
384
ГЛ.
10.
НАЧЕСТВО
ИЗОБРАЖЕНИЯ
И
РАЗРЕШЕНИЕ
структуры.
Но
такая
методика
требует
большего
понимания
химии
явления.
Активные
центры
окрашивания
являются
вер~ятно,
участками
молекул,
обладающими
специфическим~
~~~иствами,
Которые
важны
не
только
тем,
что
способствуют
лощению
атомов
металла.
Метод
изоморфного
замещения
(см
~~.
9)
наиболее перспективен
с
точки
зрения
получения
фазово~
нтрастных
!lЗОбражений,
содержащих
информацию
относитель
но
положении
атомов
в
сложных
молекулах.
ЛИТЕРАТУРА
~:
g 1 h
е
r z
е
r
О.,
Journ.
Appl.
Phys.,
20, 20 (1949).
\
Н
i
а
~ е
r
W.,
Zs.
Phys.,
121, 647 (1943).
3.
Ca:t
1
,!.,
Journ.
Electron
.Microscopy, 4, 10 (1956);
11,244
(1962)
4.
р.
317~
1 n g
R.,
Advances
ш
Electronics,
vol.
XIII,
New York, 1960:
5.
в
?
е
~
s
с
h
Н.,
М
i
е
s s n
е
r
Н.,
Zs.
Phys.,
168,298
(1962)
6.
~
~
ь
~
Т.,
Journ.
Electron
Microscopy 3 15 (1955) .
7.
1~6~~
p~p'e/~it/nt.
Congr.
Electron
'Mlcroscopy,
~ol.
1, New York,
8.
~
~
~
k
e
r
W.,
9-rundlagen
der
E1ectronen-Optik, Vienna, 1952.
9.
Рарег
~-f"
Flfth
Int.
Congr. E1ectron Microscopy, New York, 1962,
l~:
~
~
~
i:-
L.
W.,
Journ.
U,Itrastructure Res., 4, 92 (1960);·5, 409 (1961).
Microsco~y~·v~i.'
~
~~lf1,
\e96~'
F·'1~~oc.
European
Reg. Conf.
Electron
12. D
о
w
е
11
W
С
Т
F'f
h '
р.
.
1962,
Рарег
·КК-12'.
1 t
Int.
Congr. E1ectron Microscopy, New York,
13.
DB~I,;.e
11
W.
С.
Т.,
Journ.
Phys.
Soc.
Japan,
17, 175 (1962),
Suppl.
14.
KS~P~I~1~II~"
Uyeda
R.,
Journ.
Phys.
Soc.
Japan,
17,
191
(1962),
15.
Н
е
i
d.
е
n r
е
i
с
h R.
D.,
J ourn.
Аррl
..
Phys.,
34 964
l~'
~?
1
{в
с
h
Н.,
Zs.
Naturforsch.,
2а,
615
(1947).'
(1963).
.
1.
е
r
J.,
Phys.
Rev.,
60, 743 (1941).
18.
S
с
h
~
f f L. 1.,
РЬув.
Rev.,
61, 391 (1942)
26~'
S
с
h
l!
f L. 1.,
Phys.
Rev.,
61,
721
(1942).'
.
д
м
Ж
е
1
и
95
м
о
еР.
'З05потические
принципы
дифракции
рентгеновских
лучей
.,
,
стр.
. '
ГЛАВА
11
Изображения
ОТR.JIОНЯЮЩИХ
ПО.JIе:А
Действие
линз
электронного
микроскопа
основано
на
измене-
.
нии
траекторий
электронов
магнитными или
ЭЛeI{тростатическими
полями
задаваемой
формы.
В
случае
электростатического
поля
напряженностью
F
сила,
действующая
на
ЭЛeI\ТРОН
со
стороны
поля,
равна
-еР
и
направлена
противоположно
напряженности
поля.
Со
стороны
магнитного
поля
напряженностью
Н
на
движу
щийся
электрон
действует
сила
Лоренца
_":"у
х
Н
с
'
(11.1а)
направленная
перпендикулярно
как
направлению
движения
электрона
(т.
е.
вектору
скорости
и),
так
и
направлению
напря
женности
поля
Н.
Таким
образом,
если
в
исследуемом
образце
имеются
электрические
или
магнитные
поля,
ТО
это
приведет
к
изменению
траекторий
падающих
электронов.
Например,
изоляторы
под
действием
электронного
пучка
обычно
заряжаются,
и
при
этом
возникают
сильные
локальные
электрические
поля,
которые
могут
отклонять
падающие
электроны.
В
сегнетоэлектри
ках
имеются
электрические
домены,
в
какой-то
мере
похожие
на
домены
в
ферромагнитных
материалах.
Ферромагнитные
пленки
вызывают
отклонение
пучка
вследствие
их
намагниченности
и
поверхностных
полей
рассеяния.
На
дифракционной
картине,
представленной
на
фиг.
90,
видно
искажение
дифракционных
пятен
сильными
локальными
полями
вблизи
частиц
выделений.
При
соответственно
выбранных
условиях
на
просвечивающем
электронном
микроскопе
можно
исследовать
распределение
внут
ренних
полей.
Такие
исследования
имеют
большое
значение
в
случае
магнитных
сплавов,
для
которых
корреляция
между
распределением
полей
и
физическими
свойствами япляется
одной
из
главных
проблем.
В
этом
смысле
ситуация
более
понятна
в
случае
высококоэрцитивных
или
магиитожестних
сплавов
типа
альнико
V
(см.
фиг.
35),
чем
в
случае
магнитомягних
материалов,
25
Р.
Хейденрайх