном давлении выше 10"
6
Тор.
Принципы
коротковолновых лазеров
113
ш//Ш////////////////^
•
мкпг
шпш
Рис.
37.
Работа микроканальных пластин
в
конфигурации «Ше-
врон»
[123].
1 —
шеврон;
2 —
первичное излучение;
3 —
каналы;
4
—
высокое напряжение;
5 —
выходной импульс;
6 —
металличе-
ский анод;
7
— поток электронов.
Пространственное разрешение
МКП
ограничивается размера-
ми каналов,
их
расположением
и
разбросом выходного пучка элек-
тронов. Электронный пучок либо преобразуется
в
видимое излу-
чение, которое регистрируется фотографически,
или
регистриру-
ется непосредственно прибором, чувствительным
к
заряду, таким,
как резистивный кодирующий анод.
Эти
способы регистрации
бу-
дут рассмотрены далее.
6.5.36.
Считывающие системы. Обычно
в
системе считывания
за
МКП следует люминесцентный экран, чтобы преобразовать пучок
электронов
в
видимое излучение. Люминофор обычно наносится
на волоконнооптическую шайбу, которая может быть пристыкова-
на
к
различным приборам
по
обработке изображений
[128].
Про-
стейшим
и
наиболее распространенным прибором является фото-
пленка. Возможна регистрация
и на
фоторезист
без
зернистой
структуры. Кроме того,
для
регистрации
и
обработки изображе-
ний могут применяться оптические многоканальные анализаторы
(ОМА),
p-i-n —
диоды, ПЗС-матрицы. Временное разрешение
в та-
ких системах достигается
за
счет импульсной подачи напряжения
питания
на
МКП,
как
было описано выше.
Непрерывную временную развертку можно получить
с
помо-
щью штрейк-камеры, расположенной
за
волоконно-оптической
шайбой
с
люминофорным покрытием.
В
такой схеме МКП служит
как предусилителем рентгеновского излучения,
так и его
преобра-
зователем
в
видимое излучение, которое регистрируется стандарт-
ной штрейк-камерой. Такие камеры обсуждаются
в
следующем
разделе.
Рис. 38. Установка для штрейк-спектроскопии лазерной плазмы
[119].
1 — плазма; 2 — брэгговский кристалл; 3 — щель временного
разрешения; 4 — фоторегистратор.
6.5.4-
Штрейк-камеры
Такой недостаток МКП, как кадровая регистрация, в отличие от
развертки по времени можно устранить с помощью рентгенов-
ской штрейк-камеры [119] (рис. 38) с некоторым ограничением
пространственного (или спектрального) разрешения. Можно по-
лучить пикосекундное временное разрешение. Принцип работы
таких камер заключается в отклонении или развертывании элек-
тронного пучка. Рентгеновские штрейк-камеры дают непрерыв-
ную временную зависимость интенсивности излучения, проходя-
щего через щель. Они часто используются вместе с пропускающи-
ми решетками с ограниченным спектральным разрешением, но с
большой апертурой и не требующими сложной юстировки (в отли-
чие от спектрографов скользящего падения). Применяются как
тонкие фотокатоды, так и фотокатоды, нанесенные на входную
поверхность.
6.6. Калибровка приемников в рентгеновском диапазоне
Для определения мощности рентгеновского лазера важно иметь де-
тектор, откалиброванный в абсолютных единицах интенсивности.
Такая калибровка является непростой задачей.
Принципы
коротковолновых лазеров
6.6.1. Первичный стандарт
Предпочтительно калибровать спектральную систему регистрации
в целом
с
помощью стандартного источника.
Для
этого
в
значи-
тельной части MP-диапазона может использоваться синхротрон-
ное излучение, интенсивность которого рассчитывается теорети-
чески
[129].
6.6.2. Вторичные стандарты
6.6.2а.
Стандартные приемники. Следующий
по
точности метод
состоит
в
использовании
при
калибровке системы регистрации
па-
раллельно
с ней
стандартного (калиброванного) детектора. Этот
детектор измеряет поток фотонов, проходящих
в
систему реги-
страции
за
определенный интервал времени. Одним
из
примеров
такого детектора
для
области
λ < 100 А
является пропорциональ-
ный счетчик
[130] (см. рис. 39). Он
измеряет число фотонов
и
вырабатывает выходное напряжение, пропорциональное энергии
фотона
(для
спектрального разрешения). Такой прибор вместе
со
стабильной рентгеновской трубкой может использоваться
для ка-
либровки системы регистрации рентгеновского излучения.
6.6.26.
Метод фактора ветвления. Другой способ абсолютной
ка-
либровки заключается
в
использовании отношения вероятностей
радиационного распада
по
двум каналам.
В
этом методе срав-
ниваются интенсивности двух спектральных линий, имеющих
об-
щий верхний уровень. Интенсивность длиноволновой линии
из-
меряется
в
абсолютных единицах,
а
другая линия наблюдается
в
MP-диапазоне. Часто используются
два
спектрографа. Интенсив-
ность
I
каждой линии определяется соотношением:
/
=
N
u
Ahv,
(58)
где
N
u
—
плотность заселенности общего верхнего уровня. Отно-
шение интенсивностей пропорционально частотам
и
вероятностям
переходов. Если последние известны,
то
коротковолновый спек-
трограф может быть откалиброван
при
условии,
что ни
одна
из
линий
не
является оптически толстой (довольно частая проблема).
Другими словами,
по
калиброванному спектрографу измеряется
абсолютная плотность заселенности верхнего уровня
N
u
. Из нее
по формуле (58) находится интенсивность MP-линии. Примерами
подходящих
для
этого метода линий могут служить линии водоро-
да
и
водородоподобных ионов, включая лаймановскую, бальмеров-
скую
и
более высокие серии.
В
настоящее время готовится обзор
по таким линиям
[131].
116
Глава 2
Рис. 39. Система абсолютной калибровки спектрографа скользяще-
го падения с помощью пропорционального счетчика, используемого
в качестве стандартного приемника
[130].
1 — анод рентгеновской
трубки; 2 — пропорциональный счетчик; 3 — щель; 4 — решетка;
5 — фотопластинка.
6.6.3. Стандартные детекторы и пропускание приборов
Третий метод калибровки состоит в том, чтобы использовать ка-
либрованный приемник без спектрального разрешения на выходе
диспергирующей системы и откалибровать пропускание системы
на отдельных длинах волн
[132].
Таким путем можно довольно точ-
но определить абсолютную чувствительность популярных рентге-
новских и ультрафиолетовых фотопленок, а также воспроизводи-
мость между разными образцами. В качестве стандартного детек-
тора может использоваться салицилат натрия, квантовая эффек-
тивность которого практически не зависит от длины волны
[105].
Этот люминофор может служить для расширения диапазона аб-
солютной калибровки от видимой области до ВУФ-диапазона (см.
также табл. 7). Пропускание прибора может быть определено из
сравнения прямого и проходящего пучков
[130].
6.6.4-
Точность калибровки
В общем случае суммарная погрешность методов калибровки в
рентгеновском диапазоне составляет порядка 20% Для относитель-
ных измерений и до двух раз для абсолютных, если не предприни-
Принципы
коротковолновых лазеров
117
мать специальных усилий. Сравнение различных методов
в
оди-
наковых спектральных диапазонах дало
бы
большую уверенность
в
их
достоверности. Однако
эти
методы слабо перекрываются,
и
такие данные
в
настоящий момент скудны.
Литература
1.
Allen
L.,
Peters
G. I.,
Phys. Letters,
31A, 95
(1970).
2.
Dicke
R. N.,
Phys. Rev.,
93, 99
(1954).
3.
Siegman
A. E.,
"Lasers" (University Science Books, Mill Valley, Cali-
fornia 1986).
4.
Peters
G. L,
Allen
J.
Phys.,
A 4, 238
(1971).
5. Allen
L.,
Peters
G. J.
Phys.,
A 4,
377,
564
(1971).
6. Allen
L.,
Peters
G. /., J.
Phys.,
A 5,
546,
695
(1972).
7. London i?., "The Length Dependence
of
Laser Power", неопублико-
вана (Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, Califor-
nia, Feb. 1987);
а
также Cerjan
C.
частное сообщение, Febru-
ary, 1987.
8. Linford G. J., Peressini E. R., Sooy W. R., Spaeth M. L., Appl. Op-
tics,
13, 379
(1974).
9. Patek "Lasers" (Iliffe Books, Ltd., London, 1964).
10.
Griem H.
Д.,
"Plasma Spectroscopy" (McGraw Hill, New York, 1964).
[Имеется перевод:
Г.
Грим. Спектроскопия плазмы.
— М.:
Атомиздат, 1969.]
11.
Griem
Η. Я.,
"Spectral Line Broadening
by
Plasmas" (Academic
Press,
New
York, 1974).
[
Имеется перевод:
Г.
Грим. Уширение
спектральных линий.
—
М.: Мир, 1978].
12.
Elton
R. С,
Appl. Optics,
14,
2243 (1975).
13.
Waynant
R. W.,
Elton
R. C.,
Proc. IEEE,
64, 1059
(1976).
14.
Heavens
O. 5.,
"Optical Masers" (Methuen Publ., London, 1965).
15.
Fowles
G. R.,
"Introduction
to
Modern Optics" (Holt, Rinehart
and
Winston Publ., New York, 1975).
16.
Elton
R. C,
in: "Methods
of
Experimental Physics, Plasma Physics",
Vol.
1,
Chapt.
4, H. R.
Griem
, R. H.
Lovberg, eds. (Academic Press,
New York, 1970).
17.
Griem
H. Д.,
Phys. Rev.,
A 33,
3580 (1986).
18.
Casperson
L. W.
y
J.
Appl. Phys.,
48, 256
(1977);
а
также Camparo
J.
β,
Phys. Rev.,
A 39, 69
(1989).
19.
Marcuse Ζλ, Proc. IEEE,
51, 849
(1963).
20.
Holt Η.
K.,
Phys. Rev.,
A 16,
1136 (1977).
21.
Arkhipkin
V. G.,
Heller
Yu.
Phys. Lett., 98A,
12
(1983).
22.
Harris
S. E.,
Phys.
Rev.
Lett.,
62,
1033 (1989).
23.
Svelto
0.,
"Principles
of
Lasers" (Plenum Press, New York, 1976).
24.
Eastham
D. Α.,
"Atomic Physics
of
Lasers" (Taylor and Francis, Lon-
don
and
Philadelphia, 1986).
118
Глава
2
25.
Ceglio N. М., Stearns D. G., Gaines D. P., Haw^yluk A. M.
t
Trehes
J. Optics Letters,
13, 108
(1988).
26.
Illyukhin A., Peregudov G.
t
Ragozin E.
f
Sobeln
na
n I., Chirkov V.
t
JETP Letters,
25, 535
(1977).
27. Ceglio N. M., Gaines D. P., Trebes J., Hawryluk A . M., Stearns D. G.
t
Howe
G. L.
}
SPIE Proc,
688, 44
(1986).
28.
Bond
W. L.,
Duguay
M. A.,
Rentzepis
P. M.,
Ap>
p
l. Phys. Lett.,
10,
216 (1967).
29.
Cotterill
R. M. 7.,
Appl. Phys. Lett.,
12, 403
(19«68).
30.
Delattes
R. D.,
Appl. Phys. Lett.,
12, 133
(1968).
31.
Kolpakov A. V., Kuzmin R. N.,
Ryaboy
V. M., J. Appl. Phys., 41,
3549 (1970).
32.
Fisher
R. A.,
Appl. Phys. Lett.,
24, 598
(1974).
33.
Yariv
A.,
Appl. Phys. Lett.,
25, 105
(1974).
34.
Elachi
C, Evans G.
t
Grunthaner P., Appl. Opt.,
14,
14, (1975).
35.
Ляхов
Г. A.
y
Квант, электрон.,
3, 838
(1976).
36.
McWhirter
R. W. P.,
in: "Plasma Diagnostic Techniques",
R. H.
Hud-
dleston,
S. I.
Leonard,
p. 234
(Academic Press, N»
e
w York, 1965).
37.
Weymann
R. J.,
Williams
R. E.
y
Astrophys.
J., 1
57, 1201 (1969).
38.
Hummer
D. G.,
Rybicki
G.
B.y Astrophys.
J.,
25<4,
767
(1982).
39.
Stratton
T.
F.y
in: "Plasma Diagnostic Techniques?",
R. H.
Huddleston
and
S. I.
Leonard,
eds., pp.
391-393 (Academic Press,
New
York,
1965).
40.
Wiese
W. L.,
Smith
M. W.,
Glennon
В. Af.,
"Atomic Transition Pro-
babilities, Vol.1: Hydrogen through Neon", NSRD;S-NBS-4 (U.
S.
Gov-
ernment Printing Office, Washington,
DC,
1966).
41.
Соболев
В.
B.y
АЖ, 34, 694
(1957).
42.
Pert
G.
J.y
J.
Phys.,
В 9,
3301 (1976).
43.
Whitten B. L., London R. A., Walling R. 5., J. (Qpt. Soc. Am., В 5,
2537 (1988).
44.
London
R. А.у
"Line Escape Probabilities
for
exploding Foils",
in
Laser Program Annual Report
86, M. L.
Rufer,
p. W.
Murphy,
eds.,
Univ.
of
California Report
No.
UCRL-50021-86 (Lawrence Livermore
National Lab., Livermore, California, 1988).
45.
Elton
R.
C.y Phys. Rev.,
A 38,
5426 (1988).
46.
Elton
R. C.y
"Reduction
of
Radiative Trapping Effects
in
X-Ray
Lasers using Autoionizing Transitions", Memorandum Report
No.
5906
(U. S.
Naval Research Laboratory, Washington,
DC,
1986).
47.
Elton
R. C.y
"Autoionization
for
Lower Level Strapping
in
X-Ray
Lasers", Formal Report No.9103
(U.S.
Naval Research Laboratory,
Washington,
DC,
1988).
48.
Lunney
7. G.,
Optics Comm.,
53, 235
(1985).
49.
Apruzese
7. P.,
Davis
7.,
Phys. Rev.,
A 31,
2976 (1985).
50.
Elton R. C.y Lee T. N.
t
Molander W. A.
y
J. Opt. Soc. Am., В 4, 539
(1987).
Принципы коротковолновых лазеров
119
51.
Riordin J. С., Pearlman J. S.
f
Gersten Μ., Ranch J. Ε., in: AIP
Conf.
Proc.
No. 75, p. 34, D.
Attwood,
B.
Henke,
eds.
(American Physical
Society, New York, 1981);
а
также Gersten
M., et al.,
Phys. Rev.,
A
33,
477
(1986).
52.
Чирков
Β. Α.,
Квант, электрон.,
11,
2253 (1984).
53.
Rosen
Μ. D., et al,
Phys. Rev. Lett.,
54, 106
(1985).
54.
Matthews
D. L., et al, J. de
Physique, Colloque C6,
47,
C6-1 (1986).
55.
Matthews
D. L., et al,
Phys.
Rev.
Lett.,
54, 110
(1985).
56.
Dahlburg J. R, Gardner J. H., Emery M. H.
f
Boris J. P., Phys. Rev.,
A
35,
2737 (1987).
57.
"Advanced Technology Developments:
2.A
Studies
of
New Geometries
for X-Ray Lasers",
in:
LLE Review
30, 68
(University
of
Rochester
Laboratory
for
Laser Engineering, Rochester, New York, 1987).
58.
Fill
E. E.,
Optics Comm.,
67,
441 (1988).
59.
Shipman
J. D.
f
Jr.,
Appl. Phys. Lett.,
10, 3,
(1967).
60.
Waynant
R. W., Shipman J. D., Elton R. C.
f
Alt A. W., Appl. Phys.
Lett.,
17, 383
(1970);
и
Proc. IEEE,
59, 679
(1971).
61.
Waynant
R. W.,
Phys.
Rev.
Lett.,
28,
533, (1972).
62.
Suckewer S.
f
Skinner C. H.
t
Milchberg H.
t
Keane C.
f
Voorhees D.,
Phys.
Rev. Lett.,
55,
1753 (1985).
63.
Key Μ. H., J. de
Physique, Colloque,
Cl, 49,
Cl-135 (1988).
64.
Elton
R. C.,
Comments
At.
Mol. Phys.,
13, 59,
(1983).
65.
McWhirter
R. W. P.,
Hearn
A. G.,
Proc. Phys.
Soc, 82,
641 (1963).
66.
Irons
F. E,
Peacock
N. J., J.
Phys.
B, 7,
1109 (1974).
67.
Elton R. C.
t
Lee Τ. N., Dixon R. H.
f
Redden J. D.
t
Seely J. F., in:
"Laser Interactions
and
Related Plasma Phenomena",
H.
Schwarz,
H. Нога,
M.
Lubin,
B.
Yaakobi,
eds., Vol. 5, p. 135
(Plenum Press,
New York, 1981).
68.
Hagelstein
P. L.,
"Physics
of
Short Wavelength Laser Design", Report
No.
UCRL-53100 (Lawrence Livermore National Laboratory, Califor-
nia, 1981);
и
Zimmerman
G. B.
f
Kruer
W. L.,
Comments
on
Plasma
Physics and Controlled Fusion,
2, 51
(1975) (описание LASNEX);
a
также
Kim, et al, J.
Opt. Soc. Am.,
В 6, 115
(1989).
69.
Jacobs V. L., Davis J., Rogerson J. E.
f
Blaha M., J. Quant. Spectros.
and Radiative Transfer,
19, 591
(1978).
70.
Hill
K. W., Bitter M.
f
Fames D.
t
von Goeler S.
f
Sauthoff N. R.
f
Silver
E.,
in: AIP
Conference Proceedings
No. 75,
"Low Energy X-Ray
Di-
agnostics", D.
T.
Atwood,
B. L.
Henke, eds.,
p. 10
(American Institute
of Physics, New York, 1981).
71.
Suckewer
S.,
Fishman
H., J.
Appl. Phys.,
51,
1922 (1980).
72.
Suckewer S.
f
Skinner C. H.
f
Milchberg H.
f
Keane C, Voorhees D.,
Phys.
Rev.
Letters,
55,
1753 (1985).
73.
Keane
C.
f
et al,
Bull. Am. Phys.
Soc, 33,
2041 (1988).
74.
Richardson M. C, Epstein R., Barnouin 0.
t
Jaanimagi P. Α.,
Keck
R.
t
Kim H. G.
t
Marjoribanks R. S., Noyes S.
f
Sources J. M.
t
Yaakobi
В.,
Phys. Rev.,
A 33, 1246
(1986).
120
Глава.
2
75.
Lee Т. N.
t
McLean
Ε. Α.,
Elton
R. С,
Phys.
Rev.
Lett.,
59, 1185
(1987).
76.
Shiraga
#.,
Pull. Am. Phys.
Soc, 33, 1947
(1988).
77.
Jamelot G., Klisnick A.
f
Carillon Α., Guennou #., Sureau Α., Jae-
gle
P., J.
Phys.,
В 18,
4647 (1985).
78.
Key
M.
#.,
Plasma Physics
and
Controlled Fusion,
26,
1383 (1984).
79.
Jaegle
P., La
Recherche,
18, 16
(1987);
и
Jamelot
G., et a/., in:
Proc.International Symposium
on
Short Wavelength Lasers
and
their
Applications,
C.
Yamanaka, ed.,
p. 75
(Springer-Verlag, Tokyo, 1988).
80.
Rossi. N., Boon J., CorbettR.
f
DamerellA.
f
GottfeldtP.
f
Hooker C,
Key Μ. H, Kiehn G., Lewis C, Willi 0., Appl. Optics, 26, 1584
(1987).
81.
Pereira
N. R.
}
Davis "X-Rays From Z-Pinches", Memorandum Re-
port No. 6097, Dec. 15, 1987 (Naval Research Laboratory, Washington,
DC 20375).
82.
Stephanakis S. J., Apruzese J. P., Burkhalter P. G., Davis J.
f
Megcr
R.
Α., McDonald S. W.
f
Mehlman G., Ottinger P. F., Young F. C,
Appl. Phys. Lett.,
48, 829
(1986).
83.
Dukart R., Wong S. L., Dietrich D.
t
Fortner R.,
Stewart
Л., in: Proc.
Fifth Int.
Conf.
High Power Particle Beams
(U.
Calif.,
San
Francisco
California 1983).
84.
Stewart
R. E., Dietrich D. D., Egan P. O., Fortner R. J., Dukart R. J.,
J. Appl. Phys.,
61, 126
(1987).
85.
Spielman R. В., Hanson D. L.
t
Palmer M. A.
f
Matzen M. K.
t
Hus-
sey
T. W.,
Peek
J. Af., J.
Appl. Phys.,
57, 830
(1985).
86.
Захаров С. M.
f
Коломенский Α. Α., Пикуз С. Α., Романова В. Af.,
Самохин
А. И. —
Письма
в
ЖТФ, 1980,
т. 6, с.
1220.
87.
Dixon
R. Η.,
Elton
R. С,
Phys. Rev. Lett.,
38,
1072 (1977).
88.
Elton
R. C,
Opt. Engr.,
21, 307
(1982).
89.
Elton
R. C, Lee Τ. N.,
McLean
Ε. Α., J. de
Physique, Colloque
C9,
48,
359
(1987).
90.
Jacoby D., Pert G. J., Shorrock L. D.
t
Tallents G. ./,, J. Phys. В 115,
3557 (1982).
91.
Jaegle P., Jamelot G., Carillon Α., Sureau Α., Dhez P., Phys. Rev.
Letters,
33,
1070 (1974).
92.
Matthews
D., et a/., J.
Opt. Soc. Am.,
В 4, 575
(1987).
93.
Silfvast
W. Т.,
Wood
O. R., II,
"Threshold
for
Laser Gain
in the
Presence
of a
Mirror Cavity" (неопубликована).
94.
"X-ray
and
Gamma-Ray Imaging Techniques",
D.
Ramsden,
W. B.
Gilboy,
R. P.
Parker.,
A. J.
Dean, eds., Nucl. Instr.
and
Methods
in:
Phys.
Research,
222, 1-187
(1984).
95.
Skinner G. К., там же, p. 33; Skinner G. K., Ponman T. /., J.
British Interplanetary Soc,
40,
169 (1987);
и
Skinner G.
K.,
Scientific
American,
259, 84
(August, 1988).
96.
Schmahl
G.
t
Rudolph
D.,
Niemann
В.,
in: "Low Energy X-ray Diag-
nostics
—
1981", AIP Conference Proceedings No.
75, D. T.
Attwood,