закону Мотта (см. § 2.4). Расчеты показали, что для подпороговых доз
имплантации, когда перекрытие пироуглеродных «капель» отсутствует или
невелико, значение m близко к 1/2. Для околопороговых доз имплантации
значение m меняется с температурой и находится в интервале между 1/2 и 1/4.
Согласно теории Мотта и в соответствии с обобщенной моделью проводимости,
данные зависимости свидетельствуют об одно-, двух- и трехмерных механизмах
проводимости с переменной длиной прыжка. При высоких дозах имплантации
значение m находится в интервале 0,7—0,8. Это может означать, что транспорт
носителей заряда осуществляется не только прыжковым механизмом с
переменной длиной прыжка, но и за счет образования электронного газа в слое.
В последнем случае проводимость сопряженных полимеров может
рассматриваться в рамках зонной теории, аналогичной той, которая разработана
для анизотропных полу проводников, и процессы переноса носителей заряда
могут быть обусловлены солитонами, поляронами и биполяронами в
зависимости от условий ионной имплантации. Существуют также версии
экситонного механизма проводимости.
Обобщая приведенные данные можно предложить следующую качественную
модель транспорта носителей заряда в имплантированных полимерах в
зависимости от уровня их модификации и деградации.
Для случая низких доз имплантации полимерных пленок, когда перекрытие
образующихся при ионном внедрении пироуглеродных «капель» еще невелико,
π-электроны являются делокализованными и могут перемещаться по системе
сопряжения в каждой отдельной «капле», однако переход носителей заряда от
«капли» к «капле» затруднен вследствие слабого перекрытия волновых функций
электронов. Поэтому время, необходимое для резонансного переноса
избыточного носителя от одного кластера к другому, будет относительно
большим и достигает таких значений, при которых наиболее эффективен
прыжковый механизм переноса носителя заряда.
Для доз, соответствующих эффективному перекрытию «капель», прыжковый
механизм будет работать наряду с механизмом проводимости по π-электронам с
учетом возможности формирования электронного газа в областях, образованных
перекрывшимися пироу глеродными кластерами в границах тонкого
модифицированного ионным внедрением слоя.
В случае высокодозового внедрения, соответствующего образованию
сплошного карбонизованного слоя, происходит формирование сети
сопряженных связей. Такая сопряженная система характеризуется тем, что
облака π-электронов взаимодействуют друг с другом по всему слою, создавая
единую π-электронную систему, и возможно даже формирование
квазидвумерного электронного газа.
Таким образом, в случае ионно-имплантированных полимеров-
диэлектриков в зависимости от природы полимера и условий имплантации могут
реализовываться различные варианты проводимости, а выбор адекватной модели
77