Металлургия полупроводников и сверхчистых металлов
  • формат djvu
  • размер 4.95 МБ
  • добавлен 02 декабря 2009 г.
Фалькевич Э.С. и др. Технология полупроводникового кремния
М.: Металлургия, 1992, - 408 с.
Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведены области его применения. Значительное внимание уделено контролю качества продукции, технике безопасности в кремниевом производстве.
Смотрите также

Айнспрук Н. Браун Д. Плазменная технология в производстве СБИС

  • формат pdf
  • размер 68.06 МБ
  • добавлен 09 января 2012 г.
Монография, Москва, МИР, 1987, 471 с. Книга ведущих специалистов из США и Японии, в которой рассмотрены вопросы физики, химии и технологии применения плазменной обработки в производстве СБИС. Это своеобразная энциклопедия по физики, химии процессов осаждения, литографии и травления с применением ионно плазменных методов. Книга предназначена для специалистов в области физики и химии плазмы, технологии микроэлектроники, а также для студентов соотве...

Бургер Р., Донован Р., ред. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия

  • формат djvu
  • размер 4.96 МБ
  • добавлен 02 октября 2009 г.
М.: Мир, 1969. - 451 с.: ил. (пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича и Ф. П. Пресса). Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся...

Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов

  • формат djvu
  • размер 3.81 МБ
  • добавлен 01 июля 2011 г.
Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...

Каменская А.В. (сост.) Технология материалов и изделий электронной техники

  • формат pdf
  • размер 986.12 КБ
  • добавлен 07 августа 2011 г.
Учебное пособие, НГТУ,Новосибирск, 1999, 58 с. Учебное пособие для студентов заочной и дневной форм обучения. Специальность 200200 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы". В учебном пособии изложены основы технологических схем получения и очистки важнейших полупроводниковых материалов, используемых в электронной технике. Содержание: Технологические методы выращивания монокристаллов полупроводников из расплавов. Тигельные методы. Бестигель...

Курсовая работа - Расчет полупроводниковых диодов

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 425.63 КБ
  • добавлен 27 июня 2010 г.
Расчет полупроводниковых диодов. Введение. Полупроводниковые диоды. Анализ конструкций и технологии Изготовления. Полупроводниковые диодыи. Анализ конструкций. Технология изготовления. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Расчет электрофизических параметров полупроводникового диода. Исходные данные. Расчет. Заключение. Список литературы.

Пирс К., Адамс А., Кац Л., Цай Дж., Сейдел Т., Макгиллис Д. Технология СБИС (книга 1)

  • формат djvu
  • размер 4.45 МБ
  • добавлен 02 октября 2009 г.
В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. /Под ред. С. Зи - М.: Мир, 1986г. , 404 стр. В книге ведущих американских специалистов освещены вопросы изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, дифузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикр...

Полупроводниковый лазер

  • формат doc
  • размер 176 КБ
  • добавлен 18 декабря 2011 г.
Введение. Полупроводниковые лазеры. Общие понятия. Устройство полупроводникового лазера. Принцип работы лазера. Параметры и свойства полупроводникового лазера. Классификация и система обозначений. Заключение. Список используемых источников.

Слабухин Александр. Диоды с барьером Шоттки на основе карбида кремния

  • формат pdf
  • размер 390.55 КБ
  • добавлен 20 мая 2010 г.
Компоненты и технологии № 2'2005 Повышение производительности, достигающееся при использовании высоковольтных выпрямителей на основе карбида кремния в бустерных преобразователях, может использоваться для увеличения выходной мощности, частоты коммутации в устройствах небольших размеров или для повышения их надежности. Диоды Шоттки на основе карбидакремния компании Cree отлично подходят для повышения производительности, к тому же, сих помощью можн...

Электроника и микроэлектроника

  • формат pdf
  • размер 87.71 МБ
  • добавлен 26 февраля 2011 г.
Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы. Огл...

Wolf S., Tauber R.N. Silicon Processing for the VLSI Era. Vol. 1. Process Technology

  • формат pdf
  • размер 37.7 МБ
  • добавлен 01 февраля 2011 г.
Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1986. - 684 pp. (на англ яз. ). Книга представляет собой первый том широко известной серии из 4-х книг, охватывающей практически все вопросы технологии СБИС. Несмотря на то, что книга написана в 1986 г., во многом она не потеряла своей ценности и в настоящее время. В книге удачно воплощено стремление осветить все аспекты технологии СБИС с единой точки зрения, при этом весь материал книги отличается высоким уровнем...