Похожие разделы

Переход от микроэлектроники к наноэлектронике

Реферат
  • формат doc
  • размер 255,03 КБ
  • добавлен 29 февраля 2016 г.
УлГПУ, 2014, 27 стр Специальность - физика Наноэлектроника Квантовые эффекты Причины перехода к наноэлектронике Применение наноматериалов

Перспективы приборных применений графена в электронике

Презентация
  • формат ppt
  • размер 3,14 МБ
  • добавлен 13 октября 2013 г.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (кафедра микро- и наноэлектроники), Москва, проф. Зебрев Г.И., 2011., 47 слайдов Дисциплина «Микро- и наноэлектроника» Кремниевая КМОП технология Кремниевый МОП транзистор - основа современной электроники Почему кремний? Почему МОП транзистор? МОП транзистор - классический прибор Почему КМОП технология? Барьер как необходимое условие цифровой электроники Альтернативные материалы для электр...

Подлепецкий Б.И., Гуменюк С.В. и др. Лабораторный практикум по курсу Датчики на основе микро - и нано-технологий

Практикум
  • формат djvu
  • размер 569,59 КБ
  • добавлен 19 мая 2012 г.
Подлепецкий Б.И., Гуменюк С.В., Никифорова М.Ю., Самотаев Н.Н. Учебное пособие. - М.: НИЯУ МИФИ, 2010. – 56 с. В практикуме содержатся введение и восемь лабораторных работ. Приведены описания измерительных стендов и макетов, перечень рабочих заданий, контрольные вопросы и требования к оформлению отчетов о лабораторных работах по курсу Датчики на основе микрои нанотехнологий, читаемому студентам факультета автоматики и электроники, высшего физичес...

Поплавко Ю.М. та ін. Мікроелектроніка і наноелектроніка. Вступ до спеціальності

  • формат pdf
  • размер 8.1 МБ
  • добавлен 08 апреля 2011 г.
Навч. посіб. – К.: НТУУ «КПІ», 2010. – 160 с. Розглянуто елементарні наукові засади та напрями розвитку твердотільної інтегральної електроніки (мікроелектроніки), фізичні основи нового напряму – наноелектроніки, що охоплює нову науково-технічну галузь – магнітоелектроніку (спінтроніку), а також численні біологічні й технологічні аспекти нанотехнологій. Посібник підготовлено на основі багаторічного досвіду читання лекцій з курсу та з використанням...

Поплавко Ю.М., Борисов О.В. та ін. Мікроелектроніка і наноелектроніка. Вступ до спеціальності

  • формат djvu
  • размер 2,91 МБ
  • добавлен 08 мая 2012 г.
Навчальний посібник. – Поплавко Ю. М., Ільченко В.І., Якименко Ю.І. - К.: НТУУ КПІ, 2010. – 160 с. - Для студентів вищих навчальних закладів технічних і фізичних спеціальностей у галузях електроніки, мікроелектроніки та нанотехнологій. ISBN 978-966-622-350-3 Розглянуто елементарні наукові засади та напрями розвитку твердотільної інтегральної електроніки (мікроелектроніки), фізичні основи нового напряму – наноелектроніки, що охоплює нову науково-т...

Презентация - Введение в наноэлектронику

Презентация
  • формат ppt
  • размер 7.69 МБ
  • добавлен 20 декабря 2010 г.
Элективный курс в программу по физике для учащихся 10-11 классов В доступной форме описывается начало нового раздела физики полупроводников - наноэлектроники. Излагаются основные достижения наноэлектроники и нанотехнологии, сделанные к последнему времени. Презентация создана для привлечения интересов школьников 10-11 класса, углубления их знания о современном состоянии физики и ее перспективах.

Семенов А.Л., Гаврилюк А.А., Душутин Н.К., Ясюкевич Ю.В. Магнитные материалы микро- и наноэлектроники

  • формат pdf
  • размер 2,45 МБ
  • добавлен 27 декабря 2015 г.
Иркутск: Изд-во ИГУ, 2012. — 147 с. ISBN 978-5-9624-0624-4 Пособие содержит основы теории намагничивания ферромагнетиков, описание структуры и свойств магнитных материалов, включая классификацию методов записи информации для ЭВМ. Обсуждаются магнетики с гигантским магнитным сопротивлением и магнитоэлектрические материалы; приведены также основы логической магнитоэлектроники; отдельные главы посвящены преобразователям магнитного поля, классическо...

Сергеев В.А. Элементы и устройства наноэлектроники

  • формат pdf
  • размер 2,87 МБ
  • добавлен 02 февраля 2017 г.
Учебное пособие. — Ульяновск: Ульяновский государственный технический университет (УлГТУ), 2016. — 137 с. — ISBN 978-5-9795-1606-6. В пособии рассмотрены теоретические основы и физические принципы работы элементов и устройств наноэлектроники. Описано современное состояние и перспективы развития технологий наноэлектроники. Основное внимание уделено проблемам практической реализации достижений современной науки в конкретных элементах и устройства...

Смирнов С.В. Методы и оборудование контроля параметров технологических процессов производства наногетероструктур и наногетероструктурных монолитных интегральных схем

Практикум
  • формат pdf
  • размер 2,45 МБ
  • добавлен 31 декабря 2011 г.
Лабораторный практикум. - Томск, ТУСУР, 2010. - 97 с. Приведены четыре лабораторные работы, в основу которых положены четыре наиболее распространенных и перспективных физических метода контроля параметров технологических процессов производства наногетероструктур и наногетероструктурных монолитных интегральных схем – спектрометрическое оценивание толщины тонких пленок, рамановская и ИК Фурье-спектрометрия, растровая электронная микроскопия. Для сл...

Смирнов С.В. Методы и оборудование контроля параметров технологических процессов производства наногетероструктур и наногетероструктурных монолитных интегральных схем

  • формат pdf
  • размер 1,77 МБ
  • добавлен 24 декабря 2011 г.
Учебное пособие. - Томск, ТУСУР, 2010. - 115 с. Изложены описания основных современных методов исследования и диагностического оборудования для контроля параметров технологических процессов производства наногетероструктур и наногетероструктурных монолитных интегральных схем. Раскрыты возможности этих методов. Показано, каким образом совместное использование нескольких методов позволяет получить достоверную информацию о физических свойствах исслед...

Смирнов С.В. Методы исследования надежности наногетероструктурных монолитных интегральных схем

  • формат pdf
  • размер 1,31 МБ
  • добавлен 19 января 2012 г.
Учебное пособие. - Томск, ТУСУР, 2010. - 95 с. Приведены сведения об основных понятиях теории и количественных показателях качества и надежности наногетероструктурных монолитных интегральных схем; рассмотрены методы контроля качества, расчета и оценки надежности, ускоренных испытаний на надежность и долговечность, а также вопросы прогнозирования и повышения показателей качества и надежности интегральных схем. Для слушателей программы переподготов...

Смирнова Т.П., Кузнецов Ф.А., Яковкина Л.В., Каичев В.В., Косяков В.И., Лебедев М.С., Кичай В.Н. Получение и характеризация альтернативных диэлектриков на основе HfO2 для наноэлектроники нового поколения

  • формат pdf
  • размер 212,87 КБ
  • добавлен 20 февраля 2014 г.
М.: ИНХ им. Николаева А.В. СО РАН, ИК им. Борескова Г.К. СО РАН, 2010. — 3 с. Аннотация: К настоящему времени практически достигнута предельная степень интеграции электронных микросхем на основе композиции Si/SiO2. Дальнейшая миниатюризация требует замены используемых материалов. Так, в качестве подзатворного диэлектрика оксид кремния необходимо заменить на материал с большим значением коэффициента диэлектрической проницаемости, так называемый «...

Татаренко Н.И., Кравченко В.Ф. Автоэмиссионные Наноструктуры и Приборы на их Основе

  • формат djvu
  • размер 3.56 МБ
  • добавлен 12 декабря 2010 г.
М., Физматлит, 2006 г. , 195 стр. В книге дан анализ современного состояния и тенденций развития вакуумной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены физико-химические основы процесса создания нового класса автоэмиссионных наноструктур на базе нанопористого анодного оксида алюминия. Приведены результаты исследований их геометрических параметров, элементного состава и эмиссионных характеристик. Представлена принципиально новая интегральная технология с...

Ткалич В.Л., Макеева А.В., Оборина Е.Е. Физические основы наноэлектроники

  • формат pdf
  • размер 1.3 МБ
  • добавлен 11 июня 2011 г.
Учебное пособие. - Санкт-Петербург, СПбГУ ИТМО, 2011. – 83с. В учебном пособии рассмотрены физические основные наноэлектроники. Технологии создания твердотельных наноструктур, применение квантово-размерных структур в приборах наноэлектроники. Учебное пособие соответствует утвержденным учебным программам по направлениям 211000 – «Конструирование и производство электронно-вычислительных средств» для бакалавров и 210200.6805 – «Технологии и инстру...

Троян П.Е., Сахаров Ю.В. Наноэлектроника

  • формат pdf
  • размер 1,40 МБ
  • добавлен 20 января 2012 г.
Учебное пособие. - Томск, ТУСУР, 2010. - 88 с. Для слушателей программы переподготовки в области промышленного производства наногетероструктурных монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона и дискретных полупроводниковых приборов. Физические основы наноэлектроники. Способы формирования квантово-размерных наноструктур. Квантовые эффекты. Устройства наноэлектроники.

Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Измерение электропроводности нанометровых металлических пленок в слоистых структурах по спектрам отражения электромагнитного излучения

  • формат djvu
  • размер 743.71 КБ
  • добавлен 04 августа 2011 г.
Учебное пособие для студ. фак. Нано- и биомедицинских технологий. – Саратов, СГУ, 2007. - 84 с. Авторы: Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Изложены результаты теоретического описания взаимодействия СВЧ-излучения с полупроводниками, металлодиэлектрическими и металлополупроводниковыми структурами, положенные в основу различных СВЧ-методов измерения параметров полупроводников, микро- и наноструктур. Рассмотрены особенности п...

Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физические основы наноэлектроники

  • формат pdf
  • размер 2,16 МБ
  • добавлен 22 января 2014 г.
Учебное пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий. — Саратов, 2013. — 128 с. : ил. — Электронное издание. — ISBN 5-292-01986-0 Учебное пособие посвящено изложению физических основ наноэлектроники. Описаны явления переноса носителей заряда в гетероструктурах с селективным легированием. Рассмотрены квантовые эффекты в структурах с пониженной размерностью, описаны новые типы микро- и наноэлектронных и оптоэлектронных приборо...

Филатов Д.О., Исаков М.А., Круглова М.В. Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si

  • формат pdf
  • размер 3.79 МБ
  • добавлен 05 марта 2011 г.
Нижний Новгород, ННГУ, 2010. – 118 с. В пособии описаны процессы роста, особенности энергетического спектра, оптических и фотоэлектрических явлений в гетероструктурах с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si(001), а также приборные применения данных гетероструктур. Значительное внимание уделено исследованиям гетероструктур с самоформирующихся наноостровками GeSi/Si(001), выполненным в Нижегородском университете. Пособие рекомендуется студентам...

Филиппов В.В., Заворотний А.А., Мицук С.В. Энергетический спектр носителей заряда в структурах наноэлектроники

  • формат pdf
  • размер 17,51 МБ
  • добавлен 13 мая 2012 г.
Липецк: ЛГПУ, 2012. - 72 с. Учебное пособие для студентов высших учебных заведений. Настоящее учебное пособие содержит 3 главы, посвященных описанию теоретических методов расчета электронных свойств низкоразмерных структур и моделированию квантово-энергетических параметров полупроводниковых наноструктур в рамках представлений квантовой механики. Пособие предназначено студентам высших учебных заведений при усвоении дисциплин: «Наноэлектроника», «...

Чаплыгин Ю.А. (ред) Нанотехнологии в Электронике

  • формат djvu
  • размер 18.93 МБ
  • добавлен 22 мая 2010 г.
М., Техносфера, 2005 г. 450 стр. В коллективной монографии представлен комплекс исследований, который позволяет уже сейчас применять их результаты для разработок, имеющих важное прикладное значение. Практическое применение принципов нанотехнологии демонстрируется на примерах создания оптических волокон с фотонно-кристаллической структурой, интегральных волноводов на основе субмикронных брэгговских решеток, нелинейно-оптических устройств преобразо...