Физические основы электроники (ФОЭ)


Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников

Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников

  • разное
  • pdf
  • 7.62 МБ
  • добавлен 06.02.2012
Издание 2-ое. Учебник. Москва, 1978, 616 стр. с иллюстрациями

Из предисловия к первому изданию
Книга предназначена для лиц, занимающихся экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеал...
Смирнов В.И. Физико-химические основы технологии электронных средств: учебное пособие

Смирнов В.И. Физико-химические основы технологии электронных средств: учебное пособие

  • разное
  • pdf
  • 1.06 МБ
  • добавлен 30.01.2012
Ульяновск: УлГТУ, 2005.- 112 с. ISBN 5-89146-600-0
Рассмотрены основные технологические операции производства электронных средств с точки зрения физических явлений, сопутствующих или лежащих в основе той или иной операции. Основное внимание уделено технологии полупроводниковых микросхем, которые реализуются в приповерхностно...
Филатов Б.Г., Шелест Д.К., Воротынцев В.Ю. Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств: Лабораторный практикум

Филатов Б.Г., Шелест Д.К., Воротынцев В.Ю. Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств: Лабораторный практикум

  • разное
  • pdf
  • 593.7 КБ
  • добавлен 26.01.2012
СПбГУАП. СПб., 2005. 52 с.: ил.
Приведены краткие теоретические сведения и методические указания к выполнению четырех лабораторных работ по курсу Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств.
Предназначен для студентов инженерных специальностей 200800 и 220500 всех форм обучения.
- Исследован...
Репкин Д.А. Физические основы электроники

Репкин Д.А. Физические основы электроники

  • разное
  • doc
  • 5.4 МБ
  • добавлен 23.01.2012
Учебное пособие/ Репкин Д.А. – Киров: Изд-во ВятГУ, 2007. – 158 с.
В пособии содержатся основные теоретические сведения из зонной теории и теории проводимости полупроводников, физические основы работы p-n-переходов и приборов на их основе, указаны технологические особенности применения диодов, описаны конструкция и технологи...
Демьянов В.В., Сидельцев C.В. Лабораторные работы по электронике часть 2

Демьянов В.В., Сидельцев C.В. Лабораторные работы по электронике часть 2

  • разное
  • pdf
  • 3.4 МБ
  • добавлен 23.01.2012
Методические указания к лабораторным работам по курсам
Физические основы электроники ,
Физические основы промэлектроники ,
Информационно-измерительная техника и электроника
ГУ КузГТУ 2009
Курсовая работа - Расчет усилительного каскада с общим коллектором

Курсовая работа - Расчет усилительного каскада с общим коллектором

  • курсовые
  • doc
  • 445 КБ
  • добавлен 15.01.2012
Курсовая работа.
Содержание.
Введение.
Теоретическая часть:
Принцип действия усилителя.
Схема включения.
Практическая часть:
Схема.
Расчет элементов схем.
Выбор элементов схем.
Заключение.
Литература.
Ружников В.А. Электронно-дырочный переход

Ружников В.А. Электронно-дырочный переход

  • разное
  • pdf
  • 400.4 КБ
  • добавлен 01.01.2012
Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с.
Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры.
Бол...
Ответы по ФОЭ

Ответы по ФОЭ

  • шпаргалки
  • doc
  • 633 КБ
  • добавлен 22.12.2011
Зачет, УГАТУ, Уфа/Россия, Андреев И.Б., 2011, Полупроводниковый диод – это:
Биполярный транзистор – это:
Тиристор – это:
Режимы работы биполярного транзистора при усилении электрических сигналов (указать
все варианты):
Режимы работы биполярного транзистора в качестве электронного ключа (указать все
вариан...
Ягубов З.Х. Физические основы электроники

Ягубов З.Х. Физические основы электроники

  • разное
  • doc
  • 2.39 МБ
  • добавлен 18.12.2011
Учебное пособие. - З. Х. Ягубов , С. В. Горшков. Ухта: УГТУ, 2002. - 99с., ил.

ISBN 5-88179-387-0

Учебное пособие предназначено для студентов специальности 180400 - «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов» и направления бакалавра 551300 - «Электротехника, электромеханика ...
Ягубов З.Х. Физические основы электроники: методические указания и контрольные задания

Ягубов З.Х. Физические основы электроники: методические указания и контрольные задания

  • разное
  • pdf
  • 8.87 МБ
  • добавлен 18.12.2011
- З. Х. Ягубов, И. А. Тарасенко. - Ухта: УГТУ, 2001. - 22 с., ил.

Методические указания и контрольные задания предназначены для выполнения контрольных работ по дисциплине "Физические основы электроники" для студентов II курса ФБО "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов"

В...
Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников

Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников

  • разное
  • pdf
  • 4.44 МБ
  • добавлен 17.12.2011
Москва, Издательство Наука , 1978 год - 285 стр
В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В к...
Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники (конспект лекций)

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники (конспект лекций)

  • разное
  • pdf
  • 7.67 МБ
  • добавлен 30.11.2011
Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с.
Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы:
Физические основы работы полупроводниковых приборов.
Полупроводниковые диоды.
Биполярные транзисторы.
Полевые транзисторы.
Тиристоры.
Оптоэлектронные полупроводниковые прибо...
Задачи по полупроводникам

Задачи по полупроводникам

  • лабараторные
  • doc
  • 100.5 КБ
  • добавлен 14.11.2011
Задачи по физике для специальности АУ, 3 семестр.
Собственная концентрация носителей; равновесная концентрация электронов и дырок; ширина запрещенной зоны; коэффициент диффузии электронов; удельное сопротивление образца легированного акцепторной примесью; отношение собственной удельной проводимости к минимальной; время жизни...
Бондаренко Б.В. Эмиссия электронов и ионов из твердого тела в вакуум

Бондаренко Б.В. Эмиссия электронов и ионов из твердого тела в вакуум

  • разное
  • djvu
  • 3.1 МБ
  • добавлен 08.11.2011
Учебное пособие.- М.: Издательство МФТИ, 1982.- 83 с.

Данное учебное пособие по курсу "Основы вакуумной электроники предназначено для студентов третьего курса факультета физической и квантовой электроники МФТИ в соответствии с учебным планом их подготовки по специальности 0631 - автоматика и электроника. Все виды электр...
Задачи по Основам теории цепей

Задачи по Основам теории цепей

  • лабараторные
  • doc
  • 1.98 МБ
  • добавлен 06.11.2011
10 решенных задач с подробным разбором по предмету Основы теории цепей на тему:
Основные законы и методы анализа электрических цепей постоянного тока.
Законы Ома для неоднородного и однородного участков цепи.
Законы Кирхгофа.
Метод контурных токов.
Метод узловых потенциалов и двух узлов.
Метод наложе...
Гудкова С.А. Исследование структуры и свойств двух и трехкомпонентных оксидов TixAL1-xOy, сформированных методом атомарно-слоевого осаждения

Гудкова С.А. Исследование структуры и свойств двух и трехкомпонентных оксидов TixAL1-xOy, сформированных методом атомарно-слоевого осаждения

  • разное
  • pdf
  • 608.31 КБ
  • добавлен 06.11.2011
Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук, Долгопрудный – 2011, 21с.
Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния
Работа выполнена в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Московский физико-технический институт ...
Лыньков Л.М. и др. Легированные оксиды титана и циркония в технологии формирования защитных покрытий

Лыньков Л.М. и др. Легированные оксиды титана и циркония в технологии формирования защитных покрытий

  • разное
  • pdf
  • 617.05 КБ
  • добавлен 06.11.2011
Статья. Опубликована в Доклады БГУИР, №3, 2004, с.73-84
Тонкие диэлектрические пленки из различных материалов нашли широкое применение в полупроводниковой электронике, в том числе и микроэлектронике. Благодаря ряду уникальных физико-химических свойств, они используются в качестве буферных покрытий, стойких к воздейств...
Лекции - Полупроводники

Лекции - Полупроводники

  • лекции
  • pdf
  • 5.91 МБ
  • добавлен 02.11.2011
Лекции. Полупроводники.
Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые ...
Sapoval B., Hermann C. Physics of Semiconductors

Sapoval B., Hermann C. Physics of Semiconductors

  • разное
  • pdf
  • 64.16 МБ
  • добавлен 29.10.2011
Springer, 1995, 318 pages

Based on courses given at the Ecole Polytechnique in France, this book covers not only the fundamental physics of semiconductors, but also discusses the operation of electronic and optical devices based on semiconductors. It is aimed at students with a good background in mathematics and physi...
Mukherjee M. (ed.) Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices

Mukherjee M. (ed.) Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices

  • разное
  • pdf
  • 53.14 МБ
  • добавлен 28.10.2011
InTech. 2011. 558 p.

Silicon Carbide (SiC) and its polytypes, used primarily for grinding and high temperature ceramics, have been a part of human civilization for a long time. The inherent ability of SiC devices to operate with higher efficiency and lower environmental footprint than silicon-based devices at high tempe...
Лекции - Полупроводники

Лекции - Полупроводники

  • лекции
  • pdf
  • 5.91 МБ
  • добавлен 02.11.2011
Лекции. Полупроводники.
Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые ...
Лекции - Физические основы электроники (ФОЭ)

Лекции - Физические основы электроники (ФОЭ)

  • лекции
  • doc
  • 11.07 МБ
  • добавлен 22.02.2011
109стр. 2006г. Данное учебное пособие является кратким конспектом лекций и может быть использовано как дополнительная литература при изучении материалов учебников.
Основы теории твердого тела.
Строение твердых тел.
Энергетические уровни и зоны.
Собственная проводимость полупроводников.
Глубокие уровни.
Пр...
Лекции Основы физики полупроводников

Лекции Основы физики полупроводников

  • лекции
  • doc
  • 423 КБ
  • добавлен 31.01.2011
На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников.
Общие сведения о полупроводниках.
Виды полупроводников.
Носители заряда в полупроводнике.
Концентрация зарядов в полупроводнике.
Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике.
Неравновесная концентрация зарядов в полупр...
Лекции по курсу Физические основы полупроводниковых электронных приборов

Лекции по курсу Физические основы полупроводниковых электронных приборов

  • лекции
  • doc
  • 3.23 МБ
  • добавлен 09.07.2010
Курс лекций.
для студентов специальности 40 02 02.
«Электронные вычислительные средства».
Министерство образования Республики Беларусь.
Учреждение образования.
Минский государственный высший радиотехнический колледж.
Кафедра общетехнических дисциплин.
Содержание.
Электрофизические свойства полупро...
Лекции по основам информационной электроники

Лекции по основам информационной электроники

  • лекции
  • doc
  • 1.87 МБ
  • добавлен 22.04.2009
Лекции составленны преподавателем, и даны студентам, чтобы не тратить время на писанину. Все в Worde. Аккуратно, с картинками, а главное на доступном языке. Подойдет как для неэлектронщиков, так и для основного изучения по специальности.
Полупроводниковые диоды.
Принцип работы диода.
Вольт-амперная характеристика дио...
Лекции по ФОЭ

Лекции по ФОЭ

  • лекции
  • doc
  • 997.82 КБ
  • добавлен 17.09.2006
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника.
Метод расчета концентраций.
Условие электрическо...
Лекции по ФОЭ

Лекции по ФОЭ

  • лекции
  • doc
  • 476.65 КБ
  • добавлен 02.05.2009
ПГТУ Пермь 2003 г. Рассмотрены вопросы, связанные с физическими основами и процессами, происходящими в полупроводниковых материалах, а также на границе двух сред – полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-диэлектрик. Описаны физические процессы, связанные с фотоэффектом и эффектом электрического поля в по...
Лекции по ФОЭ

Лекции по ФОЭ

  • лекции
  • doc
  • 383.66 КБ
  • добавлен 28.09.2008
Темы:
Электропроводность полупроводников. Р-п переходы.Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Обратная связь. Операционные усилители. Применение операционных усилителей. и пр.// Лекции в формате .doc иллюстрированные.
Лекция - Проводниковые и резистивные материалы (физические основы) (Материалы и элементы электротехники)

Лекция - Проводниковые и резистивные материалы (физические основы) (Материалы и элементы электротехники)

  • лекции
  • doc
  • 359.5 КБ
  • добавлен 21.10.2009
Проводниками электрического тока могут служить твердые тела, жидко-сти, а при соответствующих условиях и газы.
К твердым проводникам относят металлы, металлические сплавы и неко-торые модификации углерода.
Металлы – это пластичные вещества с характерным для них блеском, ко-торые хорошо проводят электрический ток и теплот...
Лекция - Сложные полупроводники (Материалы и элементы электротехники)

Лекция - Сложные полупроводники (Материалы и элементы электротехники)

  • лекции
  • doc
  • 210.5 КБ
  • добавлен 21.10.2009
Полупроводниковые соединения AIVBIV, Методы выращивания монокристаллов SiC, Применение SiC, Полупроводниковые соединения AIIIBV, Получение соединений AIIIBV, Применение полупроводников AIIIBV, Полупроводниковые соединения AIIBV, Стеклообразные и аморфные полупроводники, Получение гидрогенизированного кремния и его применение.
Лекция - Термины и определения (Материалы и элементы электротехники)

Лекция - Термины и определения (Материалы и элементы электротехники)

  • лекции
  • doc
  • 26 КБ
  • добавлен 21.10.2009
Название курса Материалы и элементы электронной техники, само говорит о предмете изучения – материалы и элементы электронной техники. Что такое материал, как понятие, как предмет изучения? Как взаимосвязаны такие понятия, как химический элемент, вещество, сырьё, изделие (компонент).
Учебно-методический комплекс Физическая электроника для физиков

Учебно-методический комплекс Физическая электроника для физиков

  • лекции
  • pdf
  • 2.04 МБ
  • добавлен 05.06.2011
«Уральский государственный университет им. А. М. Горького Физический факультет
Кафедра общей и молекулярной физики, 2008, с.103
Лабораторный практикум «Физическая электроника» состоит из шести лабораторных работ:
Эмиссия с термокатода в вакууме. изучение трубки Перрина. Определение знака и оценка величины удельного з...
Задачи по Основам теории цепей

Задачи по Основам теории цепей

  • лабараторные
  • doc
  • 1.98 МБ
  • добавлен 06.11.2011
10 решенных задач с подробным разбором по предмету Основы теории цепей на тему:
Основные законы и методы анализа электрических цепей постоянного тока.
Законы Ома для неоднородного и однородного участков цепи.
Законы Кирхгофа.
Метод контурных токов.
Метод узловых потенциалов и двух узлов.
Метод наложе...
Задачи по полупроводникам

Задачи по полупроводникам

  • лабараторные
  • doc
  • 100.5 КБ
  • добавлен 14.11.2011
Задачи по физике для специальности АУ, 3 семестр.
Собственная концентрация носителей; равновесная концентрация электронов и дырок; ширина запрещенной зоны; коэффициент диффузии электронов; удельное сопротивление образца легированного акцепторной примесью; отношение собственной удельной проводимости к минимальной; время жизни...
Контрольная работа - Физические основы микроэлектроники

Контрольная работа - Физические основы микроэлектроники

  • лабараторные
  • pdf
  • 320.31 КБ
  • добавлен 08.01.2011
РГАТА, Рыбинск, 3-й курс, Вариант
30. Задачи 1а, 7б, 11б, 20а, 23в + Ответы на теоретические вопросы. Решение задач на темы: "Основы зонной теории и статистика носителей заряда", "Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках", "Электропроводимость полупроводников", "Контактные явления", "Биполя...
Контрольная работа по ФОЭ (СибГУТИ)

Контрольная работа по ФОЭ (СибГУТИ)

  • лабараторные
  • doc,xls
  • 967.21 КБ
  • добавлен 28.01.2011
Контрольная работа по ФОЭ (СибГУТИ) доц. Савиных В. Л.
4 задачи.
1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант
Приложены файлы для построения графиков. кому надо, тот разберётся.
Контрольная работа №1

Контрольная работа №1

  • лабараторные
  • doc
  • 170.21 КБ
  • добавлен 27.01.2007
Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.
Контрольная работа №2

Контрольная работа №2

  • лабараторные
  • doc
  • 109.31 КБ
  • добавлен 27.01.2007
Электронные ключи на биполярных транзисторах .
Лабораторная работа - Изучение полупроводниковых структур с двумя взаимодействующими переходами

Лабораторная работа - Изучение полупроводниковых структур с двумя взаимодействующими переходами

  • лабараторные
  • doc
  • 552.5 КБ
  • добавлен 11.05.2009
Лабораторная работа по физическим основам электроники-
Изучение полупроводниковых структур с двумя взаимодействующими переходами

УГАТУ, АП курс - 2. для специальностей МКС, РТ, СПР.2009 год
Лабораторная работа - Исследование полупроводниковых триодов

Лабораторная работа - Исследование полупроводниковых триодов

  • лабараторные
  • docx
  • 34.15 КБ
  • добавлен 07.01.2011
ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев Г. Я.
Получение опытным путем входных и выходных статических характеристик схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам. Работа без графиков
Лекции по ФОЭ

Лекции по ФОЭ

  • лекции
  • doc
  • 997.82 КБ
  • добавлен 17.09.2006
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника.
Метод расчета концентраций.
Условие электрическо...
Лекции по ФОЭ

Лекции по ФОЭ

  • лекции
  • doc
  • 383.66 КБ
  • добавлен 28.09.2008
Темы:
Электропроводность полупроводников. Р-п переходы.Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Обратная связь. Операционные усилители. Применение операционных усилителей. и пр.// Лекции в формате .doc иллюстрированные.
Лекции по основам информационной электроники

Лекции по основам информационной электроники

  • лекции
  • doc
  • 1.87 МБ
  • добавлен 22.04.2009
Лекции составленны преподавателем, и даны студентам, чтобы не тратить время на писанину. Все в Worde. Аккуратно, с картинками, а главное на доступном языке. Подойдет как для неэлектронщиков, так и для основного изучения по специальности.
Полупроводниковые диоды.
Принцип работы диода.
Вольт-амперная характеристика дио...
Нет изображения

Шпоры по ФОЭ

  • шпаргалки
  • jpg
  • 35.16 МБ
  • добавлен 28.09.2008
Вопросы по ФОПП (ФОЭ)
Электропроводность полупроводников. Полупроводниковые резисторы.
Электропроводность полупроводников. Терморезисторы и фоторезисторы.
Электропроводность полупроводников. Магниторезисторы и Датчики Холла.
Контактные явления в полупроводниках. Влияние температуры.
ВАХ p-n-перехода. Влияние ...
Лекции - Физические основы электроники (ФОЭ)

Лекции - Физические основы электроники (ФОЭ)

  • лекции
  • doc
  • 11.07 МБ
  • добавлен 22.02.2011
109стр. 2006г. Данное учебное пособие является кратким конспектом лекций и может быть использовано как дополнительная литература при изучении материалов учебников.
Основы теории твердого тела.
Строение твердых тел.
Энергетические уровни и зоны.
Собственная проводимость полупроводников.
Глубокие уровни.
Пр...
Ответы на билеты по ФОЭ, преподаватель Лобанов Ю.В

Ответы на билеты по ФОЭ, преподаватель Лобанов Ю.В

  • шпаргалки
  • doc
  • 3.82 МБ
  • добавлен 21.06.2009
Ответы написанные по лекциям. для студентов групп МКС, РРиТ, СПР, ССК

Электроника, ее основные области исследования; вакуумная, твердотельная, квантовая электроника, особенности физических процессов.

Структура кристаллов. Типы кристаллических решеток.

Классификация твердых тел по степени электропроводн...
Лабораторные работы по ФОЭ

Лабораторные работы по ФОЭ

  • лабараторные
  • doc
  • 338.91 КБ
  • добавлен 22.05.2009
Полупроводниковые диоды. стабилитроны. однополупериодные и двухполупериодные выпрямители. исследование биполярного транзистора.
Лекции по ФОЭ

Лекции по ФОЭ

  • лекции
  • doc
  • 476.65 КБ
  • добавлен 02.05.2009
ПГТУ Пермь 2003 г. Рассмотрены вопросы, связанные с физическими основами и процессами, происходящими в полупроводниковых материалах, а также на границе двух сред – полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-диэлектрик. Описаны физические процессы, связанные с фотоэффектом и эффектом электрического поля в по...
Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии

Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии

  • разное
  • pdf
  • 20.97 МБ
  • добавлен 02.10.2009
Пер. с англ. - М. Мир,
1985. - 496 с. 22,0 Мб.
В книге американских специалистов изложены физические принципы основных технологических процессов современной (на 1985 год) микроэлектроники, включая субмикронную литографию, сухое травление, лазерный и электронно-лучевой отжиг. рассмотрены перспективы совершенствования тех...
Шалимова К.В. Физика полупроводников

Шалимова К.В. Физика полупроводников

  • разное
  • djv
  • 5.32 МБ
  • добавлен 19.01.2010
Москва, Издательство "Энергоатомиздат", 1985 год - 392 стр.

В книге рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеивания носителей зарядов, генерация и рекомбинац...
Ю Питер, Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников

Ю Питер, Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников

  • разное
  • djvu
  • 11.48 МБ
  • добавлен 06.07.2010
Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физическ...
Лекции по курсу Физические основы полупроводниковых электронных приборов

Лекции по курсу Физические основы полупроводниковых электронных приборов

  • лекции
  • doc
  • 3.23 МБ
  • добавлен 09.07.2010
Курс лекций.
для студентов специальности 40 02 02.
«Электронные вычислительные средства».
Министерство образования Республики Беларусь.
Учреждение образования.
Минский государственный высший радиотехнический колледж.
Кафедра общетехнических дисциплин.
Содержание.
Электрофизические свойства полупро...
Лекции Основы физики полупроводников

Лекции Основы физики полупроводников

  • лекции
  • doc
  • 423 КБ
  • добавлен 31.01.2011
На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников.
Общие сведения о полупроводниках.
Виды полупроводников.
Носители заряда в полупроводнике.
Концентрация зарядов в полупроводнике.
Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике.
Неравновесная концентрация зарядов в полупр...
Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов

Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов

  • разное
  • djvu
  • 4.58 МБ
  • добавлен 15.10.2010
Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с.

Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии...
Контрольная работа №1

Контрольная работа №1

  • лабараторные
  • doc
  • 170.21 КБ
  • добавлен 27.01.2007
Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.
Нет изображения

Шпоры по ФОЭ

  • шпаргалки
  • rar
  • 38.32 МБ
  • добавлен 09.08.2010
УГАТУ, ФИРТ, САУ, УТС, УК,2курс,4семестр. шпора для экзамена.
Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимости. Влияние температуры. Терморезисторы.
Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы.
Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла.
Контактн...
Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

  • разное
  • pdf
  • 39.39 МБ
  • добавлен 26.03.2011
ФИЗМАТЛИТ, 2008 г. - 488 стр.
Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с ...
Лабораторные работы по Электротехнике и Электронике

Лабораторные работы по Электротехнике и Электронике

  • лабараторные
  • doc,mcd
  • 2.75 МБ
  • добавлен 29.05.2010
ЮГУ, И. М. Вершинин, 3-4 семестр, количество лабораторных - 9.
В архиве содержатся папки с номером лабораторной работы, а также исходники вычислений (Mathcad 14) и (EWB 4 - Electronics Workbench).
Содержание:
Расчет разветвленной цепи постоянного тока, Расчет разветвленной цепи синусоидального тока, Расчёт линейной ц...
Лабораторная работа №1

Лабораторная работа №1

  • лабараторные
  • doc
  • 138.5 КБ
  • добавлен 27.12.2007
Физические основы полупроводников и диэлектриков.
Нет изображения

Шпоры по ФОЭ

  • шпаргалки
  • doc
  • 77.35 КБ
  • добавлен 28.09.2006
Резисторы. Классификация.
Основные параметры постоянных резисторов.
Частотные свойства резисторов.
Собственные шумы резисторов.
Особенности работы резисторы в импульсивных режимах.
Резисторы общего назначения
Резисторы интегральных схем.
Резисторы постоянные проволочные.
Металлофольговые резисторы...