
ренним и внешним поверхностям и от них. Дефекты, будучи очень 
подвижными  при  высоких  температурах,  возникают  и  уничтожа-
ются  на  этих  поверхностях,  и,  следовательно,  их  концентрация 
поддерживается  в  кристалле  за  счет  динамического  равновесия.  С 
понижением  температуры  равновесная  концентрация  вакансий 
уменьшается по экспоненциальному закону. При закалке этот про-
цесс не успевает пройти, и фиксируется избыточная концентрация 
вакансий – металл пересыщается вакансиями.  
В  процессе  закалки  образец  приводят  в  равновесное  состояние 
при  высокой  температуре (температуре  закалки  Т
з
)  и  затем  быстро 
охлаждают до низкой температуры Т
к
, настолько быстро, чтобы со-
хранилась  концентрация  дефектов,  соответствующая  высокой  тем-
пературе. При выборе T
з
, Т
к
 и скорости закалки V
з
 следует учитывать 
ряд обстоятельств. Величина Т
к
 должна быть настолько малой, что-
бы  предотвратить  заметную  убыль  дефектов  до  завершения  необ-
ходимых измерений; Т
з
 должна быть настолько большой, чтобы рав-
новесная концентрация дефектов при Т
з
 была достаточна для прове-
дения  измерений  при  Т
к
;  V
з
  должна  быть  достаточной  для  предот-
вращения процессов диффузии за время охлаждения от Т
з
 до Т
к
. 
Большой избыток вакансий может  возникнуть при  обычной  за-
калке в воду. 
В  период  закалки  в  условиях  пересыщения  вакансиями  они 
склонны к образованию дивакансий. Так как энергия образования у 
дивакансий больше, чем у вакансий (  = 2 – B), концентрация 
F
v
E
2 F
v
E
дивакансий  растет  с  температурой  быстрее.  Таким  образом,  хотя 
при  низких  температурах  значение  концентраций  дивакансий  С
2v
 
много меньше,  чем значение  концентраций моновакансий  С
1v
, оно 
приближается к С
1v
 по мере повышения температуры. 
Расчет показывает, что если энергия связи дивакансий составля-
ет  более 0,3 эВ,  то  в  период  закалки  более 50% вакансий  превра-
щаются  в  дивакансии.  При  закалке  с  высоких  температур,  когда 
вакансии  в  первый  период  охлаждения  еще  очень  подвижны,  они 
могут образовывать и более крупные стабильные скопления. В ча-
стности,  могут  образовываться диски вакансий диаметром  около 
10 нм, при захлопывании которых рождаются дислокации. 
 
189