В гранулированных нанопленках структура имеет вид диамагнитной
(например, Cu) или парамагнитной (например, Re) матрицы, содержащей на-
новключения ферромагнитного материала (например, Co, Fe, Ni). Первона-
чально интерес к гранулированным сплавам появился вследствие возможно-
сти использования их в качестве магниторезистивных элементов вместо тра-
диционно применяемых датчиков на основе пленок пермаллоя. По сравне-
нию с последними, нанопленки на основе гранулированных сплавов более
перспективны из-за того, что, во-первых, при определенных условиях они
обладают эффектом (ГМС), и, во-вторых, по сравнению с ферромагнитными
сплавами имеют более низкие шумы из-за отсутствия доменных стенок. Та-
кие нанопленки эффективно использовать в качестве материала носителя
информации в устройствах со сверхвысокоплотной записью. Мелкие одно-
доменные частицы ферромагнитного металла, например Co, образуют супер-
парамагнитный ансамбль магнитных моментов, имеющих в отсутствие
внешнего магнитного поля произвольную ориентацию вследствие теплового
движения. Во внешнем поле эти моменты приводятся в упорядочение, что
обусловливает более низкое резистивное состояние.
Магнитные и магниторезистивные свойства гранулированных сплавов
определяются, главным образом, распределением магнитных кластеров по
размерам в немагнитной матрице, расстоянием между ними и степенью рез-
кости перехода химического состава между наногранулами и матрицей.
Одной из наиболее перспективных систем, проявляющих ГМС, является
система Cu/Co, которую можно использовать для формирования как много-
слойных, так и гранулированных нанопленочных покрытий.
В практическом отношении весьма перспективны структуры, обладаю-
щие эффектом туннельного магнитосопротивления. Наибольшее распростра-
нение получили многослойные структуры, которые формируются из ферро-
магнитных слоев Со, CoCr, CoFe или других ферромагнитных сплавов, раз-
деленных слоем толщиной до нескольких нанометров из таких диэлектриков,
как А1
2
О
3
, MgO, Та
2
О
3
.
Магнитосопротивление туннельных переходов является функцией при-
ложенного напряжения, напряженности магнитного поля и температуры. В
отсутствие магнитного поля туннельный переход, если он идеальный, имеет
почти постоянную проводимость при низких смещениях, которые находятся
в мВ-диапазоне. При более высоких напряжениях наблюдается близкая к па-
раболической зависимость проводимости от прикладываемого напряжения.
Типичная зависимость магнитосопротивления от направления и напряженно-