Физические основы электроники (ФОЭ)

Издание 2-ое. Учебник. Москва, 1978, 616 стр. с иллюстрациями Из предисловия к первому изданию Книга предназначена для лиц, занимающихся экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (происхождения тока). Для чтения книги требуется...

Ульяновск: УлГТУ, 2005.- 112 с. ISBN 5-89146-600-0 Рассмотрены основные технологические операции производства электронных средств с точки зрения физических явлений, сопутствующих или лежащих в основе той или иной операции. Основное внимание уделено технологии полупроводниковых микросхем, которые реализуются в приповерхностном слое полупроводниковой пластины. Рассмотрены также основные операции изготовления гибридных интегральных микросхем. Пособи...

СПбГУАП. СПб., 2005. 52 с.: ил. Приведены краткие теоретические сведения и методические указания к выполнению четырех лабораторных работ по курсу Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств. Предназначен для студентов инженерных специальностей 200800 и 220500 всех форм обучения. - Исследование распределения удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки. - Исследование процесса термовакуумного напыления резист...

Методические указания к лабораторным работам по курсам Физические основы электроники , Физические основы промэлектроники , Информационно-измерительная техника и электроника ГУ КузГТУ 2009

Учебное пособие/ Репкин Д.А. – Киров: Изд-во ВятГУ, 2007. – 158 с. В пособии содержатся основные теоретические сведения из зонной теории и теории проводимости полупроводников, физические основы работы p-n-переходов и приборов на их основе, указаны технологические особенности применения диодов, описаны конструкция и технология производства интегральных микросхем. В учебном пособии приведен ряд задач для решения на практических работах и самостояте...

Курсовая работа. Содержание. Введение. Теоретическая часть: Принцип действия усилителя. Схема включения. Практическая часть: Схема. Расчет элементов схем. Выбор элементов схем. Заключение. Литература.

Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике испол...

Зачет, УГАТУ, Уфа/Россия, Андреев И.Б., 2011, Полупроводниковый диод – это: Биполярный транзистор – это: Тиристор – это: Режимы работы биполярного транзистора при усилении электрических сигналов (указать все варианты): Режимы работы биполярного транзистора в качестве электронного ключа (указать все варианты): Вакуумный диод – это: Вакуумный триод – это: Схемы включения биполярного транзистора (указать все варианты): P-n-переход- это: Емкости p-n-...

Учебное пособие. - З. Х. Ягубов , С. В. Горшков. Ухта: УГТУ, 2002. - 99с., ил. ISBN 5-88179-387-0 Учебное пособие предназначено для студентов специальности 180400 - «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов» и направления бакалавра 551300 - «Электротехника, электромеханика и электротехнологии».

- З. Х. Ягубов, И. А. Тарасенко. - Ухта: УГТУ, 2001. - 22 с., ил. Методические указания и контрольные задания предназначены для выполнения контрольных работ по дисциплине "Физические основы электроники" для студентов II курса ФБО "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" В методических указаниях даётся задание на выполнение контрольных работ, и формулируются требования к оформлению. Приводятся примеры расч...

Москва, Издательство Наука , 1978 год - 285 стр В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В книге отражается результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и фотокаталитического эффектов строится...

Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с. Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы: Физические основы работы полупроводниковых приборов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.

Задачи по физике для специальности АУ, 3 семестр. Собственная концентрация носителей; равновесная концентрация электронов и дырок; ширина запрещенной зоны; коэффициент диффузии электронов; удельное сопротивление образца легированного акцепторной примесью; отношение собственной удельной проводимости к минимальной; время жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике;скорость поверхностной рекомбинации.

Учебное пособие.- М.: Издательство МФТИ, 1982.- 83 с. Данное учебное пособие по курсу "Основы вакуумной электроники предназначено для студентов третьего курса факультета физической и квантовой электроники МФТИ в соответствии с учебным планом их подготовки по специальности 0631 - автоматика и электроника. Все виды электронной и ионной эмиссии изложены в едином методическом стиле на современном научно-техническом уровне с привлечением необходимого...

Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук, Долгопрудный – 2011, 21с. Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния Работа выполнена в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Московский физико-технический институт (государственный университет). Целью работы являлось создание методики создания тонких пленок двух и трехкомпонентных оксидов TixAl1-xO...

Статья. Опубликована в Доклады БГУИР, №3, 2004, с.73-84 Тонкие диэлектрические пленки из различных материалов нашли широкое применение в полупроводниковой электронике, в том числе и микроэлектронике. Благодаря ряду уникальных физико-химических свойств, они используются в качестве буферных покрытий, стойких к воздействиям высокой температуры плазмы, коррозионных сред, медленных нейтронов, в качестве материала твердотельных электролитов и др. Наибо...

10 решенных задач с подробным разбором по предмету Основы теории цепей на тему: Основные законы и методы анализа электрических цепей постоянного тока. Законы Ома для неоднородного и однородного участков цепи. Законы Кирхгофа. Метод контурных токов. Метод узловых потенциалов и двух узлов. Метод наложения. Метод эквивалентного генератора. Теорема о компенсации. Электрическая мощность и передача энергии.

Лекции. Полупроводники. Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.

Springer, 1995, 318 pages Based on courses given at the Ecole Polytechnique in France, this book covers not only the fundamental physics of semiconductors, but also discusses the operation of electronic and optical devices based on semiconductors. It is aimed at students with a good background in mathematics and physics, and is equally suited for graduate-level courses in condensed-matter physics as for self-study by engineers interested in a...

InTech. 2011. 558 p. Silicon Carbide (SiC) and its polytypes, used primarily for grinding and high temperature ceramics, have been a part of human civilization for a long time. The inherent ability of SiC devices to operate with higher efficiency and lower environmental footprint than silicon-based devices at high temperatures and under high voltages pushes SiC on the verge of becoming the material of choice for high power electronics and optoel...

М.: Сов. радио. 1975г - 285с. Описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна - одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрения эффектов, открытых за последнее десятилетие в физике полупроводников. Значительное внимание уделено также целому ряду новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объёмному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света. Рассмотрены принципы дейс...

Челябинск: Изд. ЮЦрГУ, 2004. - 104 с. Описаны состав и отдельные компоненты учебного лабораторного комплекса «Электронные приборы и устройства». Представлены электрические схемы соединений и их описания, а также указания по проведению базовых экспериментов. Руководство предназначено для использования при подготовке к проведению лабораторных занятий по дисциплинам «Теоретические основы электротехники», «Электротехника и основы электроники», «Осно...

1980 г. В книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники. Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники. Даются основные расчетные соотношения, большое число экспериментально полученных зависимостей изменения параметров основных классов изделий электронно...

3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов...

Киев, Наукова Думка, 256 стр., 1981 г. Изложена физика инжекционно-контактные явлений в полупроводниках, а также физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода с уче...

Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 80 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия компонентов электронной техники, а именно: операционные усилители, цифровые интегральные микросхемы, аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи. Приводятся типовые структурные схемы электронных устройств. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100.62 «Приборостроение» и специальн...

Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 104 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и полевые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100 «Приборостроение» и специальности 200106 «Информационно-измерительная техника и технологии», очной очно-заочной и за...

Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 92 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия пассивных проводниковых и полупроводниковых компонентов электронной техники, а именно: резисторов, электрических конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов электронной аппаратуры; электропроводность полупроводников, их основные свойства и характеристики, электрические переходы, полупроводниковые...

Учебное пособие. - Челябинск, ЮУрГУ, 2010. – 96 с. Рассмотрены методы формирования тонких плёнок. Описаны особенности формирования тонких плёнок термовакуумным, ионным, молекулярно-лучевой эпитаксией, химическими и электрохимическими методами. Учебное пособие предназначено для студентов физического и приборостроительного факультетов, а также может быть полезно аспирантам и специалистам, занимающимся тонкоплёночными технологиями.

Рассмотрены процессы взаимодействия ионизирующего излучения с ионно-электронной системой металлических твердых тел, связь радиационного дефектообразования с локальными искажениями электронных состояний, процессы радиационно-стимулированной диффузии в гетерогенных системах, электронные свойства радиационных дефектов и изменение физических свойств на поверхности металлов в результате облучения. Книга рассчитана на специалистов в области физики' рад...

Появление атомной энергетики явилось стимулом развития новой отрасли физики твердого тела — физике радиационного повреждения и ее практическому применению — атомному материаловедению. Многочисленные теоретические и экспериментальные работы в области радиационного материаловедения позволяют сделать вывод, что большинство процессов, протекающих в металлах и сплавах под воздействием ионизирующего излучения, сильно зависят от изменения диффузионной п...

Учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород: ННГУ, 2009. – 18 с. Данное учебно-методическое пособие является дополнением к курсу «Физика низкоразмерных систем», читаемом на физическом факультете ННГУ для студентов, обучающимся по направлению подготовки 210600 «Нанотехнология». В пособии рассматривается метод построения энергетической диаграммы идеального гетероперехода по правилу электронного сродства и приводится методика расчета параметров...

Йошкар-Ола: Марийский государственный технический универ-ситет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической фи-зики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контакт-ные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, не-обходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направле-ний микроэлектроники. Для студентов с...

М., Мир, 1973 г., 458 стр. Монография известного американского специалиста Ж. Панкова посвящена физическим процессам взаимодействия света с полупроводниками, а также практическому использованию этих процессов в полупроводниковых лазерах, люминесцентных диодах, приемниках видимого и инфракрасного излучения. Книга снабжена большим количеством (около 400) иллюстраций — схем, графиков, чертежей, что делает ее полезной для инженерных расчетов, а та...

Учебное пособие. М.: Физический факультет МГУ, 2000 г. 164 стр., ISBN 5-211-04058-9 В учебном пособии рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся механизмов передачи информации в молекулярных системах. Детально описаны принципы построения элементной базы устройств молекулярной электроники и технологические приемы синтеза наноструктур, используемых в таких устройствах. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников физических спец...

Статья Опубликована в УФН. Обзоры актуальных проблем. 2010. Том 180, №6 с.587-603. Представлен обзор основных применений диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах. Рассмотрены основы метода функционала электронной плотности и его реализации в различных программных пакетах. Проанализированы результаты первопринципных расчётов электронной структуры для трёх наиболее важных и перспективных диэлектриков с высокой диэ...

Рассмотрены вопросы теории и практики надежности интегральных схем (ИС). Обобщаются опубликованные в периодической литературе результаты физических исследований внезапных и постепенных отказов элементов гибридных тонкопленочных (ТП) ИС и полупроводниковых ИС, созданных на основе кремния. Приведены способы обеспечения и повышения надежности. Книга может быть полезной инженерам и научным работникам, занимающимся разработкой и производством ИС, а та...

Методические указания к курсовому проектированию электронных устройств автоматики. КХТИ, для 51 групп 8 факультета - 2 курс.rn

Автореферат. диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. -Тамбов. 2007. Работа выполнена на кафедре «Автоматизированные системы и приборы» ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический универ-ситет». Научный руководитель; Мищенко Сергей Владимирович. Цель работы заключается в разработке стационарного метода и уст-ройства, обеспечивающих повышение точности измерения теплопровод-ности (за счет учета в математической модел...

Учебное пособие посвящено теоретическим основам работы твердотельных фотоэлектричесих преобразователей световой энергии в электрическую.

Книга содержит обзоры результатов, которая российская вакуумная СВЧ электроника может предложить мировому научно-техническому сообществу. Раздел 1: Приложения СВЧ-электроники Раздел 2: Разработки в области высокочастотной электроники Раздел 3: Исследования в области высокочастотной электроники Издательство: Нижний Новгород: Институт прикладной физики РАН Год: 2002 Страниц: 161

Курс лекций С. М. Левитского(заслуженного профессора АН Украины и КНУ имени Тараса Шевченка ) по радиоэлектронике. Правда вот на украинском языке. Содержание: - полупроводниковые устройства. - генераторы электрических сигналов. - усилители. - принципы радиосвязи. - элементы и узлы радиоустройств.

Зубец В. В., Попов В. Ф. 2-е изд. Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2004. 56 с. Методическое пособие содержит указания к выполнению лабораторных работ по изучению структуры и электрических свойств материалов электронной техники, а также влияния на них внешних факторов. Лабораторные работы предназначены для студентов 2 курса дневного и вечернего отделений специальности 2008.

Шелохвостов В. П., Баршутин С. Н. -Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2004. Ч. 1. 32 с. Представлены лабораторные работы по основным физико-химическим процессам в технологии электронных средств: элементы, компоненты и топология интегральных средств, влияние температуры на скорость химической реакции, электролиз, химическое травление, очистка подложек, окисление кремния. Предназначены для студентов 3 и 4 курсов дневной и заочной форм обучения...

Полупроводники — новая область физики, получившая развитие всего лишь в последние двадцать пять лет, несмотря на то, что почти вся окружающая нас неорганическая природа состоит из полупроводящих веществ.

Иванов В. П., Пручкин В. А., Зубец В. В., Попов В. Ф. – 3-е изд., стер. – Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2009. – 48 с. Даны методические указания и описание лабораторных работ, посвящённых исследованию различных физических характеристик полупроводниковых материалов, используемых в приборостроении. Предназначены для студентов специальности 2102010 дневной и заочной форм обучения.

Методическое пособие. Иванов В. П., Пручкин В. А., Зубец В. В., Попов В. Ф. - Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2001. 55 с. Методическое пособие содержит указания к выполнению лабораторных работ по изучению структуры и электрических свойств материалов электронной техники, а также влияния на них внешних факторов. Лабораторные работы предназначены для студентов 2 курса дневного и вечернего отделений специальности 2008.

Санкт-Петербург, издательство СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2002. - 56 с. Учебное пособие ISBN 5-7629-0474-1 Рассмотрены основные понятия и закономерности в области электродных явлений и мембранного транспорта, а также принципы работы и конструкции сенсоров на основе МДП-транзисторов. Рекомендуется студентам, обучающимся по специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и магистрантам специализации 553122 "Физика сенсорных материалов и у...

«Уральский государственный университет им. А. М. Горького Физический факультет Кафедра общей и молекулярной физики, 2008, с.103 Лабораторный практикум «Физическая электроника» состоит из шести лабораторных работ: Эмиссия с термокатода в вакууме. изучение трубки Перрина. Определение знака и оценка величины удельного заряда частиц. Изучение зависимости спонтанного газового разряда в воздухе от давления. Ядерный магнитный резонанс в полистироле, гли...

Статья. Опубликована в Материалы VI Международной научно-технической конференции, 21 – 23 октября 2008 г. М. МИРЭА с.170-176 Одно из важнейших требований, предъявляемых к катодам газоразрядных лазеров – способность сохранять рабочие параметры при контакте эмитируюших по- верхностей с заряженными и ускоренными частицами, а также с газовой средой. Это обеспечивают защитные свойства тонкой оксидной или нитридной пленки. Особенно широко используются...

Учеб. пособие СПб.: Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ, 2009, 80 с. ISBN 978-5-7629-0908-8 Рассматриваются различные методы сканирующей зондовой микроскопии и их применение в нанотехнологии и диагностике Предназначено для студентов. обучающихся по магистерским образовательным программам "Нанотехнология и диагностика", "Нано-и микросистемная техника". Гриф УМО вузов РФ по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в к...

Политехнический университет им. И. Раззакова. для студентов технических вузов. издательство Полиграфбумресурсы, год издания 2010, 252 стр

Методические указания к лабораторным работам. Изд. второе пер. и доп.; Балт. гос. техн. ун -т, СПб. , 2000, 25с. Ил. 26, табл. 18. Содержание. Исследование электрических свойств проводниковых материалов. Исследование свойств терморезисторов. Исследование свойств варисторов. Исследование свойств фоторезисторов. Исследование свойств сегнетоэлектриков. Исследование свойств ферромагнитных материалов.

Сборник лабораторных работ соответствует Государственным образовательным стандартам высшего профессионального образования направлений 654500 «Электротехника, электромеханика и электротехнологии», 657600 «Подвижной состав железных дорог». Сборник содержит описание пяти лабораторных работ по исследова-нию характеристик и параметров полупроводниковых приборов с помощью системы компьютерного моделирования электрических и электронных схем Electronics...

Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. Курсовая работа. по физическим основам электроники: Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода. Вариант №12. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.rn

Расчет однофазного двухполупериодного трансформатора. Основные характеристики выпрямителей. Выбор вентиля. Построение временных диаграмм и схемы выпрямления. расчет транзисторного усилителя. Транзисторы и их классификация. Выбор транзистора. Построение нагрузочной линии. Определение сопротивлений Rк и Rэ. Определение параметров входной цепи усилителя. Определение емкостей конденсаторов Ср и СЭ.rn

Махачкала: Дагест. гос. ун-т, 2008. - 25с. (Каф. эксперим. физики). Учебно-методический комплекс. Составлен в соответствии с требованиями Государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования по специальности 200100 - Микроэлектроника и твердотельная электроника, направления подготовки - 654100 (Электроника и микроэлектроника). Дисциплина входит в цикл обшепрофессиональных специальных дисциплин и является обязательной...

CRC : 2010, ISBN: 1439826943, 431 pages Space applications, nuclear physics, military operations, medical imaging, and especially electronics (modern silicon processing) are obvious fields in which radiation damage can have serious consequences, i.e. , degradation of MOS devices and circuits. Zeroing in on vital aspects of this broad and complex topic, Radiation Effects in Semiconductors addresses the ever-growing need for a clear understanding o...

Учебное пособие - Красноярск: СФУ, 2007 - 468с. В учебном пособии изложены современные представления о физико-химических основах технологических процессов электроники, особенности термодинамики химических и фазовых равновесий, кинетические характеристики процессов. Рассмотрены процессы зародышеобразования, роста слоев новой фазы, методы проведения термодинамического анализа. Учебное пособие предназначено бакалавров и магистров направления 210200...

Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. Кн. 2. 216 с. Во второй книге приведены сведения о разработанных в Тамбовском государственном техническом университете теплофизических методах и приборах: основанных на использовании временных и пространственных интегральных характеристик температур и тепловых потоков; предназначенных для измерения эффективных теплофизических характеристик ламинарных потоков жидкостей и для исследования зависимости те...

Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. Кн. 1. 204 с. Изложены теоретические и практические основы принципа действия и работы наиболее часто применяемых в производственной и исследовательской практике методов и приборов, предназначенных для измерения теплофизических свойств веществ. Большое внимание уделено стационарным и нестационарным методам и приборам для измерения теплопроводности, коэффициента температуропроводности и объемной теплоем...

ФИЗМАТЛИТ, 2008 г. - 488 стр. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др. ). Выведены основные тео...

Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также для студентов физических факультетов.rn

МГОУ. Вакуумная и плазменная электроника. Иванов В. В. Две оформленные лабораторные работы с расчетами, графиками, схемами и выводами. Зачет.

Springer, 2010. 900 p. ISBN: 3642138837 The Physics of Semiconductors provides material for a comprehensive upper-level-undergraduate and graduate course on the subject, guiding readers to the point where they can choose a special topic and begin supervised research. The textbook provides a balance between essential aspects of solid-state and semiconductor physics, on the one hand, and the principles of various semiconductor devices and their a...

Москва: Наука, 1966. 564 с. Отсканированые развороты книги. Не отсканированы обложка и список литературы в конце книги. Для научных работников, аспирантов и инженеров, занятых вопросами электроники в теоретическом и прикладном планах, но может служить пособием для студентов, изучающих физическую электронику. Оглавление: Элементы электронной теории тведого тела. Объемные заряды и движение заряженных частиц в вакууме. Обзор различных видов электро...

Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 61 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21040665 "Сети связи и системы коммутации", 21040465 "Многоканальные телекоммуникационные системы". В пособие включены такие разделы, как переходы в полупроводниках и полупроводниковых структурах, физика полупроводниковых оптоэлектронных приборов, основы физики сверхпроводимости и криоэлектроники. Пособие представляет расширенный курс лекций,...

Под ред. Д. В.3ернова. М.: Государственное издательство физико-математический литературы, 1958. 274 с. В книге собраны и обобщены результаты теоретических и экспериментальных работ в области звтоэлектронной эмиссии. Для инженеров и научных работников, занимающихся электроникой, а также будет полезна для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в этой области. Оглавление: Теория автоэлектронной эмиссии металлов. Экспериментальные...

ЧГУ им. И. Н. Ульянова 2 курс Биполярные-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усилительных каскадов с ОЭ и ОК. , полевые транзисторы-Схемы для исследований полевых транзисторов. ; Полупроводниковые диоды вольт амперные характеристики; Усилители каскадов-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усил...

Учебное пособие. - Владимир, Изд-во Владим. гос. ун-та, 2002. - 124 с. Рассматриваются нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках при воздействиях режимных (перепады токов и напряжений) и внешних (импульсные излучения оптического и гамма-рентгеновского диапазонов) факторов. На примерах решения краевых задач нестационарной электропроводности изучается методология получения расчетных оценок амплитудно-временных характеристик импульс...

Ивановский государственный химико-технологический университет. - Иваново, 2002. - 192 с. Рассмотрены физико-химические основы процессов корпускулярно-фотонных технологий, типовые установки, конкретные технологические процессы и примеры их реализации. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальностям "Материалы и компоненты твердотельной электроники" и "Химическая технология материалов и изделий электронной техники".

3rd edition. Wiley-Interscience, 2006. - xv, 781 p. Contents Resistivity Carrier and Doping Density Contact Resistance and Surface Barriers Series Resistance, Channel Length and Width, and Threshold Voltage Defects Oxide and Interface Trapped Charge, Oxide Thickness Carrier Lifetimes Mobility Charge-Based and Probe Characterization Optical Characterization Chemical and Physical Characterization Reliability and Failure Analysis Edito...

Для студентів спеціальності 06.503. - К.: КНУТД, 2004. - 110 с. В посібнику викладені теоретичні основи надвисокочастотних технологій, які побудовані на взаємодії електромагнітного поля з речовиною. Основна увага приділена виявленню функціональних зв'язків між фізичними і технологічними параметрами. Приведені приклади практичного застосування надвисокочастотних технологій у переробній промисловості, енергетиці, зв'язку, медицині тощо. В дотатку д...

Москва "Недра" 1984 Учебник для вузов. Изложены теории непрерывных электронных и импульсных цепей, основы преобразовательной техники; описано использова-ние средств вычислительной техники в системах управления и применение электронных устройств в задачах автоматизации и электрификации горных работ. Во втором издании (1-е изд. — 1973) приведены сведения о микроэлектронике, импульсных устройствах, даны рекомендации по применению устройств и систем...

УГГУ Екатеринбург 2010 Методические указания по дисциплине «Физические основы электроники» составлены в соответствии с программой курса и включают справочные материалы к расчетным заданиям по разделам: «Полупроводниковые приборы», «Усилитель-ные устройства» и «Импульсная техника». Расчетные задания предназначены для развития у студентов специальности 140604 – «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологиче-ских комплексов» (ЭГП)...

УГГУ Екатеринбург 2003 Учебно методическое пособие к лабораторным занятиям и самостоятельной работе по дисциплине "Физические основы электроники" для студентов специальности 180400 "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" (ЭГП).

Маругин А. П. "Физические основы электроники". Екатеринбург: изд. УГГУ, 2005 Методические указания и расчетные задания по дисциплине Физические основы электроники для студентов специальности 180400 "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" (ЭГП) направления 654500 "Электротехника, электромеханика и электро технологии". Методические указания устанавливают объем и порядок выполнения практических работ. Приведе...

109стр. 2006г. Данное учебное пособие является кратким конспектом лекций и может быть использовано как дополнительная литература при изучении материалов учебников. Основы теории твердого тела. Строение твердых тел. Энергетические уровни и зоны. Собственная проводимость полупроводников. Глубокие уровни. Примесные полупроводники. Оптические и электрические свойства полупроводников. Жидко кристальные приборы для отображения информации. Физические эф...

М.: Физический факультет МГУ, 2000. -164с. В учебном пособии рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся механизмов передачи информации в молекулярных системах. Детально описаны принципы построения элементной базы устройств молекулярной электроники и технологические приемы синтеза наноструктур, используемых в таких устройствах. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников физических специальностей. Книга может заинтересовать хим...

М. Физматлит. 1962. 136 с. Введение Стационарный тепловой поток в проводящем стрежне Термоэлектрическое охлаждение Термоэлектрический подогрев Термоэлектрические генераторы

М. Наука. 1985. 233 с. Теория явлений переноса и методы их исследования в полупроводниковых пленках Влияние технологии получения пленок термоэлектрических материалов на их свойства Исследование электро- и теплофизических свойств термоэлектрических пленок Пленочные термобатареи и их использование в метрологии

Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для создания контактов к широкозонным полуп...

М. Энергия 1977г. 608 стр Книга К. Шимони "Физическая электроника" представляет собой систематическое изложение современной физической электроники, охватывающей как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших эспериментально устновленных фактов, на которых это изложение основывается, так и приложение важнейших физических идей, выдвинутых в этой области физической науки, для объяснения принципов д...

Данное учебное пособие предназначено для подготовки бакалавров по направлениям 140200 "Элкектроэнергетика" и 140600 "Электротехника, электромеханика и электротехнологии". Приоритет отдан рассмотрению полупроводниковых приборов и особое внимание отдано особенностям и режимам работы силовых приборов.

Учебное пособие. Ивановский гос химико-технологический университет. Изд. ИГХТУ, 2003. 172 стр. Для студентов специальности 251000 "Химическая технология монокристаллов, материалов и изделий электронной техники" по дисциплине "Физическая электроника и электронные приборы" и 550700 "Электроника и микроэлектроника" по дисциплине "Вакуумная и плазменная электроника".

На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Виды полупроводников. Носители заряда в полупроводнике. Концентрация зарядов в полупроводнике. Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике. Неравновесная концентрация зарядов в полупроводнике. Токи в полупроводнике. Дрейфовый ток. Диффузионный ток. Уравнение непрерывности. Электронно-дырочный переход. Электронно-дырочный пере...

Контрольная работа по ФОЭ (СибГУТИ) доц. Савиных В. Л. 4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант Приложены файлы для построения графиков. кому надо, тот разберётся.

СибГУТИ, "Физические основы электроники" 2010г. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" доц. Савиных В. Л.

Автореферат кандидатской диссертации. Специальности 01.04.13 — Электрофизика, электрофизические установки, 05.12.07 — Антенны, СВЧ устройства и их технологии. Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН. Москва 2010 г.

1) изучение свойств плоскостных р-n переходов путем практического снятия и исследования их вольтамперных характеристик; 2) исследование влияния на свойства р-n перехода температуры.

Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.

СПб.: СЗТУ, 2005. - 80 с. Учебное пособие по дисциплине "Физико-химические основы технологии РЭС" соответствует требованиям государственных образовательных стандартов высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированного специалиста 654300 - "Проектирование и технология электронных средств" (специальность 200800 - "Проектирование и технология электронных средств") и направлению подготовки бакалавра 551100 - "Проектирова...

High Density Plasma Sources - Design, Physics and Performance. (Materials Science and Process Technology Series). Popov O.A. , Editor. Park Ridge, NJ: Noyes Publications, 1997. - 465 pp. (На англ. яз. ) В книге описываются конструкции, физические основы функционирования и характеристики источников плазмы высокой плотности. Эти источники в последнее время находят все более широкое применение в различных процессах вакуумно-плазменной обработки в т...

Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.

РГАТА, Рыбинск, 3-й курс, Вариант 30. Задачи 1а, 7б, 11б, 20а, 23в + Ответы на теоретические вопросы. Решение задач на темы: "Основы зонной теории и статистика носителей заряда", "Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках", "Электропроводимость полупроводников", "Контактные явления", "Биполярный транзистор"

ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ Экспериментальное исследование усилительных схем на базе ОУ, определение параметров. Нахождение частот и напряжений. Работа без графиков.

Пгту, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ Экспериментальное исследование усилительного каскада, задание режима покоя (рабочей точки) транзистора, исследование амплитудной и амплитудно-частотной характеристик усилителя, определение параметров усилителя. Работа без графиков.

ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев Г. Я. Получение опытным путем входных и выходных статических характеристик схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам. Работа без графиков

Методические указания к лабораторным работам. БГТУ "Военмех" СПБ, 2009г. 63 стр. Стандартная обработка результатов прямых измерений с многократными наблюдениями. Цифровой мультиметр. Применение цифрового осциллографического модуля для измерений. Измерение характеристик полосового фильтра. Измерение характеристик генератора импульсной последовательности. Измерение параметров сигнала на выходе усилителя.

Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: построить линию нагрузки; построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; рассчитать для линейного (мало ис...

Определение эффективного времени жизни неосновных носителей тока в базе полупроводникового прибора по закону изменения «остаточной» ЭДС при включении прямого тока через диод; Исследование температурной зависимости времени жизни.

Казань, 2009, Даны общие указания по выполнению работ, представлены краткие теоретические сведения по каждой теме, контрольные вопросы.

Массовая радиобиблиотека. Выпуск 728. 1970 г. 48 стр. Тираж 30000 экз. Цель этой брошюры — познакомить читателя с некоторыми новыми типами конденсаторов и с их основными характеристиками, которые необходимо знать, чтобы правильно выбрать радиоэлемент при проектировании той или иной радиоэлектронной аппаратуры. В конце брошюры приведена система сокращённых обозначений конденсаторов согласно отраслевой нормали НОЖО .000.004. Этот материал может быт...

Массовая радиобиблиотека. Выпуск 651, М., «Энергия», 1968 г. 72 стр. Тираж 70000 экз. Излагаются электромагнитные свойства высокочастотных магнитодиэлектриков и ферритов, рассматриваются методы изготовления высокочастотных сердечников и приводятся их параметры. Даются рекомендации по рациональному выбору магнитных материалов и оптимальному применению сердечников. Излагаются методы измерения электромагнитных параметров высокочастотных материалов и...

Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с. Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников. Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлени...

Учебно-методическое пособие предназначено для студентов факультета Высоких технологий ЮФУ. В нем рассмотрены вопросы сегнетоэлектрической поляризации. Описано явление диэлектрического гистерезиса, как основного критерия сегнетоэлектричества. Изложены особенности исследования характеристик сегнетоматериалов по петлям диэлектрического гистерезиса на частоте 50 Гц. Проведен анализ измерительной схемы с точки зрения обеспечения достоверных результато...

Учебно-методическое пособие «Исследование характеристик сегнето- пьезоматериалов по петлям деформации в сильных электрических полях инфранизкой частоты» предназначено для студентов, факультета Высоких технологий. В нем даны некоторые основные понятия физики сегнетоэлектричества. Описаны особенности электромеханических свойств сегнетоэлектриков. На основе литературных данных приведены результаты экспериментальных исследований характеристик сегнето...

Эта книга написана на основе лекций, в течении ряда лет читавшихся авторами для студентов физического факультета Московского университета и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института. Книга рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов в объеме программ, принятых на физических факультетах университетов и в физико-технических институтах.

Санкт-Петербург, Издательство СПбГТУ, 1999г. Рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях, функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и др. Проведены расчеты этих характеристик. Приведено сопоставление с экспериментом. Пособие ориентировано на образова...

Содержатся экзаменационные билеты, которые предлагаются студентам специальности 140604 ЭАПУ, УрФУ, на экзамене по соответствующей дисциплине.

«Расчёт функционального устройства судовой автоматики на операционном усилителе».

Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 100 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом дей-ствия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и по-левые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100.62 "Приборостроение", и специальности 200106 "Информационно-измерительная техника и технологии" очной, очно-заочной и заочной форм обучения, также мо...

Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 78 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом дей-ствия компонентов электронной техники, а именно: операционные усилители; цифровые интегральные микросхемы; аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи. Приводятся типовые структурные схемы электронных уст-ройств. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100.62 "Приборостроение", и специальности 200106 "Информационно-измер...

Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 90 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом дей-ствия пассивных проводниковых и полупроводниковых компонентов электронной техники, а именно: резисторов, электрических конденсаторов, катушек индуктив-ности, трансформаторов электронной аппаратуры; электропроводность полупро-водников, их основные свойства и характеристики, электрические переходы, по-лупроводниковые диоды различного назначения и с...

УГАТУ, ФИРТ, САУ, УТС, УК,2курс,4семестр. шпора для экзамена. Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимости. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы. Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. ВАХ р-n-перехода. Влияние температуры. Пробой р-n-перехода.. Виды полупроводниковых диодов. Выпрямительные...

Как устроен пьезоэлектрический полупроводник. Поглощение и усиление звука. Нелинейные эффекты при усилении звука. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления. Звукоэлектрический эффект. Заключение.

Курс лекций. для студентов специальности 40 02 02. «Электронные вычислительные средства». Министерство образования Республики Беларусь. Учреждение образования. Минский государственный высший радиотехнический колледж. Кафедра общетехнических дисциплин. Содержание. Электрофизические свойства полупроводников. Контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Униполярные (полевые) транзисторы. Тиристоры.

Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных р...

Издательство: М.: Мир. Год: 1974. Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокаций, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных микросхем. В основу книги легли л...

Программа для расчета элементов ГИС. Руководство по использованию программы: Установка и запуск программы. Расчет тонкопленочных резисторов. Расчет переходных контактов. Расчет пленочных конденсаторов. Расчет теплового режима работы ИС. Литература. Программа, разработанная в данном дипломном проекте, соответствует требованиям современных операционных систем об использовании стандартных элементов пользовательского интерфейса, что значительно облег...

Преподаватель - Сафинов Ш. С. Шпоры сделаны по лекциям. То есть - сканы, редактирование, размещение. Все в формате JPG. Есть вариант который резать, есть полно-размерные картинки, рассованные в папки. Вопросы: Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимоств. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы. Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла....

Новосибирск, НГУ, НГТУ, ИФП СО РАН, 2000 г. 450 стр. В монографии последовательно рассмотрены наиболее важные электронные процессы, взаимодействия и явления, происходящие в твердом теле и на гpaнице двух тел, и их модификация при переходе к низкоразмерным системам; рассмотрены физические принципы работы наноэлектронных элементов и устройств для новых информационных систем; проанализированы наиболее перспективные направления развития наноэлектрони...

Книга предназначена для лиц, занимающихся экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (происхождения тока). Для чтения книги требуется знакомство с математикой, квантовой механикой и статической физикой в объеме программ физическо...

Kиев: Выща школа. Головное издательство, 1982. — 224 с. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, p—n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—n перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—n перехода и гетероперехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих...

Под ред. Е. А. Ладыгина. - М.: Сов. Радио, 1980. - 224 с. В книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники. Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники.

Цель работы: Изучить законы Кирхгофа. Рассмотреть последовательное, параллельное и смешанное соединение токоприемников, исследовать распределение токов, напряжений и мощностей в каждой цепи. 1) Последовательное соединение приемников. 1) Параллельное соединение приемников. 2) Смешанное соединение приемников.

ЮГУ, И. М. Вершинин, 3-4 семестр, количество лабораторных - 9. В архиве содержатся папки с номером лабораторной работы, а также исходники вычислений (Mathcad 14) и (EWB 4 - Electronics Workbench). Содержание: Расчет разветвленной цепи постоянного тока, Расчет разветвленной цепи синусоидального тока, Расчёт линейной цепи с несинусоидальной электродвижущей силой, Расчет переходных процессов в линейных цепях с сосредоточенными параметрами и постоянн...

Учеб. пособие для вузов. — Киев: Вища школа. Головное изд-во, 1980. -400 с. Рассматриваются современные представления о поляризации, электропроводности, диэлектрических потерях, электрической прочности и фазовых переходах в диэлектриках. Особое внимание уделяется нелинейным свойствам диэлектриков, а также новым физическим явлениям в этих веществах. Приборы, в которых используются эти явления, находят применение в электронной технике. Автором учте...

Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с. ISBN5-88151-173-5 Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и микросхем. Дано представление об уровне развития современной микроэлект...

По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, и построить их зависимости от напряжения на затворе. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h – параметры и построить зависимости этих параметров от тока базы. СибГути, АЭС, 2 Курс, 2 семестр, 5 стр.

М.: Сов. радио, 1973. - 228 с. Приведены теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в современных приборах: лазерах, полевых и биполярных транзисторах, диодах с барьером Шоттки. Детально рассмотрены тепловые, генерационно-рекомбинационные, дробовые, фликкерные, взрывные шумы и шумы токораспределения этих приборов. Содержание: Предисловие. 1. Введение. 2. Математические методы. 3. Описание шумов. 4. Измерения шума. 5. Тепловой ш...

Минск: Наука и техника, 1986 г. , 254 с. В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как радиационные изменения свойств полупроводниковых материалов, так и процессы в отдельных...

2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. - 456 с. Очень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности;...

1977, 678 с. Эта книга написана на основе лекций, в течении ряда лет читавшихся авторами для студентов физического факультета Московского университета и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института. Книга рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов в объеме программ, принятых на физических факультетах университетов и в физико-технических институтах.

Л.: Энергия, 1973 г. , 160 с. В книге рассматривается влияние повышенной влажности окружающей среды на долговечность элементов радиоэлектронной аппаратуры. Описаны характерные причины снижения долговечности и конструктивные методы, позволяющие уменьшить интенсивность отказов, приведен анализ типичных повреждений функциональных узлов и материалов элемента Значительное внимание уделено физическим процессам взаимодействия материалов с повышен...

Полупроводниковые термоэлектрические материалы на оенове Bi2Te3, Гольцман Б. М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Изд. -во «Наука», Главная редакция физико-математической литературы, 1972. В монографии подробно обсуждаются явления переноса, а также оптические и резонансные явления, которые в анизотропных материалах со сложной зонной структурой (каковыми являются Bi2Te3 и твердые растворы на его основе) имеют ряд существенных особенностей. Большое вн...

М.: Издательский центр «Академия», 2008. — 400 с. Изложены основы квантовой механики, фрактальной геометрии и фрактальной физики, нелинейной динамики. Рассмотрены физические основы основных технологических процессов микро- и наноэлектроники: получение тонкопленочных структур, создание и перенос литографического изображения, методы модификации поверхностных и объемных структур, основы и методы контроля и метрологии. Для студентов высших учебных...

Издательство "Сов. радио", 1975 288 страниц Описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна - одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрения эффектов. Значительное внимание уделено также целому ряду новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объемному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света. Рассмотрены принципы действия, технические характеристики и возможност...

Курсовая работа - Использование МОП-транзисторов. СумДУ, Опанасюк О. О. , 27 страниц. Содержание: Введение. теория полупроводников. моп – Транзисторы. использование моп – Транзисторов. выводы. литература.

Москва, Издательство "Мир", 1966 год - 189 стр. Книга известного американского ученого А. Роза содержит изложение основных вопросов теории фотопроводимости твердых тел. Большое место занимает феноменологическое описание процессов рекомбинации носителей тока. Значительное внимание уделено рассмотрению явлений, ограничивающую область применения фотопроводников, таких как токи, ограниченные объемным зарядом и токовые шумы. Отдельные главы отведены...

Москва, Издательство "Мир", 1973 год - 413 стр. Книга посвящена исследованию монополярной и двойной инжекции носителей заряда. Рассматриваемые явления имеет большое значение для понимания механизма прохождения тока через изоляторы и полупроводники, служат эффективным средством исследования электрических свойств твердых тел, и кроме того, имеют много важных технических применений, в частности в диэлектрической электронике и оптоэлектронике. Книг...

Москва, Издательство "Радио и связь", 1990 год - 300 стр. ISBN 5-256-00496-4 В книге рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото - и светодиодов, лавинно - пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и т. д. Показана, какая информация...

Данная книга посвящена изучению влияний различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокации, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных схем. В основу книги легли лекции, читавшиеся автором в ведущих технических университетов США; тек...

Москва, Издательство "Энергоатомиздат", 1985 год - 392 стр. В книге рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеивания носителей зарядов, генерация и рекомбинация носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства....

Данная книга представляет собой систематической рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектрических свойств и контактных явлений. Книга рассчитана на широкий круг читателей - инженеров, научных работников и студентов старших курсов технических ВУЗов.

Москва, Издательство "Наука", 1978 год - 285 стр. В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В книге отражается результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и фотокаталитического эффектов строи...

Санкт - Петербург, Издательство "Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Контантинова РАН", 1997 год - 376 стр. ISBN 5-86763-111-7. В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрена феиоменологическая теория рекомбинации, теоретические модели мелких и глубоких центров, каскадная модель захвата на притяги...

2009 г. Учебное пособие 101 стр, СПб Гос Университет информационных технологий, механики и оптики. содержит описание лабораторных работ, методические указания по их выполнению, контрольные вопросы и краткий теоретический материал. Предназначено для студентов факультета Компьютерных технологийи Управления по направлению "Проектирование и технология электронно-вычислительных средств".

Учебно-методическое пособие по курсу "Физические основы микроэлектроники» написано в полном соответствии с Программой Министерства образования РФ и представляет собой краткое введение в теорию широкого круга явлений, с которыми приходится непосредственно иметь дело конструктору и технологу радиоэлектронной аппаратуры. Его цель – помочь понять физическую сущность тепловых и электрических свойств твердых тел, контактных и поверхностных явлений в п...

Митрофанов О.В., Симонов Б.М., Коледов Л.А. М.: Высшая школа, 1987, 168с. Учебное пособие из серии Микроэлектроника в 9 кн. под ред. Коледов Л.А. Книга 1. В пособии рассмотрены физические процессы, определяющие функционирование изделии полупроводниковой микроэлектроники. Изложены принципы работы базовых полупроводниковых приборов. P.S. Книга снабжена прекрасными иллюстрациями, которые значительно помогают усвоению материала. Материал изложен на...

БГТУ им Шухова, 4 курс, Кафедра Электротехники.

Издательство М: Мир, 1991 504 страницы Книга авторов из Великобритании представляет собой тщательно обработанный текст лекций по физическим основам твердотельной электроники, читаемых на инженерном отделении Оксфордского университета (перевод с 4-го издания). Методически продуманно излагаются принципы построения полупроводниковых приборов, основы оптоэлектроники, квантовой электроники, вопросы применения магнитных явлений и сверхпроводимости (вк...

Перевод с англ. / Под ред. Ю. В. Гуляева - М.: Советское радио, 1979г. , 232 стр. Дается классификация и обсуждаются теоретические модели гетеропереходов. Описаны современные методы получения гетероструктур и их электрические и оптоэлектронные свойства. Много внимания уделяется методам измерения электрических параметров, характеризующих гетероструктуру. Рассмотрены области применения гетеропереходов: преобразователи световой энергии в электрическ...

М. , 1990 г. Не очень старая редкая монография, посвящённая механизмам образования дефектов в объёме и на поверхности кремния. Крайне полезна физикам-технологам и специалистам в полупроводниковой микроэлектронике.

М: Наука. Главная редакция физико-математической литературы. 1985 184 страницы Предлаглемая вниманию читателей книга представляет coбой часть III монографии известного Физика О. Маделунга «Физика твердого тела». В отличие от первых двух частей (изданных Главной редакцией физ. -мат. литературы в одной книге в 1980 г. ). Содержание которых не выходит за рамки традиционного круга вопросов (явления в идеальной бесконечной решетке), предметом части I...

М: Наука. Главная редакция физико-математической литературы. 1980 416 страниц В книге, состоящей из двух частей, с единой точки зрения рассмотрены электронные, фононные и оптические свойства твердых тел — металлов и проводников. Первая часть посвящена теории элементарных возбуждений в твердых телах: квазиэлектронов, плазмонов, фононов, млгнонов и экситонов. Вторая часть посвящена взаимодействиям элементарных возбуждений: электрон-фононному, элект...

Перевод с испанского С. И. Баскакова. Под редакцией проф. В. А. Терехва. Издательство "Высшая школа" 1991. 352 страницы. В книге детально, на высоком физико-математическом уровне рассматриваются вопросы функционирования основных полупроводниковых приборов - дискретных и в интегральном исполнении (диодов, биполярных и полевых транзисторов), а также физические основы интегральной технологии. Весь материал разбит на порции, включающие теоретически...

Минск, Наука и техника, 1975 г. 464 стр. В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции: изложена методика вычислени...

Учебное пособие. Москва. 2000 г. – 51 стр. Модель Кронига-Пенни. Термодинамические равновесные концентрации электронов и дырок в чистом и примесных полупроводниках. Теория контактного PN-перехода.

Проводниками электрического тока могут служить твердые тела, жидко-сти, а при соответствующих условиях и газы. К твердым проводникам относят металлы, металлические сплавы и неко-торые модификации углерода. Металлы – это пластичные вещества с характерным для них блеском, ко-торые хорошо проводят электрический ток и теплоту. Среди материалов элек-тронной техники металлы занимают одно из важнейших мест.

Полупроводниковые соединения AIVBIV, Методы выращивания монокристаллов SiC, Применение SiC, Полупроводниковые соединения AIIIBV, Получение соединений AIIIBV, Применение полупроводников AIIIBV, Полупроводниковые соединения AIIBV, Стеклообразные и аморфные полупроводники, Получение гидрогенизированного кремния и его применение.

Название курса Материалы и элементы электронной техники, само говорит о предмете изучения – материалы и элементы электронной техники. Что такое материал, как понятие, как предмет изучения? Как взаимосвязаны такие понятия, как химический элемент, вещество, сырьё, изделие (компонент).

Пер. с англ. - М. Мир, 1985. - 496 с. 22,0 Мб. В книге американских специалистов изложены физические принципы основных технологических процессов современной (на 1985 год) микроэлектроники, включая субмикронную литографию, сухое травление, лазерный и электронно-лучевой отжиг. рассмотрены перспективы совершенствования технологии и фундаментальные ограничения на дальнейшее развитие микроэлектроники. Для специалистов в области электронной техники,...

Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...

План работы Введение I. Электрический расчет цифровой схемы: - оценить потенциалы в точках; - рассчитать все токи и указать их направления; - рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности потребляемые всей схемой. II. Разработка топологии ИМС: - выбор материала для пленочных резисторов; - расчет размеров для резисторов; - выбор материала для проводников и контактных площадок; - расчет площади, занимаемой активными и...

В данном реферате представлена информация о магниторезистивном эффекте, пояснена сущность и модель магнетосопротивления. Также приведены основные характеристики вышеуказанного физического эффекта. В работе описаны материалы, которые применяются для изготовления приборов, использующих магниторезистивный эффект, устройство магниторезисторов, принцип их работы, их параметры, характеристики, классификация, а также область их применения и перспективы...

Диэлектрики, полупроводники, металлы. Дж. Слэтер — М.: Мир, 1969, с. 648. Предлагаемая вниманию читателей книга, посвященная основам физики твердого тела, входит в серию книг автора «Квантовая теория молекул и твердых тел». (Ранее, в 1963 г., был издан перевод первой книги этой серии «Электронная структура молекул». ) Автор книги, крупный американский физик-теоретик, специалист в области физики твердого тела, квантовой химии, электроники, известе...

Ответы написанные по лекциям. для студентов групп МКС, РРиТ, СПР, ССК Электроника, ее основные области исследования; вакуумная, твердотельная, квантовая электроника, особенности физических процессов. Структура кристаллов. Типы кристаллических решеток. Классификация твердых тел по степени электропроводности Энергетические уровни и зоны твердого тела. Соотношение неопределенностей Гейзенберга. Разрешенные и запрещенные зоны. Потенциальная кинет...

Единицы физических величин, основные сведения по теории электротехники: з-н Ома, последовательное и параллельное соединение, работа, мощность, электромагнетизм, переменный ток, трехфазный ток, обозначения в схемах, электроизмерительные приборы, электронагреватели, электрическое освещение. Солон-Пресс 2007г. 553стр

Учебное пособие написано на основе курса лекций, читаемых автором в Тамбовском государственном техническом университете. В сжатой форме, но с привлечением математического аппарата физики твердого тела в объеме, достаточном для понимания описываемых физических процес- сов, анализируются взаимосвязи электрофизических свойств материалов с особенностями их внутреннего строения. Предназначено для студентов электротехнических и электроэнергетических сп...

К.: Видавничо-поліграфічний центр "Київський університет", 2005 - 153 с. Розглядаються питання, пов'язані з рухом заряджених частинок в електричних і магнітних полях у вакуумі, питання емісійної електроніки, елементарних процесів у газовому середовищі, фізики плазми та газового розряду. У кінці кожного розділу наведено контрольні запитання та задачі. Для студентів фізичних і фізико-математичних факультетів університетів та вищих технічних навчал...

Полупроводниковые диоды. стабилитроны. однополупериодные и двухполупериодные выпрямители. исследование биполярного транзистора.

Лабораторная работа по физическим основам электроники- Изучение полупроводниковых структур с двумя взаимодействующими переходами УГАТУ, АП курс - 2. для специальностей МКС, РТ, СПР.2009 год

ПГТУ Пермь 2003 г. Рассмотрены вопросы, связанные с физическими основами и процессами, происходящими в полупроводниковых материалах, а также на границе двух сред – полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-диэлектрик. Описаны физические процессы, связанные с фотоэффектом и эффектом электрического поля в полупроводнике. Достаточно подробно рассмотрены вопросы элементной базы электроники и микроэлектроники, связанные с описан...

Учебное пособие для вузов. - Воронеж: ВГУ, 2007. В книге рассмотрены свойства ЭДП, физические принципы работы терморезисторов, фоторезисторов, фотодиодов и туннельных диодов

Лекции составленны преподавателем, и даны студентам, чтобы не тратить время на писанину. Все в Worde. Аккуратно, с картинками, а главное на доступном языке. Подойдет как для неэлектронщиков, так и для основного изучения по специальности. Полупроводниковые диоды. Принцип работы диода. Вольт-амперная характеристика диода (ВАХ). Выпрямительные диоды. Высокочастотные диоды. Импульсные диоды. Стабилитроны и стабисторы. Биполярные транзисторы. Общие пр...

Львів: "Магнолія 2006", 2008. - 242 с. Викладенно фізичні основи елетроматеріалознавства та загальні відомості про основні класи електротехнічних матеріалів - діалектриків, провідників, напівпровідників, магнітних матеріалів та їх властивості.

Ионкин П. А. (ред) - Основы инженерной электрофизики. ч.2 (1972) Формат djvu, размер чуть более 1 Мб, более 300 стр. Учебник по электрофизике для вузов. Издание поможет студенту не только усвоить и оперативно повторить учебный материал перед сдачей зачета и экзамена, но и качественно подготовиться к семинарским занятиям, на- писать курсовую и дипломную работу. Содержание учебно-методического комплекса полностью соответствует требованиям государст...

Рассматриваются физические принципы работы полупроводни-ковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключа-тельных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабора-торных работ, позволяющих изучить основные характеристики и параметры полупроводниковых приборов.

Учеб. пособие. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2005. 113стр. Пособие соответствует государственому образовательному стандарту по дисциплине "Физико-химические основы технологии полупроводников" для студентов, обучающихся по программе бакалавров по направлению 550100 - "Техническая физика" Предназначено для студентов физико-технического факультета.

Лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по специальностям "Многоканальные телекоммуникационные системы", "Радиосвязь, радиовещание и телевидение", "Средства связи с подвижными объектами", "Электромеханика"rn

Методическое пособие к вып. лаб. работ по курсу "Физические основы электроники ". ВГАВТ, Н.Новгород, 2002. В методическом пособии изложены общие вопросы из курса "Физические основы электроники" и приведена методика выполнения лабораторных работ. Содержание: Краткие теоретические сведения Лабораторная работа №1. Изучение контрольно-измерительной аппаратуры. Лабораторная работа №2. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n пер...

2009. Идеальные кристаллы. Кристаллическая решетка Бравэ. Обозначение плоскостей и направлений кристалла. Индексы Миллера Реальные кристаллы. Структура реальных кристаллов. Дефекты кристаллической решеткиrn

Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники» Включены следующие разделы: Электрофизические свойства полупроводников оптические свойства полупроводников контактные явления типовые технологические процессы.

Вопросы по ФОПП (ФОЭ) Электропроводность полупроводников. Полупроводниковые резисторы. Электропроводность полупроводников. Терморезисторы и фоторезисторы. Электропроводность полупроводников. Магниторезисторы и Датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Пробой р-п-перехода. Типы полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды, их характеристики и параметры. Типы...

Темы: Электропроводность полупроводников. Р-п переходы.Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Обратная связь. Операционные усилители. Применение операционных усилителей. и пр.// Лекции в формате .doc иллюстрированные.

Элементы зонной теории твёрдого тела. Модель атома и св-ва электрона Квантовые числа. Понятие об энергетических уровнях и зонах. Кристаллическая решетка. Свойства полупроводников. Собственный полупроводник. Определение равновесной концентрации зарядов в собственном полупроводнике. Функция распределения Ферми-Дирака. Вероятность распределения электронов по энерг. уровням. Уровни Ферми. Эффективные массы электрона и дырки. Примесные полупроводники....

Материал из Википедии — свободной энциклопедии Материал из учебного пособия «Физика твердого тела» Епифанов Г.И. Задача: 6й вариант

Вопросы к экзамену по курсу «Физические основы электроника» (для специальностей ЭМ и ЭЛА)

Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Здесь почти вся теория, которую Шарфштейн А.Х. требует для защиты лабораторок.Нет перехода Шотки.

Расчетная часть. Дан металлический шар. Он окружен оболочкой из диэлектрика, верхняя поверхность - сфера, всё остальное пространство – вакуум. Построить зависимости и проанализировать их особенности в областях и в пограничной точке. Построить картины вектора E и D в трех областях. Построить зависимость плотности распределения энергии в зависимости от Х для трех областей. Изменить радиус R так, чтобы количество энергии, заключенной во всем слое...

Электронные ключи на биполярных транзисторах .

Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.

Электроника и микроэлектроника, схемотехника. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые структуры. Электронные усилители и генераторы. Импульсная техника.

Лабораторная работа "Моделирование электрических полей в электронных устройствах" по дисциплине ФОЭ. Пожалуй, самая тяжелая из всех на курсе. С отличным выводом.

Две самостоятельные работы студента (СРС) по дисциплине "Физические основы электроники". В виде рефератов. Сданы на "отлично"

Расчетно-графические работы по ФОЭ. Дана заряженная сфера. 3 варианта, с разными исходными данными. Сдаются обычно вместе с СРС.

Исследование биполярных транзисторов в схеме c общим эмиттером. Изучение статических вольтамперных характеристик и определение параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.

Определение параметров стабилитронов КС147А и Д814Б по рабочим ветвям вольтамперных характеристик (ВАХ).

Атом. Корпускулярно-волновые свойства материи. Постулат Бора. Соотношение неопределённостей. Квантовые числа. Рентгеновские лучи. Закон Мозли. Рентгеноспектральный анализ. Рентгеноструктурный анализ. Понятие о квантовой механике. Классическая квантовая статистика. Распределение Больцмана. Опыт М. Борна по определению длины свободного пробега. Формула Сёзерленда. Длина свободного пробега электрона. Рассеивание электронного пучка. Квантовая статис...

Резисторы. Классификация. Основные параметры постоянных резисторов. Частотные свойства резисторов. Собственные шумы резисторов. Особенности работы резисторы в импульсивных режимах. Резисторы общего назначения Резисторы интегральных схем. Резисторы постоянные проволочные. Металлофольговые резисторы. Переменные резисторы. Конструкции переменных резисторов, их особенности. Конденсаторы. Классификация конденсаторов. Конденсаторы с неорганическим диэл...

Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника. Метод расчета концентраций. Условие электрической нейтральности. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках. Положение уровня Ферми в полупроводниках. Распределение н...