Барбарош С.С. Литография высокого разрешения в технологии полупроводников

формат doc
размер 157.73 КБ
добавлен 26 октября 2010 г.

Введение.
Оптическая литография объединяет в себе такие области науки, как оптика, механика и фотохимия. При любом типе печати ухудшается резкость края. Проецирование двумерного рисунка схемы ведет к уменьшению крутизны края, поэтому нужен специальный резист, в котором под воздействием синусоидально модулированной интенсивности пучка будет формироваться прямоугольная маска для последующего переноса изображения травлением или взрывной литографией.

Похожие разделы

Смотрите также

Анохин В.З., Гончаров Е.В. и др. Практикум по химии и технологии полупроводников: Учебное пособие для студентов ВУЗов

формат djvu
размер 2.97 МБ
добавлен 02 февраля 2011 г.

(Под общей редакцией Угая Я. А. ) М.: Высш. школа, 1978. - 191 с., ил. В книге дано описание лабораторных работ по химии и технологии полупроводников. Пособие предназначено для изучения основных методов физико-химических исследования конденсированных систем (ДТА, тензиметрические методы, построение P-T-x диаграмм, методы микроструктурного анализа и микротвердости), различных методов синтеза, кристаллизационной очистки и выращивания монокристалло...

Барбарош С.С. Реферат - Радиационные методы литографии

Реферат

формат doc
размер 47.44 КБ
добавлен 26 октября 2010 г.

УГТУ-УПИ, ММФ, Электронное машиностроение, 2010 Введение Литография — способ печати, при котором краска под давлением переносится с плоской печатной формы на бумагу. В основе литографии лежит физико-химический принцип, подразумевающий получение оттиска с совершенно гладкой поверхности (камня), которая, благодаря соответствующей обработке, приобретает свойство на отдельных своих участках принимать специальную литографскую краску. Под литографией...

Бургер Р., Донован Р., ред. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия

формат djvu
размер 4.96 МБ
добавлен 02 октября 2009 г.

М.: Мир, 1969. - 451 с.: ил. (пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича и Ф. П. Пресса). Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся...

Воробьев Ю.В. и др. Методы исследования полупроводников

формат djvu
размер 2.5 МБ
добавлен 28 марта 2011 г.

/ Ю. В. Воробьев, В. Н. Добровольский, В. И. Стриха. К.: Выща шк. Головное изд-во, 1988. - 232 с. , 125 ил. - Библиогр. : 35 назв. ISBN 5-11-000230-4 В учебном пособии рассмотрены методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, термических, термоэлектрических и рекомбинационных параметров, а также параметров, характеризующих поверхность полупроводника). И...

Минаев B.C. Стеклообразные полупроводниковые сплавы

формат djvu
размер 7.97 МБ
добавлен 29 сентября 2010 г.

- М.: Металлургия. 1991. — 407 с. Обобщены данные по широкому спектру исследований практически всех известных подклассов стеклообразных полупроводниковых сплавов: халькогенидных, оксидных, сплавов систем АII-ВIV-В2V и др. Проанализированы существующие концепции стекло-образования. Выявлены периодические закономерности стеклообразования, осуществлен прогноз и поиск новых халькогенидных стеклообразующих систем. Рассмотрены методы получения, структу...

Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов

формат djvu
размер 2.36 МБ
добавлен 15 августа 2011 г.

М.: Энергия, 1979г. - 168с. В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Даны формулы для расчета чувствительности этих приборов к давлению. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций.

Сейсян Р.П. Нанолитография СБИС в экстремально дальнем вакуумном ультрафиолете

формат pdf
размер 726.38 КБ
добавлен 06 апреля 2009 г.

Обзор. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия, 2004 г. Приводятся обзор и обоснование основных идей фотолитографии высокого разрешения в экстремально дальнем вакуумно-ультрафиолетовом диапазоне спектра электромагнитного излучения, разрабатываемых применительно к созданию интегральных схем сверхвысокого уровня интеграции, превосходящих современные ИС по интеграции на 1-2 порядка. Рассматриваются проблемы и совреме...

Трофименко К.А. Разработка технологии и оборудования вакуумной металлизации полимерных пленок для производства гибких печатных плат

Дисертация

формат pdf
размер 4.91 МБ
добавлен 25 сентября 2011 г.

- Москва, - ГОУ ВПО «МАТИ», - 2005, – 133 стр. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Специальность: 05.27.06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. (На правах рукописи). Научный руководитель: доктор технических наук, профессор Слепцов В.В. Аннотация. Целью диссертации является разработка технологии оборудования вакуумной металлизации полимерных плено...

Хамакава Й. Аморфные полупроводники и приборы на их основе

формат djvu
размер 4.45 МБ
добавлен 17 января 2010 г.

М: Металлургия, 1986 г., пер. с англ. под ред. С. С. Горелика Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников.

Quirk M., Serda J. Semiconductor Manufacturing Technology

формат djvu, ppt
размер 65.86 МБ
добавлен 01 января 2012 г.

Prentice Hall, 2000, 666 p. Язык - английский. Технология производства полупроводников. Книга известных американских специалистов (Michael Quirk, Julian Serda) охватывает практически все важнейщие аспекты технологии субмикронных СБИС. Несмотря на то, что она написана в 2000 г., до сих пор книга не потеряла своей ценности и актуальности и не только для отечественного читателя, она по прежнему является одним из основных хрестоматийных учебников по...