• формат pdf
  • размер 6.38 МБ
  • добавлен 01 сентября 2011 г.
Гременок В.Ф., Тиванов М.С., Залесский В.Б. Солнечные элементы на основе полупроводниковых материалов
Минск. БГУ. 2007. 222 с.

В коллективной монографии представлены наиболее важные результаты достижений последних лет по основным проблемам полупроводниковой гелиоэнергетики. В издании изложены не только теоретические аспекты той или иной проблемы, но и описаны технологии получения и конструкции по-лупроводниковых солнечных элементов и действующих модулей, а также показаны перспективы внедрения фотопреобразователй в практику. Книга будет полезна специалистам, работающим в области полупроводникового приборостроения и тонкопл?ночной электроники, а также студен-там и аспирантам соответствующих специальностей.

Содержание.
Анализ тенденций развития гелиоэнергетики в мире и е? перспективы для Республики Беларусь.
Преобразование солнечного света.
Обзор основных типов солнечных элементов на основе полупроводниковых материалов.
Солнечные элементы на основе CuInSe2 и родственных материалов.
Методы исследований солнечных элементов.
Читать онлайн
Смотрите также

Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур

  • формат djvu
  • размер 2.77 МБ
  • добавлен 28 марта 2011 г.
/ В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с., ил. (Измерения в электронике). Рассмотрены физические основы методов измерений электрофизических и структурных параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев, а также освещены вопросы их практической реализации. Анализируются причины возникновения погрешностей, даются рекомендации по ограничению и устранению источников ошибок измерений. Приводят...

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. Основы физики полупроводников

  • формат djvu
  • размер 4.41 МБ
  • добавлен 14 февраля 2011 г.
Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса "Полупроводники и полупроводниковые приборы" для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах. Приведены физические процессы, происхо...

Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов

  • формат djvu
  • размер 3.81 МБ
  • добавлен 01 июля 2011 г.
Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...

Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

  • формат djvu
  • размер 1.48 МБ
  • добавлен 29 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .3. - М.: Высшая школа, 1989. - 143 с.: ил. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения...

Каленик Д.В. Технология материалов электроники

  • формат pdf
  • размер 1.23 МБ
  • добавлен 12 августа 2010 г.
Учебное пособие. – Челябинск: Изд. ЮУрГУ, 2001. ? Ч .1. ? 119 с. В пособии рассмотрены вопросы технологии полупроводниковых, магнитных, диэлектрических и проводниковых материалов, широко применяющихся в электронике и микроэлектронике, прогрессивные технологии производства тонкопленочных материалов и наращивания на подложку монокристаллических эпитаксиальных пленок, планарная технология производства интегральных схем, методы создания p?n- переходо...

Колосницын В.С., Стешенко П.П., Шульгов В.В. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

  • формат pdf
  • размер 8.57 МБ
  • добавлен 05 марта 2010 г.
Минск, Амалфея, 2002, 272 с. Учебное пособие написано в соответствии с учебной программой курса «Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы». Рассматриваются основы физики полупроводников, принципы действия и особенности полупроводниковых приборов, общие вопросы терминологии ИМС. Дано описание материалов, из которых изготовлены элементы микросхем и конструкций транзисторов. Для учащихся ПТУ приборостроения, электротехники и электроники.

Корольков В.И., Рахимов Н. Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур

  • формат djv
  • размер 1.2 МБ
  • добавлен 17 января 2010 г.
Ташкент: Фан, 1968. - 152 с.: ил. В книге рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных...

Курносов А.И. Материалы

  • формат djvu
  • размер 859.78 КБ
  • добавлен 29 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов

  • формат djvu
  • размер 3.46 МБ
  • добавлен 24 октября 2010 г.
Учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы". - 2-е издание, переработанное и дополненное - Москва: - Высшая школа, 1987. - 239 с. В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей

Электроника и микроэлектроника

  • формат pdf
  • размер 87.71 МБ
  • добавлен 26 февраля 2011 г.
Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы. Огл...