Sunset Beach, CA: Lattice Press, 2002. - 826 pp. (на англ яз. )
Книга представляет собой 4-й (и последний на сегодняшний день) том
широко известной серии из 4 книг, посвященной технологии СБИС.
Настоящий том посвящен рассмотрению технологических нововведений,
появившихся на рубеже тысячелетий и характерных для поколений СБИС
с минимальным размером элемента 0,18 мкм и менее. Все эти
направления активно развиваются и в настоящее время.
К числу этих технологических направлений относятся:
- медная металлизация,
- межуровневые диэлектрики с низкой диэлектрической
проницаемостью,
- двойной дамаскинный процесс для многоуровневой металлизации,
- диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью,
используемые в качестве подзатворного диэлектрика и в микросхемах
динамической памяти (DRAM),
- 300 мм кремниевые пластины,
- химико-механическая полировка,
- фотолитография в дальней ультрафиолетовой области с
использованием эксимерных лазеров,
- фоторезисты с "химическим усилением" (chemically-amplified),
- эпитаксиальные слои Si:Ge,
- кремний на диэлектрике (SOI).