Утас Т.В. Количественный анализ атомной структуры поверхности фаз на кремнии с помощью сканирующей туннельной микроскопии

Диссертация. кандидата физико-математических наук (
01.04.07. - физика конденсированного состояния). - Владивосток, 2006. - 166 с.: ил.

Научная новизна работы. Работа содержит новые экспериментальные и методические результаты, наиболее важные из которых следующие:
1, Разработана методика определения плотности атомов кремния в верхнем атомном слое поверхностных структур. Определены условия, при которых данная методика дает результаты с минимальной ошибкой.
2. Получена информация о составе и структуре поверхности гамма-фазы Аl / Si(111). Для нее предложена атомная модель несоразмерной структуры с доменными границами.
3. Определены положения атомов в поверхностной фазе Si(111) и предложена ее атомная модель.
4. Исследован механизм образования упорядоченного массива магических нанокластеров Аl Si на поверхности. Показано, что структурная модель, предложенная для нанокластеров металлов III группы In и Ga, подходит и для Аl.
о. Определен состав магических нанокластеров InSi на Si(100) и подтверждена ранее предложенная атомная модель кластера In6Si
7. Обнаружена возможность легирования нанокластера с изменением его электронных свойств от полупроводниковых к металлическим.